Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Старжинский, Н.Г., Гринёв, Б.В., Рыжиков, В.Д., Малюкин, Ю.В., Жуков, А.В., Сидлецкий, О.Ц., Зеня, И.М., Лалаянц, А.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51693
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI / Н.Г. Старжинский, Б.В. Гринёв, В.Д. Рыжиков, Ю.В. Малюкин, А.В. Жуков, О.Ц. Сидлецкий, И.М. Зеня, А.И. Лалаянц // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффек-тивного атомного номера (Zэфф=26—33), большой шириной запрещенной зоны (Eg=2,8—3,6 эВ), высокой термостабильностью выходных параметров. Показана перспективность их применения в различных устройствах современного радиационного приборостроения. Розглянуто особливості отримання халькогенідних сцинтиляторів на основі сульфіду та селеніду цинку. Дослідження показали, що отримані сцинтиллятори мають високий світловиход, низьке післясвітіння, малий термін висвічування, низьке значення ефективного атомного номеру (Zэфф=26—33), велику ширину забороненої зони (E g=2,8—3,6 эВ), высоку термостабільність вихідних параметрів. Показано перспективність їх використання у різних приладах сучасного радіаційного приладобудування. The formation characteristics of chalcogenide scintillators (CS) based on zinc sulfide and selenide are considered. The research has shown that such scintillators have high specific light yield, low afterglow level, short luminescence time, low value of the effective atomic number (Zeff=26—33), large band gap (Eg=2,8—3,6 eV), high thermal stability of output parameters. The prospects of use of such scintillators in various devices of modern radiation instrumentation has been shown.