Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений. Проведено комп'ютерне моделювання багатоперехідного кремнієвого сонячного елементу з вертикальними p—n-переходами, що ск...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51645 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862735337852239872 |
|---|---|
| author | Гниленко, А.Б. Дзензерский, В.А. Плаксин, С.В. Погорелая, Л.М. |
| author_facet | Гниленко, А.Б. Дзензерский, В.А. Плаксин, С.В. Погорелая, Л.М. |
| citation_txt | Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений.
Проведено комп'ютерне моделювання багатоперехідного кремнієвого сонячного елементу з вертикальними p—n-переходами, що складається з чотирьох послідовно з'єднаних n+–p–p+-структур. Розрахунки виконано за допомогою програмного пакета Silvaco TCAD. Досліджено залежність основних характеристик сонячного елемента від товщини кремнієвих пластин в широкому діапазоні значень.
A multijunction silicon solar cell with vertical p–n junctions consisted of four serial n+–p–p+-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:48:18Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51645 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:48:18Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гниленко, А.Б. Дзензерский, В.А. Плаксин, С.В. Погорелая, Л.М. 2013-12-05T19:54:00Z 2013-12-05T19:54:00Z 2012 Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51645 621.383 Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений. Проведено комп'ютерне моделювання багатоперехідного кремнієвого сонячного елементу з вертикальними p—n-переходами, що складається з чотирьох послідовно з'єднаних n+–p–p+-структур. Розрахунки виконано за допомогою програмного пакета Silvaco TCAD. Досліджено залежність основних характеристик сонячного елемента від товщини кремнієвих пластин в широкому діапазоні значень. A multijunction silicon solar cell with vertical p–n junctions consisted of four serial n+–p–p+-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Энергетическая электроника Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами Вплив товщини кремнієвих пластин на характеристики багатоперехідних сонячних елементів з вертикальними p—n-переходами The influence of silicon wafer thickness on characteristics of multijunction solar cells with vertical p—n-junctions Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами Гниленко, А.Б. Дзензерский, В.А. Плаксин, С.В. Погорелая, Л.М. Энергетическая электроника |
| title | Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| title_alt | Вплив товщини кремнієвих пластин на характеристики багатоперехідних сонячних елементів з вертикальними p—n-переходами The influence of silicon wafer thickness on characteristics of multijunction solar cells with vertical p—n-junctions |
| title_full | Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| title_fullStr | Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| title_full_unstemmed | Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| title_short | Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| title_sort | влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| topic | Энергетическая электроника |
| topic_facet | Энергетическая электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51645 |
| work_keys_str_mv | AT gnilenkoab vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami AT dzenzerskiiva vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami AT plaksinsv vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami AT pogorelaâlm vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami AT gnilenkoab vplivtovŝinikremníêvihplastinnaharakteristikibagatoperehídnihsonâčnihelementívzvertikalʹnimipnperehodami AT dzenzerskiiva vplivtovŝinikremníêvihplastinnaharakteristikibagatoperehídnihsonâčnihelementívzvertikalʹnimipnperehodami AT plaksinsv vplivtovŝinikremníêvihplastinnaharakteristikibagatoperehídnihsonâčnihelementívzvertikalʹnimipnperehodami AT pogorelaâlm vplivtovŝinikremníêvihplastinnaharakteristikibagatoperehídnihsonâčnihelementívzvertikalʹnimipnperehodami AT gnilenkoab theinfluenceofsiliconwaferthicknessoncharacteristicsofmultijunctionsolarcellswithverticalpnjunctions AT dzenzerskiiva theinfluenceofsiliconwaferthicknessoncharacteristicsofmultijunctionsolarcellswithverticalpnjunctions AT plaksinsv theinfluenceofsiliconwaferthicknessoncharacteristicsofmultijunctionsolarcellswithverticalpnjunctions AT pogorelaâlm theinfluenceofsiliconwaferthicknessoncharacteristicsofmultijunctionsolarcellswithverticalpnjunctions |