Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію
Сучасні методи комп'ютерного моделювання дають змогу розрахувати енергії утворення різноманітних дефектів гратки і досліджувати вплив на них зовнішніх факторів. Ми застосували метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фо...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/49359 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію / І.М. Вишневський, О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, В.С. Манжара, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2012. — № 3. — С. 92-98. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862661016141168640 |
|---|---|
| author | Вишневський, І.М. Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Манжара, В.С. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. |
| author_facet | Вишневський, І.М. Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Манжара, В.С. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. |
| citation_txt | Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію / І.М. Вишневський, О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, В.С. Манжара, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2012. — № 3. — С. 92-98. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Сучасні методи комп'ютерного моделювання дають змогу розрахувати енергії утворення різноманітних дефектів гратки і досліджувати вплив на них зовнішніх факторів. Ми застосували метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фосфіду галію: порогової енергії утворення дефекту Ed, енергії утворення вакансії, дивакансії, вакансійних пустот, атомів проникнення та антиструктурних дефектів. Одночасно із експериментальних даних, одержаних нами на опромінених електронами кристалах GaP, визначено величини порогових енергій зміщення атомів Ga та P: за зміною початкової швидкості видалення носіїв (dn/dΦ)Φ→0 та за падінням інтенсивності випромінювання зв'язаного екситону. Одержані значення Ed корелюють із даними комп'ютерного моделювання.
Современные методы компьютерного моделирования позволяют рассчитать энергии образования различных дефектов решетки и исследовать влияние на них внешних факторов. Мы применили метод молекулярной динамики для определения основных параметров, характеризующих радиационные повреждения в кристаллах фосфида галлия: пороговой энергии образования дефекта Ed, энергии образования вакансии, дивакансии, вакансионных пустот, атомов проникновения и антиструктурных дефектов. Одновременно из экспериментальных данных, полученных нами на облученных электронами кристаллах GaP, определены величины пороговых энергий смещения атомов Ga и P: по изменению начальной скорости удаления носителей (dn/dΦ)Φ→0 и по падению интенсивности излучения связанного экситона. Полученные значения Ed коррелируют с данными компьютерного моделирования.
Modern methods of computer simulation allow calculating the creation energy of lattice defects and their changes caused by external factors. We use the molecular dynamics method to study main parameters of radiation defects in GaP: threshold energy of defect formation Ed and the energies of formation of a vacancy, a double vacancy, vacancy cavities, penetrating atoms, and antistructural defects. Values of threshold shift energies of P and Ga atoms are obtained from experimental data obtained on electron-irradiated crystals, namely: changes of the initial velocity of carrier removal (dn/dΦ)Φ→0 and a decrease of the emission intensity of a bound exciton. The obtained values of Ed correlate with the results of the computing modeling.
|
| first_indexed | 2025-12-02T11:15:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-49359 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-02T11:15:37Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вишневський, І.М. Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Манжара, В.С. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. 2013-09-16T20:02:52Z 2013-09-16T20:02:52Z 2012 Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію / І.М. Вишневський, О.М. Гонтарук, О.В. Конорева, П.Г. Литовченко, В.С. Манжара, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2012. — № 3. — С. 92-98. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/49359 538.935 Сучасні методи комп'ютерного моделювання дають змогу розрахувати енергії утворення різноманітних дефектів гратки і досліджувати вплив на них зовнішніх факторів. Ми застосували метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фосфіду галію: порогової енергії утворення дефекту Ed, енергії утворення вакансії, дивакансії, вакансійних пустот, атомів проникнення та антиструктурних дефектів. Одночасно із експериментальних даних, одержаних нами на опромінених електронами кристалах GaP, визначено величини порогових енергій зміщення атомів Ga та P: за зміною початкової швидкості видалення носіїв (dn/dΦ)Φ→0 та за падінням інтенсивності випромінювання зв'язаного екситону. Одержані значення Ed корелюють із даними комп'ютерного моделювання. Современные методы компьютерного моделирования позволяют рассчитать энергии образования различных дефектов решетки и исследовать влияние на них внешних факторов. Мы применили метод молекулярной динамики для определения основных параметров, характеризующих радиационные повреждения в кристаллах фосфида галлия: пороговой энергии образования дефекта Ed, энергии образования вакансии, дивакансии, вакансионных пустот, атомов проникновения и антиструктурных дефектов. Одновременно из экспериментальных данных, полученных нами на облученных электронами кристаллах GaP, определены величины пороговых энергий смещения атомов Ga и P: по изменению начальной скорости удаления носителей (dn/dΦ)Φ→0 и по падению интенсивности излучения связанного экситона. Полученные значения Ed коррелируют с данными компьютерного моделирования. Modern methods of computer simulation allow calculating the creation energy of lattice defects and their changes caused by external factors. We use the molecular dynamics method to study main parameters of radiation defects in GaP: threshold energy of defect formation Ed and the energies of formation of a vacancy, a double vacancy, vacancy cavities, penetrating atoms, and antistructural defects. Values of threshold shift energies of P and Ga atoms are obtained from experimental data obtained on electron-irradiated crystals, namely: changes of the initial velocity of carrier removal (dn/dΦ)Φ→0 and a decrease of the emission intensity of a bound exciton. The obtained values of Ed correlate with the results of the computing modeling. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію Компьютерное моделирование структурных повреждений в монокристаллах фосфида галлия Computer simulation of structural defects in GaP monocrystals Article published earlier |
| spellingShingle | Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію Вишневський, І.М. Гонтарук, О.М. Конорева, О.В. Литовченко, П.Г. Манжара, В.С. Пінковська, М.Б. Тартачник, В.П. Фізика |
| title | Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію |
| title_alt | Компьютерное моделирование структурных повреждений в монокристаллах фосфида галлия Computer simulation of structural defects in GaP monocrystals |
| title_full | Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію |
| title_fullStr | Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію |
| title_full_unstemmed | Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію |
| title_short | Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію |
| title_sort | комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/49359 |
| work_keys_str_mv | AT višnevsʹkiiím kompûternemodelûvannâstrukturnihpoškodženʹumonokristalahfosfídugalíû AT gontarukom kompûternemodelûvannâstrukturnihpoškodženʹumonokristalahfosfídugalíû AT konorevaov kompûternemodelûvannâstrukturnihpoškodženʹumonokristalahfosfídugalíû AT litovčenkopg kompûternemodelûvannâstrukturnihpoškodženʹumonokristalahfosfídugalíû AT manžaravs kompûternemodelûvannâstrukturnihpoškodženʹumonokristalahfosfídugalíû AT pínkovsʹkamb kompûternemodelûvannâstrukturnihpoškodženʹumonokristalahfosfídugalíû AT tartačnikvp kompûternemodelûvannâstrukturnihpoškodženʹumonokristalahfosfídugalíû AT višnevsʹkiiím kompʹûternoemodelirovaniestrukturnyhpovreždeniivmonokristallahfosfidagalliâ AT gontarukom kompʹûternoemodelirovaniestrukturnyhpovreždeniivmonokristallahfosfidagalliâ AT konorevaov kompʹûternoemodelirovaniestrukturnyhpovreždeniivmonokristallahfosfidagalliâ AT litovčenkopg kompʹûternoemodelirovaniestrukturnyhpovreždeniivmonokristallahfosfidagalliâ AT manžaravs kompʹûternoemodelirovaniestrukturnyhpovreždeniivmonokristallahfosfidagalliâ AT pínkovsʹkamb kompʹûternoemodelirovaniestrukturnyhpovreždeniivmonokristallahfosfidagalliâ AT tartačnikvp kompʹûternoemodelirovaniestrukturnyhpovreždeniivmonokristallahfosfidagalliâ AT višnevsʹkiiím computersimulationofstructuraldefectsingapmonocrystals AT gontarukom computersimulationofstructuraldefectsingapmonocrystals AT konorevaov computersimulationofstructuraldefectsingapmonocrystals AT litovčenkopg computersimulationofstructuraldefectsingapmonocrystals AT manžaravs computersimulationofstructuraldefectsingapmonocrystals AT pínkovsʹkamb computersimulationofstructuraldefectsingapmonocrystals AT tartačnikvp computersimulationofstructuraldefectsingapmonocrystals |