Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
Показано, что при расчете предельных параметров NEP приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов, ограниченных флуктуациями потоков фонового излучения, необходимо учитывать фактор группировки фотонов при их излучении нагретыми телами и влияние дифракции, вносимой антенной при введении излучения в ПИ....
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Шевчик-Шекера, А.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51640 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов / А.В. Шевчик-Шекера // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 3-6. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
von: Шевчик-Шекера, А.В.
Veröffentlicht: (2012) -
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
von: Druzhinin, A.O., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Sensitive element of multifunctional sensor for measuring temperature, strain and magnetic field induction
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)