Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide

Ab initio density functional calculations are performed to investigate the ideal shear deformation of SiC poly types (3C, 2H, 4H, and 6H). The deformation of the cubic and the hexagonal poly types in small strain region can be well represented by the elastic properties of component Si4C-tetrahedrons...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Проблемы прочности
Date:2008
Main Authors: Umeno, Y., Kinoshita, Y., Kitamura, T.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут проблем міцності ім. Г.С. Писаренко НАН України 2008
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/48238
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide / Y. Umeno, Y. Kinoshita, T. Kitamura // Проблемы прочности. — 2008. — № 1. — С. 8-13. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862635566897561600
author Umeno, Y.
Kinoshita, Y.
Kitamura, T.
author_facet Umeno, Y.
Kinoshita, Y.
Kitamura, T.
citation_txt Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide / Y. Umeno, Y. Kinoshita, T. Kitamura // Проблемы прочности. — 2008. — № 1. — С. 8-13. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Проблемы прочности
description Ab initio density functional calculations are performed to investigate the ideal shear deformation of SiC poly types (3C, 2H, 4H, and 6H). The deformation of the cubic and the hexagonal poly types in small strain region can be well represented by the elastic properties of component Si4C-tetrahedrons. The stacking pattern in the polytypes affects strain localization, which is correlated with the generalized stacking fault (GSF) energy profile of each shuffle-set plane, and the ideal shear strength. Compressive hydrostatic stress decreases the ideal shear strength, which is in contrast with the behavior of metals. Выполнены функциональные расчеты ab initio плотности с целью изучения идеальной сдвиговой деформации политипов SiC (3С, 2Н, 4Н, 6Н). Деформирование кубических и гексагональных политапов в области малых деформаций характеризуется упругими свойствами составляющих тетраэдров, Si4C. Характер укладки в политипах оказывает воздействие на локализацию деформаций (что коррелирует с профилем энергии обобщенного дефекта укладки каждой перемещенной плоскости) и идеальную прочность на сдвиг. Сжимающее гидростатическое напряжение снижает идеальную прочность на сдвиг, что отличает поведение этих материалов от металлов.
first_indexed 2025-11-30T17:19:58Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-48238
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0556-171X
language English
last_indexed 2025-11-30T17:19:58Z
publishDate 2008
publisher Інститут проблем міцності ім. Г.С. Писаренко НАН України
record_format dspace
spelling Umeno, Y.
Kinoshita, Y.
Kitamura, T.
2013-08-17T10:57:19Z
2013-08-17T10:57:19Z
2008
Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide / Y. Umeno, Y. Kinoshita, T. Kitamura // Проблемы прочности. — 2008. — № 1. — С. 8-13. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.
0556-171X
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/48238
539. 4
Ab initio density functional calculations are performed to investigate the ideal shear deformation of SiC poly types (3C, 2H, 4H, and 6H). The deformation of the cubic and the hexagonal poly types in small strain region can be well represented by the elastic properties of component Si4C-tetrahedrons. The stacking pattern in the polytypes affects strain localization, which is correlated with the generalized stacking fault (GSF) energy profile of each shuffle-set plane, and the ideal shear strength. Compressive hydrostatic stress decreases the ideal shear strength, which is in contrast with the behavior of metals.
Выполнены функциональные расчеты ab initio плотности с целью изучения идеальной сдвиговой деформации политипов SiC (3С, 2Н, 4Н, 6Н). Деформирование кубических и гексагональных политапов в области малых деформаций характеризуется упругими свойствами составляющих тетраэдров, Si4C. Характер укладки в политипах оказывает воздействие на локализацию деформаций (что коррелирует с профилем энергии обобщенного дефекта укладки каждой перемещенной плоскости) и идеальную прочность на сдвиг. Сжимающее гидростатическое напряжение снижает идеальную прочность на сдвиг, что отличает поведение этих материалов от металлов.
en
Інститут проблем міцності ім. Г.С. Писаренко НАН України
Проблемы прочности
Научно-технический раздел
Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
Исследования идеального предела прочности на сдвиг политипов карбида кремния на основе функциональной теории плотности
Article
published earlier
spellingShingle Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
Umeno, Y.
Kinoshita, Y.
Kitamura, T.
Научно-технический раздел
title Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
title_alt Исследования идеального предела прочности на сдвиг политипов карбида кремния на основе функциональной теории плотности
title_full Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
title_fullStr Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
title_full_unstemmed Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
title_short Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
title_sort ab initio dft study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
topic Научно-технический раздел
topic_facet Научно-технический раздел
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/48238
work_keys_str_mv AT umenoy abinitiodftstudyofidealshearstrengthofpolytypesofsiliconcarbide
AT kinoshitay abinitiodftstudyofidealshearstrengthofpolytypesofsiliconcarbide
AT kitamurat abinitiodftstudyofidealshearstrengthofpolytypesofsiliconcarbide
AT umenoy issledovaniâidealʹnogopredelapročnostinasdvigpolitipovkarbidakremniânaosnovefunkcionalʹnoiteoriiplotnosti
AT kinoshitay issledovaniâidealʹnogopredelapročnostinasdvigpolitipovkarbidakremniânaosnovefunkcionalʹnoiteoriiplotnosti
AT kitamurat issledovaniâidealʹnogopredelapročnostinasdvigpolitipovkarbidakremniânaosnovefunkcionalʹnoiteoriiplotnosti