Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs

• Veröffentlicht in: Доповіді НАН України
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2012
• Schlagworte: Фізика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/49491
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 75-80. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа ''сэндвич'' на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в диапазоне частот. Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу ''сендвіч'' на основі GaAs. Показано, як впливає міждолинне перенесення електронів в областях, прилеглих до тунельної межі, на ефективність генерації діодів у діапазоні частот. The current-voltage characteristics and the effectiveness of the generation in diodes with tunnel boundaries in structures of the sandwich type on the basis of GaAs are studied. The effect of the intervalley electron transfer in the areas adjacent to the tunnel border on the generation efficiency for diodes in a certain frequency range is described.