Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Гниленко, А.Б., Дзензерский, В.А., Плаксин, С.В., Погорелая, Л.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Schlagworte: Энергетическая электроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51645
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений. Проведено комп'ютерне моделювання багатоперехідного кремнієвого сонячного елементу з вертикальними p—n-переходами, що складається з чотирьох послідовно з'єднаних n+–p–p+-структур. Розрахунки виконано за допомогою програмного пакета Silvaco TCAD. Досліджено залежність основних характеристик сонячного елемента від товщини кремнієвих пластин в широкому діапазоні значень. A multijunction silicon solar cell with vertical p–n junctions consisted of four serial n+–p–p+-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values.