Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации (формируются структуры с квантовыми точками, из кот...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51683 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, С.А. Насибова, Е.Д. Моройдор, М. Пишкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51683 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Насибова, С.А. Моройдор, Е.Д. Пишкин, М. 2013-12-06T17:39:12Z 2013-12-06T17:39:12Z 2012 Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, С.А. Насибова, Е.Д. Моройдор, М. Пишкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51683 546.87/86 ”24:54-165 Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации (формируются структуры с квантовыми точками, из которых самоорганизуются нанонити. Такие поверхностные структуры определяют свойства разрабатываемых топологических изоляторов на основе соединений A₂VB₃VI и увеличивают термоэлектрическую эффективность композита. Вивчено процес формування нанониток на поверхні (0001) Bi₂Te₃. Встановлено, що у площині Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ відбувається процес міграції атомів, переміщення і коагуляція кластерів на основі атомів Zn. В результаті дифузійно-обмеженої агрегації формуються структури з квантовими точками, з яких самоорганізуються нанонитки. Такі поверхневі структури відіграють регулюючу роль при розробці топологічних ізоляторів на основі сполук A₂VB₃VI і збільшують термоелектричну ефективність композиту. Nanowires formation process on a (0001) surface of Bi₂Te₃ is studied. It has been established that on interlayer surfaceTe⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ there is a process of migration of atoms, moving and coagulation of clusters on the basis of Zn atoms. As a result of diffusion-limited aggregation the structures with quantum dots are formed, from which nanowires are self-organized. Such superficial structures play regulating role in working out the topological insulators based on A₂VB₃VI and increase thermoelectric efficiency of a composite. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ Механізм формування міжшарових квантових ниток в легованому цинком Bi₂Te₃ The mechanism of formation of the interlayer quantum wires in zinc-doped Bi₂Te₃ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ |
| spellingShingle |
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Насибова, С.А. Моройдор, Е.Д. Пишкин, М. Материалы электроники |
| title_short |
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ |
| title_full |
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ |
| title_fullStr |
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ |
| title_full_unstemmed |
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ |
| title_sort |
механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком bi₂te₃ |
| author |
Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Насибова, С.А. Моройдор, Е.Д. Пишкин, М. |
| author_facet |
Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Насибова, С.А. Моройдор, Е.Д. Пишкин, М. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Механізм формування міжшарових квантових ниток в легованому цинком Bi₂Te₃ The mechanism of formation of the interlayer quantum wires in zinc-doped Bi₂Te₃ |
| description |
Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации (формируются структуры с квантовыми точками, из которых самоорганизуются нанонити. Такие поверхностные структуры определяют свойства разрабатываемых топологических изоляторов на основе соединений A₂VB₃VI и увеличивают термоэлектрическую эффективность композита.
Вивчено процес формування нанониток на поверхні (0001) Bi₂Te₃. Встановлено, що у площині Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ відбувається процес міграції атомів, переміщення і коагуляція кластерів на основі атомів Zn. В результаті дифузійно-обмеженої агрегації формуються структури з квантовими точками, з яких самоорганізуються нанонитки. Такі поверхневі структури відіграють регулюючу роль при розробці топологічних ізоляторів на основі сполук A₂VB₃VI і збільшують термоелектричну ефективність композиту.
Nanowires formation process on a (0001) surface of Bi₂Te₃ is studied. It has been established that on interlayer surfaceTe⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ there is a process of migration of atoms, moving and coagulation of clusters on the basis of Zn atoms. As a result of diffusion-limited aggregation the structures with quantum dots are formed, from which nanowires are self-organized. Such superficial structures play regulating role in working out the topological insulators based on A₂VB₃VI and increase thermoelectric efficiency of a composite.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51683 |
| citation_txt |
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, С.А. Насибова, Е.Д. Моройдор, М. Пишкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT alievaap mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT aleskerovfk mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT kahramanovsš mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT nasibovasa mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT moroidored mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT piškinm mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhniteivlegirovannomcinkombi2te3 AT alievaap mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT aleskerovfk mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT kahramanovsš mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT nasibovasa mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT moroidored mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT piškinm mehanízmformuvannâmížšarovihkvantovihnitokvlegovanomucinkombi2te3 AT alievaap themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 AT aleskerovfk themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 AT kahramanovsš themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 AT nasibovasa themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 AT moroidored themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 AT piškinm themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3 |
| first_indexed |
2025-12-07T15:13:40Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:13:40Z |
| _version_ |
1850862909670817792 |