Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии

Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p⁺-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесце...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2012
Автори: Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Сукач, А.В., Тетёркин, В.В., Мрыхин, И.А., Михащук, Ю.С., Круковский, Р.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Теми:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51666
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач, В.В. Тетёркин, И.А. Мрыхин, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51666
record_format dspace
spelling Вакив, Н.М.
Круковский, С.И.
Сукач, А.В.
Тетёркин, В.В.
Мрыхин, И.А.
Михащук, Ю.С.
Круковский, Р.С.
2013-12-06T14:44:42Z
2013-12-06T14:44:42Z
2012
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач, В.В. Тетёркин, И.А. Мрыхин, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51666
621.315.592
Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p⁺-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесценции таких структур имеют меньшую полуширину и более высокую мощность ИК-излучения, чем те, в которых (формируется р-п-переход в InGaAsP-слое. Гетероструктуры предназначены для создания эффективных ИК-светодиодов с длиной волны в максимуме спектра 1,06 мкм.
Отримано епітаксіальні гетеро структури р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в яких металургійна та електрична границі збігаються. Це досягається вирощуванням додаткового буферного шару n-InP і зменшенням часу вирощування емітерного p⁺-InP-шару, сильно легованого цинком. Спектри електролюмінесценції таких структур мають меншу напівширину та більш високу потужність ІЧ-випромінювання, ніж ті, в яких формується n-p-перехід в InGaAsP-шарі. Гетероструктури призначені для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з довжиною хвилі в максимумі спектра 1,06 мкм.
The double epitaxial р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing an emitter p⁺-InP layer heavily doped by zinc. Electroluminescence spectra of such structures have a smaller half-width and the infrared radiation of higher power than the structures in which the n-p-junction is formed in the InGaAsP layer. These heterostructures are designed to create efficient IRLEDs with wavelength of 1,06 μm in spectrum maximum.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, виготовлених методом рідкофазної епітаксії
Properties of double p⁺+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterojunctions obtained by LPE method
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
spellingShingle Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
Вакив, Н.М.
Круковский, С.И.
Сукач, А.В.
Тетёркин, В.В.
Мрыхин, И.А.
Михащук, Ю.С.
Круковский, Р.С.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
title_full Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
title_fullStr Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
title_full_unstemmed Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
title_sort свойства двойных гетеропереходов p⁺-inp/n-ingaasp/n-inp, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
author Вакив, Н.М.
Круковский, С.И.
Сукач, А.В.
Тетёркин, В.В.
Мрыхин, И.А.
Михащук, Ю.С.
Круковский, Р.С.
author_facet Вакив, Н.М.
Круковский, С.И.
Сукач, А.В.
Тетёркин, В.В.
Мрыхин, И.А.
Михащук, Ю.С.
Круковский, Р.С.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2012
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, виготовлених методом рідкофазної епітаксії
Properties of double p⁺+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterojunctions obtained by LPE method
description Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p⁺-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесценции таких структур имеют меньшую полуширину и более высокую мощность ИК-излучения, чем те, в которых (формируется р-п-переход в InGaAsP-слое. Гетероструктуры предназначены для создания эффективных ИК-светодиодов с длиной волны в максимуме спектра 1,06 мкм. Отримано епітаксіальні гетеро структури р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в яких металургійна та електрична границі збігаються. Це досягається вирощуванням додаткового буферного шару n-InP і зменшенням часу вирощування емітерного p⁺-InP-шару, сильно легованого цинком. Спектри електролюмінесценції таких структур мають меншу напівширину та більш високу потужність ІЧ-випромінювання, ніж ті, в яких формується n-p-перехід в InGaAsP-шарі. Гетероструктури призначені для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з довжиною хвилі в максимумі спектра 1,06 мкм. The double epitaxial р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing an emitter p⁺-InP layer heavily doped by zinc. Electroluminescence spectra of such structures have a smaller half-width and the infrared radiation of higher power than the structures in which the n-p-junction is formed in the InGaAsP layer. These heterostructures are designed to create efficient IRLEDs with wavelength of 1,06 μm in spectrum maximum.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51666
citation_txt Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач, В.В. Тетёркин, И.А. Мрыхин, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT vakivnm svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii
AT krukovskiisi svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii
AT sukačav svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii
AT teterkinvv svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii
AT mryhinia svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii
AT mihaŝukûs svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii
AT krukovskiirs svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii
AT vakivnm vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí
AT krukovskiisi vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí
AT sukačav vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí
AT teterkinvv vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí
AT mryhinia vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí
AT mihaŝukûs vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí
AT krukovskiirs vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí
AT vakivnm propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT krukovskiisi propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT sukačav propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT teterkinvv propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT mryhinia propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT mihaŝukûs propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT krukovskiirs propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
first_indexed 2025-12-07T16:05:31Z
last_indexed 2025-12-07T16:05:31Z
_version_ 1850866171979497472

Схожі ресурси