Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред

Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред

Теоретически и экспериментально изучается влияние однородного магнитного поля на электронные состояния, локализованные силами электростатического изображения над поверхностью эллипсоидальной диэлектрической наночастицы. Исследованы эффекты резонансного взаимодействия света с такими локальными электр...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Доповіді НАН України
Date:2012
Main Authors: Покутний, С.И., Карбовский, В.Л., Шпак, А.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2012
Subjects:
Фізика
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50002
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред / С.И. Покутний, В.Л. Карбовский, А.П. Шпак // Доп. НАН України. — 2012. — № 6. — С. 75-83. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-50002
record_format dspace
spelling Покутний, С.И.
Карбовский, В.Л.
Шпак, А.П.
2013-10-02T17:20:41Z
2013-10-02T17:20:41Z
2012
Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред / С.И. Покутний, В.Л. Карбовский, А.П. Шпак // Доп. НАН України. — 2012. — № 6. — С. 75-83. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
1025-6415
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50002
535.34
Теоретически и экспериментально изучается влияние однородного магнитного поля на электронные состояния, локализованные силами электростатического изображения над поверхностью эллипсоидальной диэлектрической наночастицы. Исследованы эффекты резонансного взаимодействия света с такими локальными электронными состояниями как при наличии, так и в отсутствие однородного магнитного поля.
Теоретично та експериментально вивчається вплив однорідного магнітного поля на електронні стани, локалізовані силами електростатичного зображення над поверхнею еліпсоїдальної діелектричної наночастинки. Досліджено ефекти резонансної взаємодії світла з такими локальними електронними станами як у відсутності, так і при наявності однорідного магнітного поля.
The influence of a homogeneous magnetic field on the electron states localized above the surface of an ellipsoidal dielectric particle by the electrostatic image forces is studied experimentally and theoretically. The effects of the resonance interaction of light with such local electron states in the presence and in the absence of a homogeneous magnetic field are investigated.
ru
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
Доповіді НАН України
Фізика
Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
Електронні стани, локалізовані над еліпсоїдальною поверхнею розділу діелектричних середовищ
Electron states localized over the ellipsoidal interface of dielectric media
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
spellingShingle Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
Покутний, С.И.
Карбовский, В.Л.
Шпак, А.П.
Фізика
title_short Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
title_full Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
title_fullStr Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
title_full_unstemmed Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
title_sort электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
author Покутний, С.И.
Карбовский, В.Л.
Шпак, А.П.
author_facet Покутний, С.И.
Карбовский, В.Л.
Шпак, А.П.
topic Фізика
topic_facet Фізика
publishDate 2012
language Russian
container_title Доповіді НАН України
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
format Article
title_alt Електронні стани, локалізовані над еліпсоїдальною поверхнею розділу діелектричних середовищ
Electron states localized over the ellipsoidal interface of dielectric media
description Теоретически и экспериментально изучается влияние однородного магнитного поля на электронные состояния, локализованные силами электростатического изображения над поверхностью эллипсоидальной диэлектрической наночастицы. Исследованы эффекты резонансного взаимодействия света с такими локальными электронными состояниями как при наличии, так и в отсутствие однородного магнитного поля. Теоретично та експериментально вивчається вплив однорідного магнітного поля на електронні стани, локалізовані силами електростатичного зображення над поверхнею еліпсоїдальної діелектричної наночастинки. Досліджено ефекти резонансної взаємодії світла з такими локальними електронними станами як у відсутності, так і при наявності однорідного магнітного поля. The influence of a homogeneous magnetic field on the electron states localized above the surface of an ellipsoidal dielectric particle by the electrostatic image forces is studied experimentally and theoretically. The effects of the resonance interaction of light with such local electron states in the presence and in the absence of a homogeneous magnetic field are investigated.
issn 1025-6415
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50002
citation_txt Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред / С.И. Покутний, В.Л. Карбовский, А.П. Шпак // Доп. НАН України. — 2012. — № 6. — С. 75-83. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT pokutniisi élektronnyesostoâniâlokalizovannyenadéllipsoidalʹnoipoverhnostʹûrazdeladiélektričeskihsred
AT karbovskiivl élektronnyesostoâniâlokalizovannyenadéllipsoidalʹnoipoverhnostʹûrazdeladiélektričeskihsred
AT špakap élektronnyesostoâniâlokalizovannyenadéllipsoidalʹnoipoverhnostʹûrazdeladiélektričeskihsred
AT pokutniisi elektronnístanilokalízovanínadelípsoídalʹnoûpoverhneûrozdíludíelektričnihseredoviŝ
AT karbovskiivl elektronnístanilokalízovanínadelípsoídalʹnoûpoverhneûrozdíludíelektričnihseredoviŝ
AT špakap elektronnístanilokalízovanínadelípsoídalʹnoûpoverhneûrozdíludíelektričnihseredoviŝ
AT pokutniisi electronstateslocalizedovertheellipsoidalinterfaceofdielectricmedia
AT karbovskiivl electronstateslocalizedovertheellipsoidalinterfaceofdielectricmedia
AT špakap electronstateslocalizedovertheellipsoidalinterfaceofdielectricmedia
first_indexed 2025-12-07T16:54:51Z
last_indexed 2025-12-07T16:54:51Z
_version_ 1850869275497070592

Similar Items