Обумовлені дією рентгенівського випромінювання та магнітного поля особливості динамічної поведінки дислокацій у кристалах кремнію

• Veröffentlicht in: Доповіді НАН України
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Макара, В.А., Стебленко, Л.П., Кріт, О.М., Калініченко, Д.В., Курилюк, А.М., Науменко, С.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2012
• Schlagworte: Фізика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/49490
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Обумовлені дією рентгенівського випромінювання та магнітного поля особливості динамічної поведінки дислокацій у кристалах кремнію / В.А. Макара, Л.П. Стебленко, О.М. Кріт, Д.В. Калініченко, А.М. Курилюк, С.М. Науменко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 71-74. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.

Виявлено особливості в динамічній поведінці дислокацій, які проявляються при самостійній дії рентгенівського випромінювання, а також при комбінованому (рентгенівському і магнітному) впливі на кристали кремнію. Встановлені зміни в мікропластичних характеристиках кристалів кремнію аналізуються з точки зору стимулювання рентгенівською та магнітною дією міждефектних перетворень. Выявлены особенности в динамическом поведении дислокаций, которые проявляются при самостоятельном действии рентгеновского излучения, а также при комбинированном (рентгеновском и магнитном) влиянии на кристаллы кремния. Установленные изменения в микропластических характеристиках кристаллов кремния анализируются с точки зрения стимулирования рентгеновским и магнитным действием междефектных превращений. The dynamic behavior of dislocations under the influence of X-ray radiation and the combined (X-ray + magnetic field) influence on silicon crystals is investigated. The changes in microplastic characteristics of silicon crystals are analyzed under the assumption of interdefect transformations.