Вакив, Н., Круковский, С., Сукач, А., Тетёркин, В., Мрыхин, И., Михащук, Ю., & Круковский, Р. (2012). Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago Style (17th ed.) CitationВакив, Н.М, С.И Круковский, А.В Сукач, В.В Тетёркин, И.А Мрыхин, Ю.С Михащук, and Р.С Круковский. "Свойства двойных гетеропереходов P⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2012.
MLA (8th ed.) CitationВакив, Н.М, et al. "Свойства двойных гетеропереходов P⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.