Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Гниленко, А.Б., Дзензерский, В.А., Плаксин, С.В., Погорелая, Л.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Энергетическая электроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51645
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений. Проведено комп'ютерне моделювання багатоперехідного кремнієвого сонячного елементу з вертикальними p—n-переходами, що ск...