Оптимизация управления выращиванием сцинтилляционных монокристаллов
Рассмотрена автоматизированная система робастного управления технологическими процессами получения сцинтилляционных материалов. Построение регуляторов системы управления предложено проводить на основе H∞ - метода формирования контура управления с последовательными формирующими функциями, позволяющег...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Навчально-науковий комплекс "Інститут прикладного системного аналізу" НТУУ "КПІ" МОН та НАН України
2013
|
| Schriftenreihe: | Системні дослідження та інформаційні технології |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50033 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Оптимизация управления выращиванием сцинтилляционных монокристаллов / В.С. Суздаль, Ю.М. Епифанов // Систем. дослідж. та інформ. технології. — 2013. — № 2. — С. 81-88. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Рассмотрена автоматизированная система робастного управления технологическими процессами получения сцинтилляционных материалов. Построение регуляторов системы управления предложено проводить на основе H∞ - метода формирования контура управления с последовательными формирующими функциями, позволяющего обеспечить гарантированные «робастность», устойчивость и требуемое качество управления системами кристаллизации, а также оптимальный выбор основных интервалов робастной стабилизации этих систем. Эксплуатация двумерного робастного регулятора на ростовых установках позволила увеличить точность поддержания тепловых условий выращивания при максимальных возмущениях тепловых режимов путем высокой динамической точности процесса управления диаметром кристалла, увеличения степени устойчивости, уменьшения колебательности системы, уменьшения длительности переходных процессов. Улучшено качество монокристаллов и увеличен выход готовой продукции, а, значит, обеспечен гарантированный выход из этих кристаллов качественных детекторов ионизирующих излучений. |
|---|