Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p⁺-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесце...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51666 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач, В.В. Тетёркин, И.А. Мрыхин, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862687094745333760 |
|---|---|
| author | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Сукач, А.В. Тетёркин, В.В. Мрыхин, И.А. Михащук, Ю.С. Круковский, Р.С. |
| author_facet | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Сукач, А.В. Тетёркин, В.В. Мрыхин, И.А. Михащук, Ю.С. Круковский, Р.С. |
| citation_txt | Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач, В.В. Тетёркин, И.А. Мрыхин, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p⁺-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесценции таких структур имеют меньшую полуширину и более высокую мощность ИК-излучения, чем те, в которых (формируется р-п-переход в InGaAsP-слое. Гетероструктуры предназначены для создания эффективных ИК-светодиодов с длиной волны в максимуме спектра 1,06 мкм.
Отримано епітаксіальні гетеро структури р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в яких металургійна та електрична границі збігаються. Це досягається вирощуванням додаткового буферного шару n-InP і зменшенням часу вирощування емітерного p⁺-InP-шару, сильно легованого цинком. Спектри електролюмінесценції таких структур мають меншу напівширину та більш високу потужність ІЧ-випромінювання, ніж ті, в яких формується n-p-перехід в InGaAsP-шарі. Гетероструктури призначені для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з довжиною хвилі в максимумі спектра 1,06 мкм.
The double epitaxial р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing an emitter p⁺-InP layer heavily doped by zinc. Electroluminescence spectra of such structures have a smaller half-width and the infrared radiation of higher power than the structures in which the n-p-junction is formed in the InGaAsP layer. These heterostructures are designed to create efficient IRLEDs with wavelength of 1,06 μm in spectrum maximum.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:05:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51666 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:05:31Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Сукач, А.В. Тетёркин, В.В. Мрыхин, И.А. Михащук, Ю.С. Круковский, Р.С. 2013-12-06T14:44:42Z 2013-12-06T14:44:42Z 2012 Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач, В.В. Тетёркин, И.А. Мрыхин, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51666 621.315.592 Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p⁺-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесценции таких структур имеют меньшую полуширину и более высокую мощность ИК-излучения, чем те, в которых (формируется р-п-переход в InGaAsP-слое. Гетероструктуры предназначены для создания эффективных ИК-светодиодов с длиной волны в максимуме спектра 1,06 мкм. Отримано епітаксіальні гетеро структури р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в яких металургійна та електрична границі збігаються. Це досягається вирощуванням додаткового буферного шару n-InP і зменшенням часу вирощування емітерного p⁺-InP-шару, сильно легованого цинком. Спектри електролюмінесценції таких структур мають меншу напівширину та більш високу потужність ІЧ-випромінювання, ніж ті, в яких формується n-p-перехід в InGaAsP-шарі. Гетероструктури призначені для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з довжиною хвилі в максимумі спектра 1,06 мкм. The double epitaxial р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing an emitter p⁺-InP layer heavily doped by zinc. Electroluminescence spectra of such structures have a smaller half-width and the infrared radiation of higher power than the structures in which the n-p-junction is formed in the InGaAsP layer. These heterostructures are designed to create efficient IRLEDs with wavelength of 1,06 μm in spectrum maximum. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, виготовлених методом рідкофазної епітаксії Properties of double p⁺+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterojunctions obtained by LPE method Article published earlier |
| spellingShingle | Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии Вакив, Н.М. Круковский, С.И. Сукач, А.В. Тетёркин, В.В. Мрыхин, И.А. Михащук, Ю.С. Круковский, Р.С. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title_alt | Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, виготовлених методом рідкофазної епітаксії Properties of double p⁺+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterojunctions obtained by LPE method |
| title_full | Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title_fullStr | Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title_full_unstemmed | Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title_short | Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title_sort | свойства двойных гетеропереходов p⁺-inp/n-ingaasp/n-inp, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51666 |
| work_keys_str_mv | AT vakivnm svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii AT krukovskiisi svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii AT sukačav svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii AT teterkinvv svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii AT mryhinia svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii AT mihaŝukûs svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii AT krukovskiirs svoistvadvoinyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznoiépitaksii AT vakivnm vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí AT krukovskiisi vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí AT sukačav vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí AT teterkinvv vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí AT mryhinia vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí AT mihaŝukûs vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí AT krukovskiirs vlastivostípodvíinihgeteroperehodívpinpningaaspninpvigotovlenihmetodomrídkofaznoíepítaksíí AT vakivnm propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT krukovskiisi propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT sukačav propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT teterkinvv propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT mryhinia propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT mihaŝukûs propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT krukovskiirs propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod |