Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення ме...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51670 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862706748118269952 |
|---|---|
| author | Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Ештокина, Т.Ю. Брусенская, Г.И. Марчук, И.А. |
| author_facet | Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Ештокина, Т.Ю. Брусенская, Г.И. Марчук, И.А. |
| citation_txt | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.
Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом.
The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:01:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51670 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:01:27Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Ештокина, Т.Ю. Брусенская, Г.И. Марчук, И.А. 2013-12-06T14:58:32Z 2013-12-06T14:58:32Z 2012 Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51670 537.311.33:622.382.33 Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом. The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» Фотолюмінесцент ний метод дослідження пластичної деформації на границі поділу «SiO₂—Si» Photoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO₂—Si» Article published earlier |
| spellingShingle | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Ештокина, Т.Ю. Брусенская, Г.И. Марчук, И.А. Материалы электроники |
| title | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» |
| title_alt | Фотолюмінесцент ний метод дослідження пластичної деформації на границі поділу «SiO₂—Si» Photoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO₂—Si» |
| title_full | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» |
| title_fullStr | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» |
| title_full_unstemmed | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» |
| title_short | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» |
| title_sort | фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «sio₂—si» |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51670 |
| work_keys_str_mv | AT kuliničoa fotolûminescentnyimetodissledovaniâplastičeskoideformaciinagranicerazdelasio2si AT âcunskiiir fotolûminescentnyimetodissledovaniâplastičeskoideformaciinagranicerazdelasio2si AT eštokinatû fotolûminescentnyimetodissledovaniâplastičeskoideformaciinagranicerazdelasio2si AT brusenskaâgi fotolûminescentnyimetodissledovaniâplastičeskoideformaciinagranicerazdelasio2si AT marčukia fotolûminescentnyimetodissledovaniâplastičeskoideformaciinagranicerazdelasio2si AT kuliničoa fotolûmínescentniimetoddoslídžennâplastičnoídeformacíínagranicípodílusio2si AT âcunskiiir fotolûmínescentniimetoddoslídžennâplastičnoídeformacíínagranicípodílusio2si AT eštokinatû fotolûmínescentniimetoddoslídžennâplastičnoídeformacíínagranicípodílusio2si AT brusenskaâgi fotolûmínescentniimetoddoslídžennâplastičnoídeformacíínagranicípodílusio2si AT marčukia fotolûmínescentniimetoddoslídžennâplastičnoídeformacíínagranicípodílusio2si AT kuliničoa photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT âcunskiiir photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT eštokinatû photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT brusenskaâgi photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT marčukia photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si |