Синтез наноструктур из кристаллического оксида цинка

Запропоновано методику синтезу нанорозмірних структур з віскерів і тетраедральних кристалів оксиду цинку. Синтез здійснювався в газовому потоці, а як ініціатор росту, що забезпечував задану густину центрів кристалізації на підкладинці з монокристалічного кремнію, використовували нанорозмірні частинк...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Горбик, П.П., Дубровин, И.В., Демченко, Ю.А., Кашин, Г.Н., Литвин, Ю.М.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2010
Назва видання:Поверхность
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/39337
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Синтез наноструктур из кристаллического оксида цинка / П.П. Горбик, И.В. Дубровин, Ю.А. Демченко, Г.Н. Кашин, Ю.М. Литвин // Поверхность. — 2010. — Вип. 2(17). — С. 214-220. — Бібліогр.: 21 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Запропоновано методику синтезу нанорозмірних структур з віскерів і тетраедральних кристалів оксиду цинку. Синтез здійснювався в газовому потоці, а як ініціатор росту, що забезпечував задану густину центрів кристалізації на підкладинці з монокристалічного кремнію, використовували нанорозмірні частинки золота. Дослідження синтезованих ниткоподібних і тетраедральних структур методами рентгенофазового аналізу, растрової електронної мікроскопії, оже-електронної спектроскопії та атомної силової мікроскопії показали, що вони мають хімічний склад оксиду цинку високої чистоти, малу кількість дефектів, гексагональну вюрцитну структуру, характерну товщину в діапазоні 50–300 нм і довжину до 40 мкм і є перспективним об'єктом для різних областей застосування в мікроелектроніці, оптоелектроніці, біомедицині і т.п.