Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p⁺-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесце...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51666 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач, В.В. Тетёркин, И.А. Мрыхин, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)
Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2011)
Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
за авторством: Сичікова, Я.О.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Сичікова, Я.О.
Опубліковано: (2011)
Formation of the regular porous structure of p-InP
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование регулярной пористой структуры р-InP
за авторством: Сычикова, Я.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Сычикова, Я.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution
за авторством: Sychikova, J.A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Sychikova, J.A., та інші
Опубліковано: (2010)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. F. Mitin, та інші
Опубліковано: (2020)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
за авторством: Колбасов, Г.Я., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Колбасов, Г.Я., та інші
Опубліковано: (2000)
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
A Note on the Recursive Sequence $x_{n + 1} = p_kx_n + p_{k − 1}x_{n − 1} +...+ p_1x_{n − k + 1}$
за авторством: Stevic, S., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Stevic, S., та інші
Опубліковано: (2003)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)