Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Кулинич, О.А., Яцунский, И.Р., Ештокина, Т.Ю., Брусенская, Г.И., Марчук, И.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51670
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом. The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.