Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа ''сэндвич'' на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в д...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/49491 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 75-80. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862546233215680512 |
|---|---|
| author | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
| author_facet | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
| citation_txt | Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 75-80. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа ''сэндвич'' на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в диапазоне частот.
Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу ''сендвіч'' на основі GaAs. Показано, як впливає міждолинне перенесення електронів в областях, прилеглих до тунельної межі, на ефективність генерації діодів у діапазоні частот.
The current-voltage characteristics and the effectiveness of the generation in diodes with tunnel boundaries in structures of the sandwich type on the basis of GaAs are studied. The effect of the intervalley electron transfer in the areas adjacent to the tunnel border on the generation efficiency for diodes in a certain frequency range is described.
|
| first_indexed | 2025-11-25T11:21:41Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-49491 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T11:21:41Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. 2013-09-19T20:23:09Z 2013-09-19T20:23:09Z 2012 Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 75-80. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/49491 621.382.2 Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа ''сэндвич'' на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в диапазоне частот. Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу ''сендвіч'' на основі GaAs. Показано, як впливає міждолинне перенесення електронів в областях, прилеглих до тунельної межі, на ефективність генерації діодів у діапазоні частот. The current-voltage characteristics and the effectiveness of the generation in diodes with tunnel boundaries in structures of the sandwich type on the basis of GaAs are studied. The effect of the intervalley electron transfer in the areas adjacent to the tunnel border on the generation efficiency for diodes in a certain frequency range is described. ru Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs Вплив міждолинного перенесення електронів на ефективність генерації діодів з тунельними межами на основі GaAs Effect of intervalley electron transfer on the efficiency of the generation in diodes with tunnel boundaries based on GaAs Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. Фізика |
| title | Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs |
| title_alt | Вплив міждолинного перенесення електронів на ефективність генерації діодів з тунельними межами на основі GaAs Effect of intervalley electron transfer on the efficiency of the generation in diodes with tunnel boundaries based on GaAs |
| title_full | Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs |
| title_fullStr | Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs |
| title_full_unstemmed | Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs |
| title_short | Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs |
| title_sort | влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе gaas |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/49491 |
| work_keys_str_mv | AT prohorovéd vliâniemeždolinnogoperenosaélektronovnaéffektivnostʹgeneraciidiodovstunnelʹnymigranicaminaosnovegaas AT boculaov vliâniemeždolinnogoperenosaélektronovnaéffektivnostʹgeneraciidiodovstunnelʹnymigranicaminaosnovegaas AT klimenkooa vliâniemeždolinnogoperenosaélektronovnaéffektivnostʹgeneraciidiodovstunnelʹnymigranicaminaosnovegaas AT prohorovéd vplivmíždolinnogoperenesennâelektronívnaefektivnístʹgeneracíídíodívztunelʹnimimežaminaosnovígaas AT boculaov vplivmíždolinnogoperenesennâelektronívnaefektivnístʹgeneracíídíodívztunelʹnimimežaminaosnovígaas AT klimenkooa vplivmíždolinnogoperenesennâelektronívnaefektivnístʹgeneracíídíodívztunelʹnimimežaminaosnovígaas AT prohorovéd effectofintervalleyelectrontransferontheefficiencyofthegenerationindiodeswithtunnelboundariesbasedongaas AT boculaov effectofintervalleyelectrontransferontheefficiencyofthegenerationindiodeswithtunnelboundariesbasedongaas AT klimenkooa effectofintervalleyelectrontransferontheefficiencyofthegenerationindiodeswithtunnelboundariesbasedongaas |