Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Кондрик, А.И., Даценко, О.А., Ковтун, Г.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51678
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» / А.И. Кондрик, О.А. Даценко, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 21-25. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Методом компьютерного моделирования определены оптимальные тепловые условия выращивания методом Чохральского монокристаллов Si, пригодного для изготовления (фотоэлектрических преобразователей энергии. Изучены зависимости характера температурных полей и формы фронта кристаллизации от диаметра кристал...