Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения

Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p—n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10—40 кэВ) рентгеновского излучения. Запропоновано метод визначення потужності дози випромінення за іонізаційним струмом в p—n-пере...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2012
1. Verfasser: Перевертайло, В.Л.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51646
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 30-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51646
record_format dspace
spelling Перевертайло, В.Л.
2013-12-05T19:56:18Z
2013-12-05T19:56:18Z
2012
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 30-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51646
539.1.074.5; 621.382
Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p—n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10—40 кэВ) рентгеновского излучения.
Запропоновано метод визначення потужності дози випромінення за іонізаційним струмом в p—n-пере-ході та радіаційної стійкості МДН інтегральних схем за допомогою низькоенергетичного (10—40 кеВ) рентгенівського випромінювання.
A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p—n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10—40 keV) X-rays.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
Визначення радіаційної стійкості ІС за допомогою низькоенергетичного випромінювання
Determination of radiation resistance of integrated circuits with the use of low-energy X-radiation
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
spellingShingle Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
Перевертайло, В.Л.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
title_full Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
title_fullStr Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
title_full_unstemmed Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
title_sort определение радиационной стойкости ис с помощью низкоэнергетического излучения
author Перевертайло, В.Л.
author_facet Перевертайло, В.Л.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2012
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Визначення радіаційної стійкості ІС за допомогою низькоенергетичного випромінювання
Determination of radiation resistance of integrated circuits with the use of low-energy X-radiation
description Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p—n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10—40 кэВ) рентгеновского излучения. Запропоновано метод визначення потужності дози випромінення за іонізаційним струмом в p—n-пере-ході та радіаційної стійкості МДН інтегральних схем за допомогою низькоенергетичного (10—40 кеВ) рентгенівського випромінювання. A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p—n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10—40 keV) X-rays.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51646
citation_txt Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 30-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT perevertailovl opredelenieradiacionnoistoikostiisspomoŝʹûnizkoénergetičeskogoizlučeniâ
AT perevertailovl viznačennâradíacíinoístíikostííszadopomogoûnizʹkoenergetičnogovipromínûvannâ
AT perevertailovl determinationofradiationresistanceofintegratedcircuitswiththeuseoflowenergyxradiation
first_indexed 2025-12-07T17:36:21Z
last_indexed 2025-12-07T17:36:21Z
_version_ 1850871886986084352