Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных с...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51668 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860133630987206656 |
|---|---|
| author | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. |
| author_facet | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. |
| citation_txt | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных соотношении их расходов и температуры осаждения, при которых обеспечиваются приемлемая скорость и однородность осаждения, а также управляемость по содержанию кислорода в пленках и конформное осаждение пленок ПКЛК.
Досліджено вплив умов осадження на склад плівок полікристалічного кремнію, легованого в процесі росту киснем (ПКЛК). Розроблено адсорбційно-кінетичну модель процесу осадження ПКЛК з використанням концентрованого моносилану і закису азоту. Визначено область оптимальних співвідношень їх витрат та температур осадження, при яких забезпечуються прийнятна швидкість і однорідність осадження, а також керованість за вмістом кисню у плівках ПКЛК і конформне осадження плівок ПКЛК.
The influence of deposition conditions on composition of in-situ oxygen doped polysilicon films has been investigated. A kinetic model of adsorption-deposition process using concentrated silane and nitrous oxide has been developed. The range of optimal ratios of silane and nitrous oxide flows and deposition temperature, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, controllability of oxygen content in films and conformal deposition, have been determined.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:46:07Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 2 37
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
ÓÄÊ 621.382.002
Î. Þ. ÍÀËÈÂÀÉÊÎ, ä. ò. í. À. Ñ. ÒÓÐÖÅÂÈ×
Ðåñïóáëèêà Áåëàðóñü, ã. Ìèíñê, ÎÀÎ «Èíòåãðàë»
E-mail: onalivaiko@integral.by
ÊÈÍÅÒÈÊÀ ÏÐÎÖÅÑÑÎÂ ÎÑÀÆÄÅÍÈß ÏËÅÍÎÊ
ÏÎËÈÊÐÅÌÍÈß, ËÅÃÈÐÎÂÀÍÍÎÃÎ ÊÈÑËÎÐÎÄÎÌ
 ÏÐÎÖÅÑÑÅ ÐÎÑÒÀ
Ïëåíêè ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ (ÏÊ),
ïîëó÷àåìûå ïðè ïîíèæåííîì äàâëåíèè, øèðîêî
èñïîëüçóþòñÿ â òåõíîëîãèè èçãîòîâëåíèÿ àêòèâ-
íûõ è ïàññèâíûõ ýëåìåíòîâ èíòåãðàëüíûõ ñõåì.
Áîëüøîé èíòåðåñ âûçûâàåò ïðîöåññ îñàæäåíèÿ
ïëåíîê ÏÊ ñ îäíîâðåìåííûì åãî ëåãèðîâàíèåì.
Èñïîëüçîâàíèå ïëåíîê ïîëóèçîëèðóþùåãî
êðåìíèÿ (ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ, ëåãè-
ðîâàííîãî êèñëîðîäîì — ÏÊËÊ) ïîçâîëÿåò ïî-
âûñèòü ñòàáèëüíîñòü çàðÿäîâûõ ñîñòîÿíèé ïàñ-
ñèâèðóþùèõ ïîêðûòèé, èñêëþ÷èòü îáðàçîâàíèå
ïàðàçèòíûõ êàíàëîâ è ïîâûñèòü ïðîáèâíûå íà-
ïðÿæåíèÿ äèñêðåòíûõ âûñîêîâîëüòíûõ ïðèáî-
ðîâ [1—6], ò. ê. â íèõ ïîëíîñòüþ îòñóòñòâóåò
õàðàêòåðíûé äëÿ ïëåíîê äèîêñèäà êðåìíèÿ ýô-
ôåêò çàõâàòà èíæåêòèðîâàííûõ â ïðîöåññå ëà-
âèííîãî ïðîáîÿ ãîðÿ÷èõ íîñèòåëåé, êîòîðûé âû-
çûâàåò äåãðàäàöèþ âîëüò-àìïåðíûõ è øóìîâûõ
õàðàêòåðèñòèê ïðèáîðîâ. Êðîìå òîãî, ïëåíêè ïî-
ëóèçîëèðóþùåãî êðåìíèÿ ìîãóò èñïîëüçîâàòüñÿ
äëÿ ôîðìèðîâàíèÿ âûñîêîîìíûõ ðåçèñòîðîâ âìå-
ñòî ïîëèêðåìíèåâûõ ðåçèñòîðîâ, êîòîðûå èìåþò
áîëüøîé ðàçáðîñ çíà÷åíèé ñîïðîòèâëåíèÿ è âû-
ñîêèé òåìïåðàòóðíûé êîýôôèöèåíò [5—7].
Ïëåíêè ïîëóèçîëèðóþùåãî êðåìíèÿ ïîëó÷à-
þò îêèñëåíèåì ìîíîñèëàíà SiH4 çàêèñüþ àçîòà
N2O [5, 6]. Íåñìîòðÿ íà áîëüøîå êîëè÷åñòâî
ïóáëèêàöèé î ïðîöåññå îñàæäåíèÿ è ñâîéñòâàõ
ïëåíîê ÏÊËÊ, ñâåäåíèÿ î êèíåòèêå îñàæäåíèÿ
ÏÊËÊ ïðè ïîíèæåííîì äàâëåíèè ÿâëÿþòñÿ íå-
äîñòàòî÷íî ïîëíûìè. Ïîëó÷åííûå â ðÿäå ðàáîò
àíàëèòè÷åñêèå âûðàæåíèÿ íà îñíîâå ïðåäïîëî-
æåíèé î ãåòåðîãåííîñòè ðåàêöèè è àäñîðáöèè
Ëåíãìþðà íå ïîçâîëÿþò êîëè÷åñòâåííî îïèñàòü
çàâèñèìîñòè ñêîðîñòè îñàæäåíèÿ ÏÊËÊ îò ïàð-
öèàëüíûõ äàâëåíèé ìîíîñèëàíà è çàêèñè àçîòà
[8]. Ñ äðóãîé ñòîðîíû, êàê ïîêàçàíî â [9], ìî-
Èññëåäîâàíî âëèÿíèå óñëîâèé îñàæäåíèÿ íà ñîñòàâ ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ, ëåãèðî-
âàííîãî â ïðîöåññå ðîñòà êèñëîðîäîì (ÏÊËÊ). Ðàçðàáîòàíà àäñîðáöèîííî-êèíåòè÷åñêàÿ ìîäåëü
ïðîöåññà îñàæäåíèÿ ÏÊËÊ ñ èñïîëüçîâàíèåì êîíöåíòðèðîâàííîãî ìîíîñèëàíà è çàêèñè àçîòà. Îïðå-
äåëåíà îáëàñòü îïòèìàëüíûõ ñîîòíîøåíèé èõ ðàñõîäîâ è òåìïåðàòóðû îñàæäåíèÿ, ïðè êîòîðûõ
îáåñïå÷èâàþòñÿ ïðèåìëåìàÿ ñêîðîñòü è îäíîðîäíîñòü îñàæäåíèÿ, à òàêæå óïðàâëÿåìîñòü ïî ñîäåð-
æàíèþ êèñëîðîäà â ïëåíêàõ è êîíôîðìíîå îñàæäåíèå ïëåíîê ÏÊËÊ.
Êëþ÷åâûå ñëîâà: ïîëèêðèñòàëëè÷åñêèé êðåìíèé, àäñîðáöèîííî-êèíåòè÷åñêàÿ ìîäåëü, ïðîöåññ îñàæ-
äåíèÿ ïëåíîê.
äåëü Ëåíãìþðà íåïðèãîäíà äëÿ îïèñàíèÿ àä-
ñîðáöèè áîëüøèíñòâà ãàçîâ íà ðåàëüíîé ïîâåðõ-
íîñòè òâåðäîãî òåëà.
 íàñòîÿùåé ðàáîòå èññëåäîâàëàñü êèíåòèêà
ïðîöåññîâ îñàæäåíèÿ ïëåíîê ÏÊËÊ â ñèñòåìå
«êîíöåíòðèðîâàííûé ìîíîñèëàí — çàêèñü àçî-
òà» â ãîðèçîíòàëüíîì ðåàêòîðå ïîíèæåííîãî äàâ-
ëåíèÿ ñ ãîðÿ÷èìè ñòåíêàìè ñ ïðåäâàðèòåëüíûì
ðàññìîòðåíèåì êèíåòèêè ðîñòà íåëåãèðîâàííûõ
ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ.
Ìåòîäèêà ïðîâåäåíèÿ ýêñïåðèìåíòà
 êà÷åñòâå ïîäëîæåê èñïîëüçîâàëè ïëàñòèíû
êðåìíèÿ, ëåãèðîâàííîãî áîðîì, äèàìåòðîì 100 ìì
ñ îðèåíòàöèåé (100) è óäåëüíûì ñîïðîòèâëåíè-
åì 12 Îì⋅ñì, íà êîòîðûõ ïðåäâàðèòåëüíî âûðà-
ùèâàëñÿ òåðìè÷åñêèé îêñèä êðåìíèÿ òîëùèíîé
42,5±2,5 íì.  êà÷åñòâå ðåàãåíòîâ èñïîëüçîâàëè
êîíöåíòðàò ìîíîñèëàíà è çàêèñü àçîòà ýëåêòðîí-
íîãî êëàññà ÷èñòîòû.
Òåìïåðàòóðó îñàæäåíèÿ Òîñ èçìåíÿëè îò 650
äî 750°Ñ. Òåìïåðàòóðíûé ïðîôèëü ïîääåðæè-
âàëè ñ òî÷íîñòüþ ±1°Ñ. Ðàáî÷åå äàâëåíèå PΣ èç-
ìåíÿëîñü â äèàïàçîíå 24—53 Ïà. Ïðè îñàæäå-
íèè ïëåíîê ÏÊ áåç ëåãèðîâàíèÿ ïàðöèàëüíîå
äàâëåíèå ìîíîñèëàíà PSiH4
èçìåíÿëè ïóòåì äî-
áàâëåíèÿ â ãàçîâóþ ñìåñü àçîòà.
Ïðè îñàæäåíèè ÏÊËÊ ñîîòíîøåíèå ðàñõî-
äîâ N2O è SiH4 (γ) èçìåíÿëè îò 0,05 äî 1,0
ïóòåì èçìåíåíèÿ ðàñõîäà çàêèñè àçîòà.
Çàãðóçêà-âûãðóçêà ïîäëîæåê — áåñêîíòàêòíàÿ,
ñ èñïîëüçîâàíèåì êîíñîëè èç êàðáèäà êðåìíèÿ.
Òîëùèíó îñàæäåííûõ ïëåíîê îïðåäåëÿëè ïðè
ïîìîùè ñïåêòðîôîòîìåòðà MPV-SP «Leitz».
Îïðåäåëåíèå ñîäåðæàíèÿ êèñëîðîäà â ïëåíêàõ
ÏÊËÊ ïðîâîäèëè ïðè ïîìîùè Îæå-ñïåêòðîìåò-
ðèè íà óñòàíîâêå PHI-660.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 238
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
Êèíåòèêà ðîñòà ïëåíîê íåëåãèðîâàííîãî ÏÊ
Äëÿ îïèñàíèÿ êèíåòèêè ðîñòà ïëåíîê íåëåãè-
ðîâàííîãî ÏÊ, ïîëó÷åííûõ ïèðîëèçîì êîíöåí-
òðèðîâàííîãî ìîíîñèëàíà (ïðè ðàñõîäå çàêèñè
àçîòà, ðàâíîì íóëþ), èñïîëüçîâàëè àäñîðáöè-
îííî-êèíåòè÷åñêóþ ìîäåëü, ïðåäëîæåííóþ â [10,
11]. Ñîãëàñíî ýòîé ìîäåëè, õèìè÷åñêàÿ ðåàêöèÿ
îñàæäåíèÿ ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåì-
íèÿ ÿâëÿåòñÿ ãåòåðîãåííîé ðåàêöèåé 1-ãî ïîðÿä-
êà, è õàðàêòåðèñòèêàìè ïðîöåññà îñààæäåíèÿ
ÿâëÿþòñÿ:
— êîíñòàíòà K ñêîðîñòè ïðîòåêàíèÿ ðåàêöèè
ïðè ôèêñèðîâàííîé òåìïåðàòóðå;
— êîíñòàíòà β=KγτS0 (τ — ñðåäíåå âðåìÿ
ïðåáûâàíèÿ ìîëåêóë ìîíîñèëàíà íà ïîâåðõíî-
ñòè, S0 — íà÷àëüíîå çíà÷åíèå âåðîÿòíîñòè èõ
«ïðèëèïàíèÿ» ê ïîâåðõíîñòè);
— ïðîèçâåäåíèå τS0;
— êîýôôèöèåíò K1, ó÷èòûâàþùèé êîíñòàí-
òû ñêîðîñòè äåñîðáöèè è àäñîðáöèè íà õåìîñîðá-
öèîííûõ öåíòðàõ è êîýôôèöèåíò êîíäåíñàöèè;
Äëÿ èññëåäîâàíèÿ êèíåòèêè ïðîöåññà áûëè
ïîëó÷åíû ýêñïåðèìåíòàëüíûå çàâèñèìîñòè ñêî-
ðîñòè îñàæäåíèÿ ïëåíêè V îò ïàðöèàëüíîãî äàâ-
ëåíèÿ ìîíîñèëàíà (ðèñ. 1) è èñïîëüçîâàíà ìå-
òîäèêà, èçëîæåííàÿ â [11]. Ðåçóëüòàòû, ïîëó-
÷åííûå ïðè ðàçëè÷íûõ çíà÷åíèÿõ äàâëåíèÿ è
òåìïåðàòóðû ïðîöåññà îñàæäåíèÿ, ïðèâåäåíû â
òàáë. 1 è íà ðèñ. 2.
Èç òàáë. 1 âèäíî, ÷òî ïðè óâåëè÷åíèè òåìïå-
ðàòóðû îñàæäåíèÿ çíà÷åíèÿ K è β âîçðàñòàþò, à
τS0 óìåíüøàåòñÿ. Ñ óâåëè÷åíèåì îáùåãî äàâëå-
íèÿ â ðåàêòîðå íàáëþäàåòñÿ âîçðàñòàíèå K, β è
τS0.  òî æå âðåìÿ, äëÿ âåëè÷èíû K1 íå áûëî
îáíàðóæåíî ñèñòåìàòè÷åñêèõ èçìåíåíèé.
Ïîñêîëüêó K=const ïðè ôèêñèðîâàííîé Òoc,
èç ðèñ. 2, à ìîæíî óâèäåòü, êàê èçìåíÿåòñÿ âå-
ðîÿòíîñòü ïðèëèïàíèÿ S ìîëåêóë ìîíîñèëàíà ê
ïîâåðõíîñòè îñàæäåíèÿ ïî ìåðå ðîñòà ñòåïåíè
çàïîëíåíèÿ àäñîðáöèîííûõ öåíòðîâ θ: óâåëè÷å-
íèå òåìïåðàòóðû îñàæäåíèÿ ïðèâîäèò ê ñìåùå-
íèþ êðèâûõ â ñòîðîíó óâåëè÷åíèÿ Kθ è ê òîìó,
÷òî íèñõîäÿùèé ó÷àñòîê ñòàíîâèòñÿ áîëåå ïîëî-
ãèì. Ýòè çàâèñèìîñòè ñâèäåòåëüñòâóþò î òîì,
÷òî ïðè áîëåå íèçêèõ òåìïåðàòóðàõ ñ óâåëè÷å-
íèåì PSiH4
ñòåïåíü íàñûùåíèÿ èçìåíÿåòñÿ áûñ-
òðåå, ÷åì ïðè âûñîêèõ, ïðè ýòîì âåðîÿòíîñòü
ïðèëèïàíèÿ óìåíüøàåòñÿ òîæå áûñòðåå. Â òî æå
âðåìÿ, êàê âèäíî èç ðèñ. 2, á, èçìåíåíèå ñóì-
ìàðíîãî äàâëåíèÿ â ðåàêòîðå íå îêàçûâàåò ñó-
ùåñòâåííîãî âëèÿíèÿ íà âåëè÷èíó S.
Êèíåòèêà ðîñòà ïëåíîê ÏÊËÊ
Êàê îòìå÷àëîñü, íàïðèìåð, â [12], ââåäåíèå
ëåãèðóþùèõ äîáàâîê ïðèâîäèò ê óìåíüøåíèþ
ñêîðîñòè îñàæäåíèÿ è ñóùåñòâåííî èçìåíÿåò êè-
íåòèêó îñàæäåíèÿ ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñêî-
ãî êðåìíèÿ. Ðàññìîòðèì ïðèâåäåííûå íà ðèñ. 3
ýêñïåðèìåíòàëüíûå çàâèñèìîñòè, êîòîðûå áûëè
Òàáëèöà 1
Çíà÷åíèÿ êîíñòàíò, õàðàêòåðèçóþùèõ ïðîöåññ
îñàæäåíèÿ ïëåíîê ÏÊ
PΣ, Ïà Òîñ, °Ñ K, c–1 K1
τS0,
10–15 ñ
β,
1023 í–1ñ–1
24 4,21 0,994 4,768 3,073
33,25 4,29 1,01 5,070 3,330
40 4,36 1,01 5,291 3,531
49 4,33 1,06 5,736 3,802
650
4,35 0,99 5,882 3,917
700 16,7 1,0 3,418 8,510 53
750 61,4 1,0 2,096 18,70
Ðèñ. 2. Çàâèñèìîñòü îòíîøåíèÿ S/S0 îò Kθ ïðè îñàæ-
äåíèè ïëåíîê íåëåãèðîâàííîãî ÏÊ äëÿ ðàçëè÷íûõ
çíà÷åíèé Òîñ (à) è PΣ (á)
1000
100
10
1
0 10 20 30 40 PSiH4
, Ïà
V
,
íì
/
ì
èí
750°Ñ, 53 Ïà
700°Ñ, 53 Ïà
650°Ñ, 53 Ïà
Tîñ=650°Ñ, PΣ=24 Ïà
Ðèñ. 1. Çàâèñèìîñòü ñêîðîñòè îñàæäåíèÿ ïëåíîê
íåëåãèðîâàííîãî ÏÊ îò ïàðöèàëüíîãî äàâëåíèÿ ìîíî-
ñèëàíà äëÿ ðàçëè÷íûõ çíà÷åíèé Tîñ è PΣ
650°Ñ, 40 Ïà
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0 5 10 15 20 25 Kθ, ñ–1
à)
PΣ = 53 Ïà
Tîñ = 750°Ñ
700°Ñ
650°Ñ
S
/
S
0
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Kθ, ñ–1
á)
Tîñ = 650°Ñ
PΣ = 40 Ïà
49 Ïà
53 Ïà
24 Ïà
33,3 Ïà
S
/
S
0
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 2 39
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
èñïîëüçîâàíû äëÿ èçó÷åíèÿ êèíåòèêè ïðîöåññà
ïî ìåòîäèêå, ïðèâåäåííîé â [11].
 îòëè÷èå îò ïëàâíîé çàâèñèìîñòè ñêîðîñòè
îñàæäåíèÿ îò ïàðöàëüíîãî äàâëåíèÿ çàêèñè àçî-
òà PN2O ïðè Òîñ=650°Ñ, ïðè òåìïåðàòóðå îñàæäå-
íèÿ 700 è 750°Ñ íàáëþäàåòñÿ ðåçêîå óìåíüøå-
íèå V ïðè óâåëè÷åíèè PN2O äî 2—3 Ïà. Îäíàêî
â îáëàñòè âûñîêèõ äàâëåíèé ñêîðîñòü îñàæäå-
íèÿ ïåðåñòàåò çàâèñåòü îò òåìïåðàòóðû (ãðàôè-
êè âñåõ òðåõ çàâèñèìîñòåé ïðàêòè÷åñêè ñîâïàäà-
þò), ÷òî ñâèäåòåëüñòâóåò î êîíêóðåíòíîì õàðàê-
òåðå àäñîðáöèè ìîíîñèëàíà è çàêèñè àçîòà îä-
íèìè è òåìè æå öåíòðàìè àäñîðáöèè [12].
Ïðè îñàæäåíèè ïëåíîê ÏÊËÊ â ñèñòåìå «êîí-
öåíòðèðîâàííûé ìîíîñèëàí — çàêèñü àçîòà» ñî-
îòíîøåíèå S/S0 áóäåò çàâèñåòü îò ñóììàðíîé
ñòåïåíè çàïîëíåíèÿ ïîâåðõíîñòè θΣ ìîëåêóëàìè
SiH4 è N2O. Çíà÷åíèÿ θΣ áûëè îïðåäåëåíû ñî-
ãëàñíî [11] ñ èñïîëüçîâàíèåì ýêñïåðèìåíòàëü-
íûõ çàâèñèìîñòåé ðèñ. 3 è ñîîòâåòñòâóþùèõ çíà-
÷åíèé Ê, Ê1 è β (òàáë. 1). Ñòåïåíü çàïîëíåíèÿ
ïîâåðõíîñòè çàêèñüþ àçîòà θN2O
ðàâíà ðàçíîñòè
ìåæäó θΣ è θSiH4
. Òèïè÷íûå çàâèñèìîñòè θΣ, θSiH4
è θN2O
îò ïàðöèàëüíîãî äàâëåíèÿ N2O ïðåäñòàâ-
ëåíû íà ðèñ. 4. Ðàñ÷åòû ïîêàçûâàþò, ÷òî óæå
ïðè PN2O
áîëåå 2 Ïà çíà÷åíèå ñóììàðíîé ñòåïå-
íè çàïîëíåíèÿ àäñîðáöèîííûõ öåíòðîâ îïðåäå-
ëÿåòñÿ â îñíîâíîì àäñîðáöèåé çàêèñè àçîòà.
Êîíòàêòû, õàðàêòåðèçóþùèå ïðîöåññ îñàæ-
äåíèÿ ïëåíîê ÏÊËÊ, áûëè ïîëó÷åíû â ñîîò-
âåòñòâèè ñ [11] è ïðèâåäåíû â òàáë. 2 (îáîçíà÷å-
íèÿ òå æå, ÷òî è â òàáë. 1, øòðèõ óêàçûâàåò íà
îòíîøåíèå ê ïëåíêàì ÏÊËÊ).
Äëÿ îöåíêè ìåõàíèçìà àäñîðáöèè çàêèñè àçîòà
äëÿ êàæäîãî èç èññëåäîâàííûõ çíà÷åíèé òåìïåðà-
òóðû è ñóììàðíîãî äàâëåíèÿ áûëè ïîñòðîåíû çà-
âèñèìîñòè âñïîìàãàòåëüíîé ôóíêöèè z (ñì. [11])
îò 1–θΣ ñ èñïîëüçîâàíèåì ñîîòâåòñòâóþùèõ çíà-
÷åíèé β′ è ðàñ÷åòíûõ çàâèñèìîñòåé θΣ è θN2O
îò
ÐN2O
.  îòëè÷èå îò ïðîöåññà îñàæäåíèÿ ïëåíîê
ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ, ëåãèðîâàííûõ â
ïðîöåññå ðîñòà ôîñôîðîì, ýòè çàâèñèìîñòè èìå-
þò ëèíåéíûé õàðàêòåð (ðèñ. 5), ÷òî ñâèäåòåëü-
ñòâóåò î íåäèññîöèàòèâíîì õàðàêòåðå àäñîðáöèè
ìîëåêóë çàêèñè àçîòà.
Êàê âèäíî èç òàáë. 2, çíà÷åíèÿ K1′ íàìíîãî
ìåíüøå 1, ñëåäîâàòåëüíî, äëÿ çàêèñè àçîòà êî-
ýôôèöèåíò àäñîðáöèè íàìíîãî áîëüøå êîýôôè-
öèåíòà äåñîðáöèè.
Òåîðåòè÷åñêèå çàâèñèìîñòè ñêîðîñòè îñàæäå-
íèÿ îò ïàðöèàëüíîãî äàâëåíèÿ ÐN2O
, ïîëó÷åí-
íûå ïðè ïîìîùè ðàçðàáîòàííîé ìîäåëè, õîðî-
øî àïïðîêñèìèðóþò ýêñïåðèìåíòàëüíûå ðåçóëü-
òàòû è ñîãëàñóþòñÿ ñ ðåçóëüòàòàìè [14—16], îñ-
íîâàííûìè íà ìíîãîìàðøðóòíîñòè ïðîöåññà îñàæ-
äåíèÿ ïëåíîê â ñèñòåìå SiH4—N2O. Íåîáõîäèìî
îòìåòèòü, ÷òî ãàçîôàçíîå ðàçëîæåíèå çàêèñè àçîòà
ìîæåò ñ çàìåòíîé ñêîðîñòüþ ïðîòåêàòü ëèøü ïðè
òåìïåðàòóðàõ âûøå 1000°Ñ [8].
300
200
100V
,
íì
/
ì
èí
0 4 8 12 ÐN2O
, Ïà
Ðèñ. 3. Çàâèñèìîñòè ñêîðîñòè îñàæäåíèÿ ïëåíîê ÏÊËÊ
îò ïàðöèàëüíîãî äàâëåíèÿ çàêèñè àçîòà äëÿ ðàçëè÷-
íûõ çíà÷åíèé Òîñ
PΣ = 53 Ïà
700°C
650°C
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0 2 4 6 ÐN2O, Ïà
Ðèñ. 4. Çàâèñèìîñòè θΣ, à òàêæå ñòåïåíè çàïîëíåíèÿ
ïîâåðõíîñòè ìîëåêóëàìè SiH4 (θSiH4
) è N2O (θN2O
)
îò PN2O
ïðè Òîñ= 650°Ñ è PΣ = 40 Ïà
θΣ
θSiH4
θN2O
Ñ
òå
ïå
íü
ç
àï
îë
íå
íè
ÿ
ïî
âå
ðõ
íî
ñò
è
T, °Ñ
PΣ,
Ïà
PN2O
, Ïà K1′ β′ τS0′,
10–4 ñ
24 0—12,0 0—0,023 0,189374 1,1584
40 0—13,3 0—0,0237 0,188868 1,1553 650
53 0—17,7 0—0,0127 0,173761 1,0629
700 53 0—17,7 0—0,156 0,208966 1,3124
750 53 0—4,8 0,13—0,15 0,233162 1,5015
Òàáëèöà 2
Çíà÷åíèÿ êîíñòàíò, õàðàêòåðèçóþùèõ ïðîöåññ
îñàæäåíèÿ ïëåíîê ÏÊËÊ
Ðèñ. 5. Òèïè÷íàÿ çàâèñèìîñòü z îò 1–θΣ
z
0,12
0,08
0,04
0
0,05 0,10 0,15 0,20 1–θΣ
Tîñ = 750°Ñ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 240
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
Ïî ìåðå óâåëè÷åíèÿ îòíîøåíèÿ ðàñõîäîâ N2O
è SiH4 ñòèìóëèðóåòñÿ ïðîòåêàíèå ãàçîôàçíûõ
ïðîöåññîâ ïîëèìåðèçàöèè ñèëàíà ñ îáðàçîâàíè-
åì ñèëèëåíà, à òàêæå áîëåå âûñîêèõ ñèëàíîâ è
ñèëèëåíîâ, êîòîðûå òîæå îêèñëÿþòñÿ çàêèñüþ
àçîòà è âñòðàèâàþòñÿ â ðàñòóùóþ ïëåíêó [16].
Èçâåñòíî, ÷òî íà ïëîñêîé ïîâåðõíîñòè âêëàä
ìîíîñèëàíà â ðîñò ïëåíêè óìåíüøàåòñÿ ïðè âîç-
ðàñòàíèè ïðîöåíòíîãî ñîäåðæàíèÿ çàêèñè àçîòà
[17]. Ýòî ïðèâîäèò ê áîëüøåìó âêëàäó â ïðî-
öåññ îñàæäåíèÿ ðàäèêàëîâ ñèëèëåíà è ê óìåíü-
øåíèþ îáùåé ñêîðîñòè îñàæäåíèÿ. Ïðè ïèðî-
ëèçå ìîíîñèëàíà (êîýôôèöèåíò ïðèëèïàíèÿ 10–3
[17]) áóäåò ïðîèñõîäèòü îäíîðîäíîå îñàæäåíèå
â ëþáîì ìåñòå òîïîëîãè÷åñêîãî ðåëüåôà. Ñ äðó-
ãîé ñòîðîíû, ñèëèëåí, êîýôôèöèåíò ïðèëèïà-
íèÿ êîòîðîãî áëèçîê ê åäèíèöå, áóäåò áûñòðî
âñòóïàòü â ðåàêöèþ íà ïëîñêîé ïîâåðõíîñòè è
ñèëüíî îáåäíÿòüñÿ íà âåðòèêàëüíîé ñòóïåíüêå
(èëè ñòåíêå êàíàâêè). Ïîýòîìó îñíîâíîé âêëàä
â ðîñò ïëåíêè ÏÊËÊ íà ïîâåðõíîñòè âíîñèò ñè-
ëèëåí, à íà áîêîâûõ ñòåíêàõ òîïîëîãè÷åñêîãî ðå-
ëüåôà — ìîíîñèëàí. Î÷åâèäíî, ÷òî óìåíüøå-
íèå ñîîòíîøåíèÿ ðàñõîäîâ N2O è SiH4 ïîçâîëÿ-
åò ïîâûñèòü êîíôîðìíîñòü âîñïðîèçâåäåíèÿ òî-
ïîëîãè÷åñêîãî ðåëüåôà.
Íà ðèñ. 6 ïîêàçàíû îáëàñòè ôîðìèðîâàíèÿ
ïðîäóêòîâ ðåàêöèè SiH4 è N2O ïðè òåìïåðàòóðå
650°Ñ [14]. Â îáëàñòè I ïðîèñõîäèò ðîñò òîíêîãî
áåçäåôåêòíîãî ñëîÿ äèîêñèäà êðåìíèÿ [18], â
îáëàñòè II íà ïîâåðõíîñòè ñëîÿ ïðîÿâëÿþòñÿ âè-
äèìûå ÷åðåç îïòè÷åñêèé ìèêðîñêîï ÷àñòèöû, â
îáëàñòè III ïðîèñõîäèò ìàññîâîå îáðàçîâàíèå ÷à-
ñòèö â ãàçîâîé ôàçå è ïîÿâëåíèå ìèêðîíèçèðî-
âàííîãî ïîðîøêà SiO2 (àýðîñèëà). Âèäíî, ÷òî
ïðè ïàðöèàëüíûõ äàâëåíèÿõ ìîíîñèëàíà áîëåå
20 Ïà çàìåòåí âêëàä ãàçîôàçíûõ ðåàêöèé.
 [12] áûëî ïîêàçàíî, ÷òî ïðè òåìïåðàòóðå
650°Ñ â äèàïàçîíå çíà÷åíèé γ îò 0,05 äî 1,0 ïðîèñ-
õîäèò îáðàçîâàíèå ïëåíîê ÏÊËÊ, à ïðè γ>1,0 —
ïëåíîê ïåðåõîäíîãî ñîñòàâà SiOx, áëèçêèõ ê SiO2.
Ïî ìåðå óâåëè÷åíèÿ òåìïåðàòóðû îñàæäåíèÿ äî
750°Ñ îáëàñòü, â êîòîðîé ïðîèñõîäèò îáðàçîâà-
íèå ÏÊËÊ, ñóæàåòñÿ, ïîýòîìó ïðè òåìïåðàòóðå
650°Ñ ïðîöåññ îñàæäåíèÿ ÏÊËÊ ÿâëÿåòñÿ áîëåå
óïðàâëÿåìûì ïî ñîäåðæàíèþ êèñëîðîäà.
Çàêëþ÷åíèå
Àäñîðáöèîííî-êèíåòè÷åñêàÿ ìîäåëü îñàæäå-
íèÿ ïëåíêè, ïðåäëîæåííàÿ â [11] è óòî÷íåííàÿ
äëÿ ñèñòåìû «êîíöåíòðèðîâàííûé ìîíîñèëàí —
çàêèñü àçîòà», ïîçâîëèëà óñòàíîâèòü, ÷òî äëÿ
äîñòèæåíèÿ ïðèåìëåìûõ ñêîðîñòåé è îäíîðîä-
íîñòè îñàæäåíèÿ ïëåíîê ÏÊËÊ íóæíî îáåñïå-
÷èòü ìàêñèìàëüíî âîçìîæíóþ ñòåïåíü çàïîëíå-
íèÿ àäñîðáöèîííûõ öåíòðîâ ìîëåêóëàìè ìîíî-
ñèëàíà. Ïðîâåäåííûå èññëåäîâàíèÿ ïîêàçàëè, ÷òî
íà ïðàêòèêå öåëåñîîáðàçíûì ðåæèìîì îñàæäå-
íèÿ ïëåíîê ÏÊËÊ ÿâëÿåòñÿ òåìïåðàòóðà 650°Ñ,
ñóììàðíîå äàâëåíèå ïîðÿäêà 24—40 Ïà è ñîîò-
íîøåíèå ðàñõîäîâ N2O è SiH4 γ=0,1—0,25. Ïðè
òàêèõ óñëîâèÿõ åùå íå ïðîèñõîäèò áëîêèðîâà-
íèÿ àäñîðáöèè ìîíîñèëàíà ìîëåêóëàìè çàêèñè
àçîòà è îáåñïå÷èâàåòñÿ õîðîøàÿ óïðàâëÿåìîñòü
ïðîöåññà ïî ñîäåðæàíèþ êèñëîðîäà â ïëåíêå ïðè
ïðèåìëåìûõ ñêîðîñòÿõ îñàæäåíèÿ, à òàêæå êîí-
ôîðìíîå îñàæäåíèå ïëåíîê ÏÊËÊ. Ïðè γ>0,25
è ïðè ñóììàðíîì äàâëåíèè âûøå 50 Ïà âîçðà-
ñòàåò âêëàä ãàçîôàçíûõ ïðîöåññîâ ïîëèìåðèçà-
öèè ñèëàíà ñ îáðàçîâàíèåì ñèëèëåíà, à òàêæå
áîëåå âûñîêèõ ñèëàíîâ è ñèëèëåíîâ, êîòîðûå òàê-
æå îêèñëÿþòñÿ çàêèñüþ àçîòà è âñòðàèâàþòñÿ â
ðàñòóùóþ ïëåíêó, îäíàêî ïðè ýòîì óõóäøàåòñÿ
êîíôîðìíîñòü îñàæäåíèÿ.
Îòìåòèì, ÷òî óñòàíîâëåííûå çàêîíîìåðíîñòè
ðîñòà ïëåíîê ÏÊËÊ ìîãóò áûòü èñïîëüçîâàíû
ïðè ðàçðàáîòêå ïðîöåññîâ îñàæäåíèÿ ïëåíêè ñ
çàäàííûìè ñâîéñòâàìè íà ïëàñòèíàõ äèàìåòðîì
äî 200 ìì êàê â ãîðèçîíòàëüíûõ, òàê è â âåð-
òèêàëüíûõ ðåàêòîðàõ ïîíèæåííîãî äàâëåíèÿ,
à òàêæå äëÿ ïîëó÷åíèÿ ñëîåâ îêñèäà êðåìíèÿ
ñ íàíîêðèñòàëëàìè êðåìíèÿ.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1.Turtsevich A. S., Nalivaiko O. Y., Lesnikova V. P. et al.
The effect of pressure and N2O/SiH4 ratio on the properties of
SIPOS films // Books of Abstracts, International Conference
“Micro- and Nanoelectronics 2005”.— 2005.— Russia, Moscow,
Zvenigorod.— P. 31.
2.Mimura À., Oohayashi M., Furakami S., Momma N. High-
voltage planar structure using SiO2-SIPOS-SiO2 film // IEEE
Electron. Device Lett.— 1985.— Vol. EDL-6.— P. 189—191.
3.Áëèõåð À. Ôèçèêà ñèëîâûõ áèïîëÿðíûõ è ïîëåâûõ
òðàíçèñòîðîâ / Ïîä ðåä. È. Â. Ãðåõîâà.— Ëåíèíãðàä: Ýíåð-
ãîàòîìèçäàò, 1986. [Blikher A. Fizika silovykh bipolyarnykh i
polevykh tranzistorov / Pod red. I. V. Grekhova. Leningrad:
Energoatomizdat, 1986.]
4.Òóðöåâè÷ À. Ñ., Íàëèâàéêî Î. Þ., Àíóôðèåâ Ë. Ï. è
äð. Ñòðóêòóðíî-ìîðôîëîãè÷åñêèå è ýëåêòðîôèçè÷åñêèå ñâîé-
ñòâà ïëåíîê ïîëóèçîëèðóþùåãî êðåìíèÿ // Âàêóóìíàÿ òåõíè-
êà è òåõíîëîãèÿ.— 2006.— Ò. 16.— ¹ 4.— C. 259—266.
[Turtsevich A. S., Nalivaiko O. Yu., Anufriev L. P. i dr. //
Vakuumnaya tekhnika i tekhnologiya. 2006. Vol. 16. N 4. P. 259]
5.Kamins T. Polycrystalline silicon for integrated circuits
and displays.— Kluwer Academic Publishers.— 1998.— P. 1—86,
245—313.
6.Òóðöåâè÷ À. Ñ., Àíóôðèåâ Ë. Ï. Ïëåíêè ïîëèêðèñòàë-
ëè÷åñêîãî êðåìíèÿ â òåõíîëîãèè ïðîèçâîäñòâà èíòåãðàëüíûõ
ñõåì è ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ.— Ìèíñê: Áåëîðóñ-
ñêàÿ íàóêà, 2006.— Ñ. 99—106. [Turtsevich A. S., Anufriev
L. P. Plenki polikristallicheskogo kremniya v tekhnologii
Ðèñ. 6. Îáëàñòè ôîðìèðîâàíèÿ ïðîäóêòîâ ðåàêöèè
SiH4 è N2O ïðè òåìïåðàòóðå îñàæäåíèÿ 650°Ñ
( — óñëîâèÿ ïîëó÷åíèÿ SiÎ2 â [18]; — ïëåíîê ÏÊËÊ â
íàñòîÿùåé ðàáîòå; — ïëåíîê ÏÊËÊ â [12])
4000
3000
2000
1000
0 10 20 30 40 50
PSiH4
, Ïà
Ð
N
2O
, Ï
à
Tîñ = 650°Ñ
I
II
III
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 2 41
ÒÅÕÍÎËÎÃÈ×ÅÑÊÈÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ È ÎÁÎÐÓÄÎÂÀÍÈÅ
proizvodstva integral’nykh skhem i poluprovodnikovykh priborov.
Minsk: Belorusskaya nauka, 2006. P. 99]
7.Ïàòåíò ¹5751043 ÑØÀ. ÑÇÓÏÂ ñ ðåçèñòîðîì èç
SIPOS, H01L 27/11/×ó-Ñàí Þ.— 12.05 1998. [Patent
¹5751043 SShA./Chu-San Yu. 12.05 1998.]
8.Ðåïèíñêèé Ñ. Ì. Õèìè÷åñêàÿ êèíåòèêà ðîñòà ñëîåâ äèý-
ëåêòðèêîâ â ñá. «Ñîâðåìåííûå ïðîáëåìû ôèçè÷åñêîé õèìèè».—
Í.: Íàóêà.— Ñèáèðñêîå îòäåëåíèå.— 1988.— C. 118—124.
[Repinskii S. M. V sb. «Sovremennye problemy fizicheskoi khimii».
N.: Nauka.— Sibirskoe otdelenie. 1988. P. 118]
9.Ðîáåðòñ Ì., Ìàêêè ×. Õèìèÿ ïîâåðõíîñòè ðàçäåëà ìå-
òàëë — ãàç.— Ìîñêâà: Ìèð.— 1981. [Roberts M., Makki Ch.
Khimiya poverkhnosti razdela metall — gaz. Moscow: Mir. 1981]
10. Íàëèâàéêî Î. Þ., Òóðöåâè÷ À. Ñ., Àäñîðáöèîííî-
êèíåòè÷åñêàÿ ìîäåëü îñàæäåíèÿ ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñêî-
ãî êðåìíèÿ, ëåãèðîâàííîãî ôîñôîðîì â ïðîöåññå ðîñòà //
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå.—
2009.— ¹ 6.— Ñ. 50—55. [Nalivaiko O. Yu., Turtsevich
A. S. // Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Appara-
ture. 2009. N 6. P. 50]
11. Òóðöåâè÷ À. Ñ., Ðóìàê Í. Â., Íàëèâàéêî Î. Þ.,
Ìàêàðåâè÷ È. È. Êèíåòèêà ðîñòà ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñ-
êîãî êðåìíèÿ, ïîëó÷åííûõ ïèðîëèçîì êîíöåíòðèðîâàííîãî
ìîíîñèëàíà ïðè ïîíèæåííîì äàâëåíèè // Ýëåêòðîííàÿ òåõ-
íèêà. Ñåð. 7.— 1993.— Âûï. 4 (179)—5 (180).— C. 35—
39. [Turtsevich A. S., Rumak N. V., Nalivaiko O. Yu., Makarevich
I. I. // Elektronnaya tekhnika. Ser. 7. 1993. Iss. 4 (179)5
(180). P. 35]
12. Òóðöåâè÷ À. Ñ., Íàëèâàéêî Î. Þ., Ìàêàðåâè÷ È. È.
è äð. Êèíåòèêà ïðîöåññà îñàæäåíèÿ ñëîåâ â ñèñòåìå SiH4–
N2O â ðåàêòîðå ïîíèæåííîãî äàâëåíèÿ. ×àñòü 1. Ïîëèêðèñ-
òàëëè÷åñêèé êðåìíèé, ëåãèðîâàííûé êèñëîðîäîì // Ïîâåðõ-
íîñòü.— 1996.— ¹ 8.— C. 10—18. [Turtsevich A. S.,
Nalivaiko O. Yu., Makarevich I. I. i dr. // Poverkhnost’. 1996.
N 8. P. 10]
13. Ñóõîâ Ì. Ñ. Ìåõàíèçì ïèðîëèçà ìîíîñèëàíà ïðè ïî-
íèæåííîì äàâëåíèè // Èçâåñòèÿ ÀÍ ÑÑÑÐ, ñåð. Íåîðãàíè-
÷åñêèå ìàòåðèàëû.— 1982.— Ò. 18, ¹ 7.— C. 1077—1082.
[Sukhov M. S. // Izvestiya AN SSSR, ser. Neorganicheskie
materialy. 1982. Vol. 18, N 7. P. 1077]
14. Òóðöåâè÷ À. Ñ., Íàëèâàéêî Î. Þ., Ãàéäóê Ï. È.
Íà÷àëüíàÿ ñòàäèÿ ðîñòà ñëîåâ ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ,
ëåãèðîâàííîãî â ïðîöåññå ðîñòà êèñëîðîäîì // Âàêóóìíàÿ
òåõíèêà è òåõíîëîãèÿ.— 2009.— Ò. 19, ¹ 1.— Ñ. 25—30.
[Turtsevich A. S., Nalivaiko O. Yu., Gaiduk P. I. // Vakuumnaya
tekhnika i tekhnologiya. 2009. Vol. 19, N 1. P. 25]
15. Òóðöåâè÷ À.Ñ., Åìåëüÿíîâ Â.À. Ôîðìèðîâàíèå èç
ãàçîâîé ôàçû ôóíêöèîíàëüíûõ ñëîåâ èíòåãðàëüíûõ ìèêðî-
ñõåì.— Ìèíñê: Èíòåãðàëïîëèãðàô, 2007.— Ñ. 26—49.
[Turtsevich A. S., Emel’yanov V. A. Formirovanie iz gazovoi
fazy funktsional’nykh sloev integral’nykh mikroskhem. Minsk:
Integralpoligraf, 2007. P. 26]
16. Òóðöåâè÷ À. Ñ. Ïîëó÷åíèå ïîëóèçîëèðóþùåãî êðåì-
íèÿ äëÿ âûñîêîâîëüòíûõ ïðèáîðîâ // Òåõíîëîãèÿ è êîíñò-
ðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå.— 2008.—¹ 1.—
Ñ. 35—41. [Turtsevich A. S. // Tekhnologiya i Konstruirovanie
v Elektronnoi Apparature. 2008. N 1. P. 35]
17. Gris H., Caussat B., Cot D. et al. LPCVD silicon-Based
Film Formation in Submicrometer Trenches in Industrial
Equipment: Experiments and Simulation // Chem. Vap.
Deposition.— 2002.— Vol. 8.— ¹ 5.— P. 213—219.
18. Òóðöåâè÷ À. Ñ., Íàëèâàéêî Î. Þ., Çàéöåâ Ä. À. è
äð. Êèíåòèêà ïðîöåññà îñàæäåíèÿ ñëîåâ â ñèñòåìå SiH4-N2O
â ðåàêòîðå ïîíèæåííîãî äàâëåíèÿ. ×àñòü 2. Âûñîêîòåìïåðà-
òóðíûé îêèñåë êðåìíèÿ // Ïîâåðõíîñòü.— 1996.— ¹ 9.—
C. 14—18. [Turtsevich A. S., Nalivaiko O. Yu., Zaitsev D. A.
i dr. // Poverkhnost’. 1996. N 9. P. 14]
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ ðóêîïèñè
â ðåäàêöèþ 29.09 2011 ã.
___________________________
Nalivaiko O. Yu., Turtsevich A. S. Deposition kinetics
of in-situ oxygen doped polysilicon films.
Keywords: polysilicon, adsorptive-kinetic model, film
deposition.
The influence of deposition conditions on composition
of in-situ oxygen doped polysilicon films has been
investigated. A kinetic model of adsorption-deposition
process using concentrated silane and nitrous oxide
has been developed. The range of optimal ratios of
silane and nitrous oxide flows and deposition tempe-
rature, which provide the acceptable deposition rate,
thickness uniformity, controllability of oxygen content
in films and conformal deposition, have been de-
termined.
Republic of Belarus, Minsk, «Integral».
____________________________
Íàëèâàéêî Î. Þ., Òóðöåâè÷ À. Ñ. ʳíåòèêà ïðî-
öåñ³â îñàäæåííÿ ïë³âîê ïîë³êðåìí³þ, ëåãîâàíîãî
êèñíåì â ïðîöåñ³ ðîñòó.
Êëþ÷îâ³ ñëîâà: ïîë³êðèñòàë³÷íèé êðåìí³é, àäñîð-
áö³éíî-ê³íåòè÷íà ìîäåëü, ïðîöåñ îñàäæåííÿ ïë³âîê.
Äîñë³äæåíî âïëèâ óìîâ îñàäæåííÿ íà ñêëàä ïë³âîê
ïîë³êðèñòàë³÷íîãî êðåìí³þ, ëåãîâàíîãî â ïðîöåñ³
ðîñòó êèñíåì (ÏÊËÊ). Ðîçðîáëåíî àäñîðáö³éíî-ê³íå-
òè÷íó ìîäåëü ïðîöåñó îñàäæåííÿ ÏÊËÊ ç âèêîðèñ-
òàííÿì êîíöåíòðîâàíîãî ìîíîñèëàíó ³ çàêèñó àçîòó.
Âèçíà÷åíî îáëàñòü îïòèìàëüíèõ ñï³ââ³äíîøåíü ¿õ
âèòðàò òà òåìïåðàòóð îñàäæåííÿ, ïðè ÿêèõ çàáåçïå-
÷óþòüñÿ ïðèéíÿòíà øâèäê³ñòü ³ îäíîð³äí³ñòü îñàä-
æåííÿ, à òàêîæ êåðîâàí³ñòü çà âì³ñòîì êèñíþ ó
ïë³âêàõ ÏÊËÊ ³ êîíôîðìíå îñàäæåííÿ ïë³âîê
ÏÊËÊ.
Ðåñïóáë³êà Á³ëîðóñü, ì. ̳íñüê, ÂÀÒ «²íòåãðàë».
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51668 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:46:07Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. 2013-12-06T14:50:15Z 2013-12-06T14:50:15Z 2012 Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51668 621.382.002 Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных соотношении их расходов и температуры осаждения, при которых обеспечиваются приемлемая скорость и однородность осаждения, а также управляемость по содержанию кислорода в пленках и конформное осаждение пленок ПКЛК. Досліджено вплив умов осадження на склад плівок полікристалічного кремнію, легованого в процесі росту киснем (ПКЛК). Розроблено адсорбційно-кінетичну модель процесу осадження ПКЛК з використанням концентрованого моносилану і закису азоту. Визначено область оптимальних співвідношень їх витрат та температур осадження, при яких забезпечуються прийнятна швидкість і однорідність осадження, а також керованість за вмістом кисню у плівках ПКЛК і конформне осадження плівок ПКЛК. The influence of deposition conditions on composition of in-situ oxygen doped polysilicon films has been investigated. A kinetic model of adsorption-deposition process using concentrated silane and nitrous oxide has been developed. The range of optimal ratios of silane and nitrous oxide flows and deposition temperature, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, controllability of oxygen content in films and conformal deposition, have been determined. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста Кінетика процесів осадження плівок полікремнію, легованого киснем в процесі росту Deposition kinetics of in-situ oxygen doped polysilicon films Article published earlier |
| spellingShingle | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. Технологические процессы и оборудование |
| title | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| title_alt | Кінетика процесів осадження плівок полікремнію, легованого киснем в процесі росту Deposition kinetics of in-situ oxygen doped polysilicon films |
| title_full | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| title_fullStr | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| title_full_unstemmed | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| title_short | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| title_sort | кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51668 |
| work_keys_str_mv | AT nalivaikooû kinetikaprocessovosaždeniâplenokpolikremniâlegirovannogokislorodomvprocesserosta AT turcevičas kinetikaprocessovosaždeniâplenokpolikremniâlegirovannogokislorodomvprocesserosta AT nalivaikooû kínetikaprocesívosadžennâplívokpolíkremníûlegovanogokisnemvprocesírostu AT turcevičas kínetikaprocesívosadžennâplívokpolíkremníûlegovanogokisnemvprocesírostu AT nalivaikooû depositionkineticsofinsituoxygendopedpolysiliconfilms AT turcevičas depositionkineticsofinsituoxygendopedpolysiliconfilms |