Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами

Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами

Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений. Проведено комп'ютерне моделювання багатоперехідного кремнієвого сонячного елементу з вертикальними p—n-переходами, що ск...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2012
Hauptverfasser: Гниленко, А.Б., Дзензерский, В.А., Плаксин, С.В., Погорелая, Л.М.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Schlagworte:
Энергетическая электроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51645
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51645
record_format dspace
spelling Гниленко, А.Б.
Дзензерский, В.А.
Плаксин, С.В.
Погорелая, Л.М.
2013-12-05T19:54:00Z
2013-12-05T19:54:00Z
2012
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51645
621.383
Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений.
Проведено комп'ютерне моделювання багатоперехідного кремнієвого сонячного елементу з вертикальними p—n-переходами, що складається з чотирьох послідовно з'єднаних n+–p–p+-структур. Розрахунки виконано за допомогою програмного пакета Silvaco TCAD. Досліджено залежність основних характеристик сонячного елемента від товщини кремнієвих пластин в широкому діапазоні значень.
A multijunction silicon solar cell with vertical p–n junctions consisted of four serial n+–p–p+-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Энергетическая электроника
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
Вплив товщини кремнієвих пластин на характеристики багатоперехідних сонячних елементів з вертикальними p—n-переходами
The influence of silicon wafer thickness on characteristics of multijunction solar cells with vertical p—n-junctions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
spellingShingle Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
Гниленко, А.Б.
Дзензерский, В.А.
Плаксин, С.В.
Погорелая, Л.М.
Энергетическая электроника
title_short Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
title_full Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
title_fullStr Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
title_full_unstemmed Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
title_sort влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
author Гниленко, А.Б.
Дзензерский, В.А.
Плаксин, С.В.
Погорелая, Л.М.
author_facet Гниленко, А.Б.
Дзензерский, В.А.
Плаксин, С.В.
Погорелая, Л.М.
topic Энергетическая электроника
topic_facet Энергетическая электроника
publishDate 2012
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Вплив товщини кремнієвих пластин на характеристики багатоперехідних сонячних елементів з вертикальними p—n-переходами
The influence of silicon wafer thickness on characteristics of multijunction solar cells with vertical p—n-junctions
description Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений. Проведено комп'ютерне моделювання багатоперехідного кремнієвого сонячного елементу з вертикальними p—n-переходами, що складається з чотирьох послідовно з'єднаних n+–p–p+-структур. Розрахунки виконано за допомогою програмного пакета Silvaco TCAD. Досліджено залежність основних характеристик сонячного елемента від товщини кремнієвих пластин в широкому діапазоні значень. A multijunction silicon solar cell with vertical p–n junctions consisted of four serial n+–p–p+-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51645
citation_txt Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT gnilenkoab vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami
AT dzenzerskiiva vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami
AT plaksinsv vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami
AT pogorelaâlm vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami
AT gnilenkoab vplivtovŝinikremníêvihplastinnaharakteristikibagatoperehídnihsonâčnihelementívzvertikalʹnimipnperehodami
AT dzenzerskiiva vplivtovŝinikremníêvihplastinnaharakteristikibagatoperehídnihsonâčnihelementívzvertikalʹnimipnperehodami
AT plaksinsv vplivtovŝinikremníêvihplastinnaharakteristikibagatoperehídnihsonâčnihelementívzvertikalʹnimipnperehodami
AT pogorelaâlm vplivtovŝinikremníêvihplastinnaharakteristikibagatoperehídnihsonâčnihelementívzvertikalʹnimipnperehodami
AT gnilenkoab theinfluenceofsiliconwaferthicknessoncharacteristicsofmultijunctionsolarcellswithverticalpnjunctions
AT dzenzerskiiva theinfluenceofsiliconwaferthicknessoncharacteristicsofmultijunctionsolarcellswithverticalpnjunctions
AT plaksinsv theinfluenceofsiliconwaferthicknessoncharacteristicsofmultijunctionsolarcellswithverticalpnjunctions
AT pogorelaâlm theinfluenceofsiliconwaferthicknessoncharacteristicsofmultijunctionsolarcellswithverticalpnjunctions
first_indexed 2025-12-07T19:48:18Z
last_indexed 2025-12-07T19:48:18Z
_version_ 1850880188610510848

Ähnliche Einträge