Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p—n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10—40 кэВ) рентгеновского излучения. Запропоновано метод визначення потужності дози випромінення за іонізаційним струмом в p—n-пере...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51646 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 30-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862712302376058880 |
|---|---|
| author | Перевертайло, В.Л. |
| author_facet | Перевертайло, В.Л. |
| citation_txt | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 30-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p—n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10—40 кэВ) рентгеновского излучения.
Запропоновано метод визначення потужності дози випромінення за іонізаційним струмом в p—n-пере-ході та радіаційної стійкості МДН інтегральних схем за допомогою низькоенергетичного (10—40 кеВ) рентгенівського випромінювання.
A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p—n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10—40 keV) X-rays.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:36:21Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51646 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:36:21Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Перевертайло, В.Л. 2013-12-05T19:56:18Z 2013-12-05T19:56:18Z 2012 Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 30-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51646 539.1.074.5; 621.382 Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p—n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10—40 кэВ) рентгеновского излучения. Запропоновано метод визначення потужності дози випромінення за іонізаційним струмом в p—n-пере-ході та радіаційної стійкості МДН інтегральних схем за допомогою низькоенергетичного (10—40 кеВ) рентгенівського випромінювання. A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p—n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10—40 keV) X-rays. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения Визначення радіаційної стійкості ІС за допомогою низькоенергетичного випромінювання Determination of radiation resistance of integrated circuits with the use of low-energy X-radiation Article published earlier |
| spellingShingle | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения Перевертайло, В.Л. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title_alt | Визначення радіаційної стійкості ІС за допомогою низькоенергетичного випромінювання Determination of radiation resistance of integrated circuits with the use of low-energy X-radiation |
| title_full | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title_fullStr | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title_full_unstemmed | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title_short | Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения |
| title_sort | определение радиационной стойкости ис с помощью низкоэнергетического излучения |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51646 |
| work_keys_str_mv | AT perevertailovl opredelenieradiacionnoistoikostiisspomoŝʹûnizkoénergetičeskogoizlučeniâ AT perevertailovl viznačennâradíacíinoístíikostííszadopomogoûnizʹkoenergetičnogovipromínûvannâ AT perevertailovl determinationofradiationresistanceofintegratedcircuitswiththeuseoflowenergyxradiation |