Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»

Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення ме...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2012
Автори: Кулинич, О.А., Яцунский, И.Р., Ештокина, Т.Ю., Брусенская, Г.И., Марчук, И.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51670
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51670
record_format dspace
spelling Кулинич, О.А.
Яцунский, И.Р.
Ештокина, Т.Ю.
Брусенская, Г.И.
Марчук, И.А.
2013-12-06T14:58:32Z
2013-12-06T14:58:32Z
2012
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51670
537.311.33:622.382.33
Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.
Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом.
The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы электроники
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
Фотолюмінесцент ний метод дослідження пластичної деформації на границі поділу «SiO₂—Si»
Photoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO₂—Si»
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
spellingShingle Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
Кулинич, О.А.
Яцунский, И.Р.
Ештокина, Т.Ю.
Брусенская, Г.И.
Марчук, И.А.
Материалы электроники
title_short Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
title_full Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
title_fullStr Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
title_full_unstemmed Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
title_sort фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «sio₂—si»
author Кулинич, О.А.
Яцунский, И.Р.
Ештокина, Т.Ю.
Брусенская, Г.И.
Марчук, И.А.
author_facet Кулинич, О.А.
Яцунский, И.Р.
Ештокина, Т.Ю.
Брусенская, Г.И.
Марчук, И.А.
topic Материалы электроники
topic_facet Материалы электроники
publishDate 2012
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Фотолюмінесцент ний метод дослідження пластичної деформації на границі поділу «SiO₂—Si»
Photoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO₂—Si»
description Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом. The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51670
citation_txt Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kuliničoa fotolûminescentnyimetodissledovaniâplastičeskoideformaciinagranicerazdelasio2si
AT âcunskiiir fotolûminescentnyimetodissledovaniâplastičeskoideformaciinagranicerazdelasio2si
AT eštokinatû fotolûminescentnyimetodissledovaniâplastičeskoideformaciinagranicerazdelasio2si
AT brusenskaâgi fotolûminescentnyimetodissledovaniâplastičeskoideformaciinagranicerazdelasio2si
AT marčukia fotolûminescentnyimetodissledovaniâplastičeskoideformaciinagranicerazdelasio2si
AT kuliničoa fotolûmínescentniimetoddoslídžennâplastičnoídeformacíínagranicípodílusio2si
AT âcunskiiir fotolûmínescentniimetoddoslídžennâplastičnoídeformacíínagranicípodílusio2si
AT eštokinatû fotolûmínescentniimetoddoslídžennâplastičnoídeformacíínagranicípodílusio2si
AT brusenskaâgi fotolûmínescentniimetoddoslídžennâplastičnoídeformacíínagranicípodílusio2si
AT marčukia fotolûmínescentniimetoddoslídžennâplastičnoídeformacíínagranicípodílusio2si
AT kuliničoa photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si
AT âcunskiiir photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si
AT eštokinatû photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si
AT brusenskaâgi photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si
AT marčukia photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si
first_indexed 2025-12-07T17:01:27Z
last_indexed 2025-12-07T17:01:27Z
_version_ 1850869690950221824

Схожі ресурси