Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа ''сэндвич'' на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в д...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2012
|
| Schriftenreihe: | Доповіді НАН України |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/49491 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 75-80. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |