Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных с...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51668 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713724886843392 |
|---|---|
| author | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. |
| author_facet | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. |
| citation_txt | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных соотношении их расходов и температуры осаждения, при которых обеспечиваются приемлемая скорость и однородность осаждения, а также управляемость по содержанию кислорода в пленках и конформное осаждение пленок ПКЛК.
Досліджено вплив умов осадження на склад плівок полікристалічного кремнію, легованого в процесі росту киснем (ПКЛК). Розроблено адсорбційно-кінетичну модель процесу осадження ПКЛК з використанням концентрованого моносилану і закису азоту. Визначено область оптимальних співвідношень їх витрат та температур осадження, при яких забезпечуються прийнятна швидкість і однорідність осадження, а також керованість за вмістом кисню у плівках ПКЛК і конформне осадження плівок ПКЛК.
The influence of deposition conditions on composition of in-situ oxygen doped polysilicon films has been investigated. A kinetic model of adsorption-deposition process using concentrated silane and nitrous oxide has been developed. The range of optimal ratios of silane and nitrous oxide flows and deposition temperature, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, controllability of oxygen content in films and conformal deposition, have been determined.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:46:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51668 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:46:07Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. 2013-12-06T14:50:15Z 2013-12-06T14:50:15Z 2012 Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51668 621.382.002 Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных соотношении их расходов и температуры осаждения, при которых обеспечиваются приемлемая скорость и однородность осаждения, а также управляемость по содержанию кислорода в пленках и конформное осаждение пленок ПКЛК. Досліджено вплив умов осадження на склад плівок полікристалічного кремнію, легованого в процесі росту киснем (ПКЛК). Розроблено адсорбційно-кінетичну модель процесу осадження ПКЛК з використанням концентрованого моносилану і закису азоту. Визначено область оптимальних співвідношень їх витрат та температур осадження, при яких забезпечуються прийнятна швидкість і однорідність осадження, а також керованість за вмістом кисню у плівках ПКЛК і конформне осадження плівок ПКЛК. The influence of deposition conditions on composition of in-situ oxygen doped polysilicon films has been investigated. A kinetic model of adsorption-deposition process using concentrated silane and nitrous oxide has been developed. The range of optimal ratios of silane and nitrous oxide flows and deposition temperature, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, controllability of oxygen content in films and conformal deposition, have been determined. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста Кінетика процесів осадження плівок полікремнію, легованого киснем в процесі росту Deposition kinetics of in-situ oxygen doped polysilicon films Article published earlier |
| spellingShingle | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. Технологические процессы и оборудование |
| title | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| title_alt | Кінетика процесів осадження плівок полікремнію, легованого киснем в процесі росту Deposition kinetics of in-situ oxygen doped polysilicon films |
| title_full | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| title_fullStr | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| title_full_unstemmed | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| title_short | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| title_sort | кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51668 |
| work_keys_str_mv | AT nalivaikooû kinetikaprocessovosaždeniâplenokpolikremniâlegirovannogokislorodomvprocesserosta AT turcevičas kinetikaprocessovosaždeniâplenokpolikremniâlegirovannogokislorodomvprocesserosta AT nalivaikooû kínetikaprocesívosadžennâplívokpolíkremníûlegovanogokisnemvprocesírostu AT turcevičas kínetikaprocesívosadžennâplívokpolíkremníûlegovanogokisnemvprocesírostu AT nalivaikooû depositionkineticsofinsituoxygendopedpolysiliconfilms AT turcevičas depositionkineticsofinsituoxygendopedpolysiliconfilms |