Buchumschlag

Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs

Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа ''сэндвич'' на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в д...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Доповіді НАН України
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Клименко, О.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2012
Schlagworte:	Фізика
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/49491
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 75-80. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs
von: Венгер, Є.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
von: Савкiна, Р.К., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
von: Грищенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние параметров прикатодной области в диоде с катодным статическим доменом на порог генерации СВЧ-шума
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Сужение ультрамягких рентгеновских спектров и изменение зонной энергии электронов вследствие диспергирования порошков рутилоподобного TiO2 до наноразмеров
von: Бекенев, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
von: Сизов, Ф.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Релятивистское приближение для определения положений минимумов дифференциальных сечений и точек полной спиновой поляризации процесса упругого рассеяния электронов на тяжелых атомах
von: Ремета, Е.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
von: Gadzhieva, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2002)