Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации (формируются структуры с квантовыми точками, из кот...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51683 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, С.А. Насибова, Е.Д. Моройдор, М. Пишкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862664413586128896 |
|---|---|
| author | Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Насибова, С.А. Моройдор, Е.Д. Пишкин, М. |
| author_facet | Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Насибова, С.А. Моройдор, Е.Д. Пишкин, М. |
| citation_txt | Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, С.А. Насибова, Е.Д. Моройдор, М. Пишкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации (формируются структуры с квантовыми точками, из которых самоорганизуются нанонити. Такие поверхностные структуры определяют свойства разрабатываемых топологических изоляторов на основе соединений A₂VB₃VI и увеличивают термоэлектрическую эффективность композита.
Вивчено процес формування нанониток на поверхні (0001) Bi₂Te₃. Встановлено, що у площині Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ відбувається процес міграції атомів, переміщення і коагуляція кластерів на основі атомів Zn. В результаті дифузійно-обмеженої агрегації формуються структури з квантовими точками, з яких самоорганізуються нанонитки. Такі поверхневі структури відіграють регулюючу роль при розробці топологічних ізоляторів на основі сполук A₂VB₃VI і збільшують термоелектричну ефективність композиту.
Nanowires formation process on a (0001) surface of Bi₂Te₃ is studied. It has been established that on interlayer surfaceTe⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ there is a process of migration of atoms, moving and coagulation of clusters on the basis of Zn atoms. As a result of diffusion-limited aggregation the structures with quantum dots are formed, from which nanowires are self-organized. Such superficial structures play regulating role in working out the topological insulators based on A₂VB₃VI and increase thermoelectric efficiency of a composite.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:13:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51683 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:13:40Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Насибова, С.А. Моройдор, Е.Д. Пишкин, М. 2013-12-06T17:39:12Z 2013-12-06T17:39:12Z 2012 Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, С.А. Насибова, Е.Д. Моройдор, М. Пишкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51683 546.87/86 ”24:54-165 Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации (формируются структуры с квантовыми точками, из которых самоорганизуются нанонити. Такие поверхностные структуры определяют свойства разрабатываемых топологических изоляторов на основе соединений A₂VB₃VI и увеличивают термоэлектрическую эффективность композита. Вивчено процес формування нанониток на поверхні (0001) Bi₂Te₃. Встановлено, що у площині Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ відбувається процес міграції атомів, переміщення і коагуляція кластерів на основі атомів Zn. В результаті дифузійно-обмеженої агрегації формуються структури з квантовими точками, з яких самоорганізуються нанонитки. Такі поверхневі структури відіграють регулюючу роль при розробці топологічних ізоляторів на основі сполук A₂VB₃VI і збільшують термоелектричну ефективність композиту. Nanowires formation process on a (0001) surface of Bi₂Te₃ is studied. It has been established that on interlayer surfaceTe⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ there is a process of migration of atoms, moving and coagulation of clusters on the basis of Zn atoms. As a result of diffusion-limited aggregation the structures with quantum dots are formed, from which nanowires are self-organized. Such superficial structures play regulating role in working out the topological insulators based on A₂VB₃VI and increase thermoelectric efficiency of a composite. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ Механізм формування міжшарових квантових ниток в легованому цинком Bi₂Te₃ The mechanism of formation of the interlayer quantum wires in zinc-doped Bi₂Te₃ Article published earlier |
| spellingShingle | Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Насибова, С.А. Моройдор, Е.Д. Пишкин, М. Материалы электроники |
| title | Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ |
| title_alt | Механізм формування міжшарових квантових ниток в легованому цинком Bi₂Te₃ The mechanism of formation of the interlayer quantum wires in zinc-doped Bi₂Te₃ |
| title_full | Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ |
| title_fullStr | Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ |
| title_full_unstemmed | Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ |
| title_short | Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ |
| title_sort | механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком bi₂te₃ |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51683 |
| work_keys_str_mv | AT alievaap mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT aleskerovfk mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT kahramanovsš mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT nasibovasa mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT moroidored mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT piškinm mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT alievaap mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT aleskerovfk mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT kahramanovsš mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT nasibovasa mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT moroidored mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT piškinm mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT alievaap themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 AT aleskerovfk themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 AT kahramanovsš themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 AT nasibovasa themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 AT moroidored themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 AT piškinm themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 |