Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами

• Дата: 2008
• Автори: Конорева, О.В., Ластовецький, В.Ф., Опилат, В.Я., Гришин, Ю. Г., Петренко, I.В., Пiнковська, М.Б., Тартачник, В.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2008
• Теми: Фізика
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/4125
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами / О.В. Конорева, В.Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В.Я. Опилат, Ю. Г. Гришин, I.В. Петренко, М.Б. Пiнковська, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2008. — № 3. — С. 71-76. — Бібліогр.: 9 назв. — укp.

GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods.
 The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100–77 K) after irradiation has become more expressive and possesses
 the higher oscillation amplitude. The high destructive influence of fast neutrons on the emitting
 recombination is caused by two factors: the electrical fields of radiation defects and the capture
 of charged carriers by their levels.