Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI

Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI

Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффек-тивного атомного номера (Zэфф=26—33)...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2012
Автори: Старжинский, Н.Г., Гринёв, Б.В., Рыжиков, В.Д., Малюкин, Ю.В., Жуков, А.В., Сидлецкий, О.Ц., Зеня, И.М., Лалаянц, А.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51693
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI / Н.Г. Старжинский, Б.В. Гринёв, В.Д. Рыжиков, Ю.В. Малюкин, А.В. Жуков, О.Ц. Сидлецкий, И.М. Зеня, А.И. Лалаянц // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51693
record_format dspace
spelling Старжинский, Н.Г.
Гринёв, Б.В.
Рыжиков, В.Д.
Малюкин, Ю.В.
Жуков, А.В.
Сидлецкий, О.Ц.
Зеня, И.М.
Лалаянц, А.И.
2013-12-06T21:21:14Z
2013-12-06T21:21:14Z
2012
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI / Н.Г. Старжинский, Б.В. Гринёв, В.Д. Рыжиков, Ю.В. Малюкин, А.В. Жуков, О.Ц. Сидлецкий, И.М. Зеня, А.И. Лалаянц // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51693
621.387.4
Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффек-тивного атомного номера (Zэфф=26—33), большой шириной запрещенной зоны (Eg=2,8—3,6 эВ), высокой термостабильностью выходных параметров. Показана перспективность их применения в различных устройствах современного радиационного приборостроения.
Розглянуто особливості отримання халькогенідних сцинтиляторів на основі сульфіду та селеніду цинку. Дослідження показали, що отримані сцинтиллятори мають високий світловиход, низьке післясвітіння, малий термін висвічування, низьке значення ефективного атомного номеру (Zэфф=26—33), велику ширину забороненої зони (E g=2,8—3,6 эВ), высоку термостабільність вихідних параметрів. Показано перспективність їх використання у різних приладах сучасного радіаційного приладобудування.
The formation characteristics of chalcogenide scintillators (CS) based on zinc sulfide and selenide are considered. The research has shown that such scintillators have high specific light yield, low afterglow level, short luminescence time, low value of the effective atomic number (Zeff=26—33), large band gap (Eg=2,8—3,6 eV), high thermal stability of output parameters. The prospects of use of such scintillators in various devices of modern radiation instrumentation has been shown.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы электроники
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
Широкозонні халькогенідні сцинтилятори на основі сполук AIIBVI
Wide-band chalcogenide scintillators on the basis of AIIBVI compounds
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
spellingShingle Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
Старжинский, Н.Г.
Гринёв, Б.В.
Рыжиков, В.Д.
Малюкин, Ю.В.
Жуков, А.В.
Сидлецкий, О.Ц.
Зеня, И.М.
Лалаянц, А.И.
Материалы электроники
title_short Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
title_full Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
title_fullStr Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
title_full_unstemmed Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
title_sort широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений aiibvi
author Старжинский, Н.Г.
Гринёв, Б.В.
Рыжиков, В.Д.
Малюкин, Ю.В.
Жуков, А.В.
Сидлецкий, О.Ц.
Зеня, И.М.
Лалаянц, А.И.
author_facet Старжинский, Н.Г.
Гринёв, Б.В.
Рыжиков, В.Д.
Малюкин, Ю.В.
Жуков, А.В.
Сидлецкий, О.Ц.
Зеня, И.М.
Лалаянц, А.И.
topic Материалы электроники
topic_facet Материалы электроники
publishDate 2012
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Широкозонні халькогенідні сцинтилятори на основі сполук AIIBVI
Wide-band chalcogenide scintillators on the basis of AIIBVI compounds
description Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффек-тивного атомного номера (Zэфф=26—33), большой шириной запрещенной зоны (Eg=2,8—3,6 эВ), высокой термостабильностью выходных параметров. Показана перспективность их применения в различных устройствах современного радиационного приборостроения. Розглянуто особливості отримання халькогенідних сцинтиляторів на основі сульфіду та селеніду цинку. Дослідження показали, що отримані сцинтиллятори мають високий світловиход, низьке післясвітіння, малий термін висвічування, низьке значення ефективного атомного номеру (Zэфф=26—33), велику ширину забороненої зони (E g=2,8—3,6 эВ), высоку термостабільність вихідних параметрів. Показано перспективність їх використання у різних приладах сучасного радіаційного приладобудування. The formation characteristics of chalcogenide scintillators (CS) based on zinc sulfide and selenide are considered. The research has shown that such scintillators have high specific light yield, low afterglow level, short luminescence time, low value of the effective atomic number (Zeff=26—33), large band gap (Eg=2,8—3,6 eV), high thermal stability of output parameters. The prospects of use of such scintillators in various devices of modern radiation instrumentation has been shown.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51693
citation_txt Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI / Н.Г. Старжинский, Б.В. Гринёв, В.Д. Рыжиков, Ю.В. Малюкин, А.В. Жуков, О.Ц. Сидлецкий, И.М. Зеня, А.И. Лалаянц // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT staržinskiing širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi
AT grinevbv širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi
AT ryžikovvd širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi
AT malûkinûv širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi
AT žukovav širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi
AT sidleckiioc širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi
AT zenâim širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi
AT lalaâncai širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi
AT staržinskiing širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi
AT grinevbv širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi
AT ryžikovvd širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi
AT malûkinûv širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi
AT žukovav širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi
AT sidleckiioc širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi
AT zenâim širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi
AT lalaâncai širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi
AT staržinskiing widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds
AT grinevbv widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds
AT ryžikovvd widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds
AT malûkinûv widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds
AT žukovav widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds
AT sidleckiioc widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds
AT zenâim widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds
AT lalaâncai widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds
first_indexed 2025-12-07T17:28:56Z
last_indexed 2025-12-07T17:28:56Z
_version_ 1850871420309995520

Схожі ресурси