Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
Методом компьютерного моделирования определены оптимальные тепловые условия выращивания методом Чохральского монокристаллов Si, пригодного для изготовления (фотоэлектрических преобразователей энергии. Изучены зависимости характера температурных полей и формы фронта кристаллизации от диаметра кристал...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51678 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» / А.И. Кондрик, О.А. Даценко, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 21-25. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862557357778665472 |
|---|---|
| author | Кондрик, А.И. Даценко, О.А. Ковтун, Г.П. |
| author_facet | Кондрик, А.И. Даценко, О.А. Ковтун, Г.П. |
| citation_txt | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» / А.И. Кондрик, О.А. Даценко, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 21-25. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Методом компьютерного моделирования определены оптимальные тепловые условия выращивания методом Чохральского монокристаллов Si, пригодного для изготовления (фотоэлектрических преобразователей энергии. Изучены зависимости характера температурных полей и формы фронта кристаллизации от диаметра кристалла, стадии и скорости его выращивания, а также от соотношения диаметра и высоты кристалла.
Методом комп'ютерного моделювання визначено оптимальні теплові умови вирощування методом Чохральського монокристалів Si, придатного для виготовлення фотоелектричних перетворювачів енергії. Вивчено залежності характеру температурних полів і форми фронту кристалізації від діаметра кристала, стадії та швидкості вирощування, а також від співвідношення діаметру та висоти кристала .
The optimal thermal terms for growing by Czochralski method Si single-crystals, suitable for making photoelectric energy converters, has been defined by the computer simulation method. Dependences of temperature fields character and crystallization front form on the diameter of the crystal, stage and speed of growing, and also on correlation between diameter and height of the crystal has been studied.
|
| first_indexed | 2025-11-25T22:42:19Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51678 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T22:42:19Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кондрик, А.И. Даценко, О.А. Ковтун, Г.П. 2013-12-06T17:22:27Z 2013-12-06T17:22:27Z 2012 Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» / А.И. Кондрик, О.А. Даценко, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 21-25. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51678 669.762;621.315.592 Методом компьютерного моделирования определены оптимальные тепловые условия выращивания методом Чохральского монокристаллов Si, пригодного для изготовления (фотоэлектрических преобразователей энергии. Изучены зависимости характера температурных полей и формы фронта кристаллизации от диаметра кристалла, стадии и скорости его выращивания, а также от соотношения диаметра и высоты кристалла. Методом комп'ютерного моделювання визначено оптимальні теплові умови вирощування методом Чохральського монокристалів Si, придатного для виготовлення фотоелектричних перетворювачів енергії. Вивчено залежності характеру температурних полів і форми фронту кристалізації від діаметра кристала, стадії та швидкості вирощування, а також від співвідношення діаметру та висоти кристала . The optimal thermal terms for growing by Czochralski method Si single-crystals, suitable for making photoelectric energy converters, has been defined by the computer simulation method. Dependences of temperature fields character and crystallization front form on the diameter of the crystal, stage and speed of growing, and also on correlation between diameter and height of the crystal has been studied. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» Температурні поля в кристалі «сонячного кремнію», що росте Temperature fields in a growing solar silicon crystal Article published earlier |
| spellingShingle | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» Кондрик, А.И. Даценко, О.А. Ковтун, Г.П. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title_alt | Температурні поля в кристалі «сонячного кремнію», що росте Temperature fields in a growing solar silicon crystal |
| title_full | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title_fullStr | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title_full_unstemmed | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title_short | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title_sort | температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51678 |
| work_keys_str_mv | AT kondrikai temperaturnyepolâvrastuŝemkristallesolnečnogokremniâ AT dacenkooa temperaturnyepolâvrastuŝemkristallesolnečnogokremniâ AT kovtungp temperaturnyepolâvrastuŝemkristallesolnečnogokremniâ AT kondrikai temperaturnípolâvkristalísonâčnogokremníûŝoroste AT dacenkooa temperaturnípolâvkristalísonâčnogokremníûŝoroste AT kovtungp temperaturnípolâvkristalísonâčnogokremníûŝoroste AT kondrikai temperaturefieldsinagrowingsolarsiliconcrystal AT dacenkooa temperaturefieldsinagrowingsolarsiliconcrystal AT kovtungp temperaturefieldsinagrowingsolarsiliconcrystal |