Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред

Теоретически и экспериментально изучается влияние однородного магнитного поля на электронные состояния, локализованные силами электростатического изображения над поверхностью эллипсоидальной диэлектрической наночастицы. Исследованы эффекты резонансного взаимодействия света с такими локальными электр...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Доповіді НАН України
Date:2012
Main Authors: Покутний, С.И., Карбовский, В.Л., Шпак, А.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2012
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50002
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред / С.И. Покутний, В.Л. Карбовский, А.П. Шпак // Доп. НАН України. — 2012. — № 6. — С. 75-83. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862705710608941056
author Покутний, С.И.
Карбовский, В.Л.
Шпак, А.П.
author_facet Покутний, С.И.
Карбовский, В.Л.
Шпак, А.П.
citation_txt Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред / С.И. Покутний, В.Л. Карбовский, А.П. Шпак // Доп. НАН України. — 2012. — № 6. — С. 75-83. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Доповіді НАН України
description Теоретически и экспериментально изучается влияние однородного магнитного поля на электронные состояния, локализованные силами электростатического изображения над поверхностью эллипсоидальной диэлектрической наночастицы. Исследованы эффекты резонансного взаимодействия света с такими локальными электронными состояниями как при наличии, так и в отсутствие однородного магнитного поля. Теоретично та експериментально вивчається вплив однорідного магнітного поля на електронні стани, локалізовані силами електростатичного зображення над поверхнею еліпсоїдальної діелектричної наночастинки. Досліджено ефекти резонансної взаємодії світла з такими локальними електронними станами як у відсутності, так і при наявності однорідного магнітного поля. The influence of a homogeneous magnetic field on the electron states localized above the surface of an ellipsoidal dielectric particle by the electrostatic image forces is studied experimentally and theoretically. The effects of the resonance interaction of light with such local electron states in the presence and in the absence of a homogeneous magnetic field are investigated.
first_indexed 2025-12-07T16:54:51Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-50002
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1025-6415
language Russian
last_indexed 2025-12-07T16:54:51Z
publishDate 2012
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
record_format dspace
spelling Покутний, С.И.
Карбовский, В.Л.
Шпак, А.П.
2013-10-02T17:20:41Z
2013-10-02T17:20:41Z
2012
Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред / С.И. Покутний, В.Л. Карбовский, А.П. Шпак // Доп. НАН України. — 2012. — № 6. — С. 75-83. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
1025-6415
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50002
535.34
Теоретически и экспериментально изучается влияние однородного магнитного поля на электронные состояния, локализованные силами электростатического изображения над поверхностью эллипсоидальной диэлектрической наночастицы. Исследованы эффекты резонансного взаимодействия света с такими локальными электронными состояниями как при наличии, так и в отсутствие однородного магнитного поля.
Теоретично та експериментально вивчається вплив однорідного магнітного поля на електронні стани, локалізовані силами електростатичного зображення над поверхнею еліпсоїдальної діелектричної наночастинки. Досліджено ефекти резонансної взаємодії світла з такими локальними електронними станами як у відсутності, так і при наявності однорідного магнітного поля.
The influence of a homogeneous magnetic field on the electron states localized above the surface of an ellipsoidal dielectric particle by the electrostatic image forces is studied experimentally and theoretically. The effects of the resonance interaction of light with such local electron states in the presence and in the absence of a homogeneous magnetic field are investigated.
ru
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
Доповіді НАН України
Фізика
Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
Електронні стани, локалізовані над еліпсоїдальною поверхнею розділу діелектричних середовищ
Electron states localized over the ellipsoidal interface of dielectric media
Article
published earlier
spellingShingle Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
Покутний, С.И.
Карбовский, В.Л.
Шпак, А.П.
Фізика
title Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
title_alt Електронні стани, локалізовані над еліпсоїдальною поверхнею розділу діелектричних середовищ
Electron states localized over the ellipsoidal interface of dielectric media
title_full Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
title_fullStr Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
title_full_unstemmed Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
title_short Электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
title_sort электронные состояния, локализованные над эллипсоидальной поверхностью раздела диэлектрических сред
topic Фізика
topic_facet Фізика
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50002
work_keys_str_mv AT pokutniisi élektronnyesostoâniâlokalizovannyenadéllipsoidalʹnoipoverhnostʹûrazdeladiélektričeskihsred
AT karbovskiivl élektronnyesostoâniâlokalizovannyenadéllipsoidalʹnoipoverhnostʹûrazdeladiélektričeskihsred
AT špakap élektronnyesostoâniâlokalizovannyenadéllipsoidalʹnoipoverhnostʹûrazdeladiélektričeskihsred
AT pokutniisi elektronnístanilokalízovanínadelípsoídalʹnoûpoverhneûrozdíludíelektričnihseredoviŝ
AT karbovskiivl elektronnístanilokalízovanínadelípsoídalʹnoûpoverhneûrozdíludíelektričnihseredoviŝ
AT špakap elektronnístanilokalízovanínadelípsoídalʹnoûpoverhneûrozdíludíelektričnihseredoviŝ
AT pokutniisi electronstateslocalizedovertheellipsoidalinterfaceofdielectricmedia
AT karbovskiivl electronstateslocalizedovertheellipsoidalinterfaceofdielectricmedia
AT špakap electronstateslocalizedovertheellipsoidalinterfaceofdielectricmedia