Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Сукач, А.В., Тетёркин, В.В., Мрыхин, И.А., Михащук, Ю.С., Круковский, Р.С.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51666
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач, В.В. Тетёркин, И.А. Мрыхин, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 27-30. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p⁺-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесце...