Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффек-тивного атомного номера (Zэфф=26—33)...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51693 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI / Н.Г. Старжинский, Б.В. Гринёв, В.Д. Рыжиков, Ю.В. Малюкин, А.В. Жуков, О.Ц. Сидлецкий, И.М. Зеня, А.И. Лалаянц // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860101122070413312 |
|---|---|
| author | Старжинский, Н.Г. Гринёв, Б.В. Рыжиков, В.Д. Малюкин, Ю.В. Жуков, А.В. Сидлецкий, О.Ц. Зеня, И.М. Лалаянц, А.И. |
| author_facet | Старжинский, Н.Г. Гринёв, Б.В. Рыжиков, В.Д. Малюкин, Ю.В. Жуков, А.В. Сидлецкий, О.Ц. Зеня, И.М. Лалаянц, А.И. |
| citation_txt | Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI / Н.Г. Старжинский, Б.В. Гринёв, В.Д. Рыжиков, Ю.В. Малюкин, А.В. Жуков, О.Ц. Сидлецкий, И.М. Зеня, А.И. Лалаянц // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффек-тивного атомного номера (Zэфф=26—33), большой шириной запрещенной зоны (Eg=2,8—3,6 эВ), высокой термостабильностью выходных параметров. Показана перспективность их применения в различных устройствах современного радиационного приборостроения.
Розглянуто особливості отримання халькогенідних сцинтиляторів на основі сульфіду та селеніду цинку. Дослідження показали, що отримані сцинтиллятори мають високий світловиход, низьке післясвітіння, малий термін висвічування, низьке значення ефективного атомного номеру (Zэфф=26—33), велику ширину забороненої зони (E g=2,8—3,6 эВ), высоку термостабільність вихідних параметрів. Показано перспективність їх використання у різних приладах сучасного радіаційного приладобудування.
The formation characteristics of chalcogenide scintillators (CS) based on zinc sulfide and selenide are considered. The research has shown that such scintillators have high specific light yield, low afterglow level, short luminescence time, low value of the effective atomic number (Zeff=26—33), large band gap (Eg=2,8—3,6 eV), high thermal stability of output parameters. The prospects of use of such scintillators in various devices of modern radiation instrumentation has been shown.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:28:56Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 4
25
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
ÓÄÊ 621.387.4
Ä. ò. í. Í. Ã. ÑÒÀÐÆÈÍÑÊÈÉ, àêàä. ÍÀÍÓ Á. Â. ÃÐÈͨÂ,
ä. ô.-ì. í. Â. Ä. ÐÛÆÈÊÎÂ, ä. ô.-ì. í. Þ. Â. ÌÀËÞÊÈÍ, À. Â. ÆÓÊÎÂ,
ê. ô.-ì. í. Î. Ö. ÑÈÄËÅÖÊÈÉ, È. Ì. ÇÅÍß, À. È. ËÀËÀßÍÖ
Óêðàèíà, ã. Õàðüêîâ, Èíñòèòóò ñöèíòèëëÿöèîííûõ ìàòåðèàëîâ ÍÀÍÓ
E-mail: ns@isma.kharkov.ua
ØÈÐÎÊÎÇÎÍÍÛÅ ÕÀËÜÊÎÃÅÍÈÄÍÛÅ
ÑÖÈÍÒÈËËßÒÎÐÛ ÍÀ ÎÑÍÎÂÅ ÑÎÅÄÈÍÅÍÈÉ AIIBVI
Ðàññìîòðåíû îñîáåííîñòè ïîëó÷åíèÿ õàëüêîãåíèäíûõ ñöèíòèëëÿòîðîâ (ÕÑ) íà îñíîâå ñóëüôèäà
è ñåëåíèäà öèíêà. Èññëåäîâàíèÿ ïîêàçàëè, ÷òî ïîëó÷åííûå ñöèíòèëëÿòîðû îáëàäàþò âûñîêèì
ñâåòîâûõîäîì, íèçêèì ïîñëåñâå÷åíèåì, ìàëûì âðåìåíåì âûñâå÷èâàíèÿ, íèçêèì çíà÷åíèåì ýôôåê-
òèâíîãî àòîìíîãî íîìåðà (Zýôô=26—33), áîëüøîé øèðèíîé çàïðåùåííîé çîíû (Eg=2,8—3,6 ýÂ),
âûñîêîé òåðìîñòàáèëüíîñòüþ âûõîäíûõ ïàðàìåòðîâ. Ïîêàçàíà ïåðñïåêòèâíîñòü èõ ïðèìåíåíèÿ
â ðàçëè÷íûõ óñòðîéñòâàõ ñîâðåìåííîãî ðàäèàöèîííîãî ïðèáîðîñòðîåíèÿ.
Êëþ÷åâûå ñëîâà: êðèñòàëëû AIIBVI-ñîåäèíåíèé, ñóëüôèä öèíêà, ñöèíòèëëÿöèîííûå õàðàêòåðèñòè-
êè, öåíòðû ëþìèíåñöåíöèè, õàëüêîãåíèäíûå ñöèíòèëëÿòîðû.
Äëÿ ñèñòåì ìóëüòèýíåðãåòè÷åñêîé öèôðîâîé
ðåíòãåíîâñêîé ðàäèîãðàôèè (ÌÖÐÐ) íåîáõîäè-
ìû ìàòåðèàëû ñî ñëåäóþùèìè õàðàêòåðèñòèêà-
ìè: âûñîêèé ñâåòîâûõîä, áûñòðàÿ êèíåòèêà âû-
ñâå÷èâàíèÿ, íèçêèé óðîâåíü çàïàñàíèÿ ýíåðãèè,
âûñîêàÿ êëèìàòè÷åñêàÿ è ðàäèàöèîííàÿ ñòàáèëü-
íîñòü âûõîäíûõ ïàðàìåòðîâ, à òàêæå îïòèìàëü-
íîå, â çàâèñèìîñòè îò ôóíêöèîíàëüíûõ îñîáåííî-
ñòåé äåòåêòèðóþùåãî òðàêòà, çíà÷åíèå ýôôåêòèâ-
íîãî àòîìíîãî íîìåðà Zýôô [1]. Ñðåäè ëó÷øèõ ìà-
òåðèàëîâ äëÿ ïðèìåíåíèÿ â ÌÖÐÐ, îñîáåííî â
íèçêîýíåðãåòè÷åñêîé ñèñòåìå äåòåêòèðîâàíèÿ, ìîæ-
íî âûäåëèòü õàëüêîãåíèäíûå ñöèíòèëëÿòîðû (ÕÑ)
íà îñíîâå ñåëåíèäà öèíêà, ëåãèðîâàííûå èçîâà-
ëåíòíûìè ïðèìåñÿìè (ZnSe(Te), ZnSe(Cd, Te))
[2, 3]. Ñöèíòèëëÿòîðû ýòîãî òèïà èìåþò ìàêñè-
ìóì ýìèññèè â îáëàñòè äëèíû âîëíû èçëó÷åíèÿ
630—640 íì, ñâåòîâûõîä, ñðàâíèìûé ñî ñâåòîâû-
õîäîì êðèñòàëëà CsI(Tl), óðîâåíü ïîñëåñâå÷åíèÿ
η>0,05%. Îäíàêî èçâåñòíûå ñöèíòèëëÿöèîííûå
ìàòåðèàëû íà îñíîâå ñåëåíèäà öèíêà îáëàäàþò
ðÿäîì ñâîéñòâ, êîòîðûå íå â ïîëíîé ìåðå îòâå÷à-
þò ïðåäúÿâëÿåìûì òðåáîâàíèÿì: íèçêîé òåìïåðà-
òóðíîé ñòàáèëüíîñòüþ ñâåòîâûõîäà, áîëüøèì âðå-
ìåíåì âûñâå÷èâàíèÿ, âûñîêèì ñàìîïîãëîùåíèåì
ñîáñòâåííîãî èçëó÷åíèÿ è äð. [4, 5].
Îäíèì èç ïóòåé óëó÷øåíèÿ âûõîäíûõ ïàðà-
ìåòðîâ ÕÑ íà îñíîâå ñîåäèíåíèé AIIBVI ÿâëÿåòñÿ
èñïîëüçîâàíèå ñóëüôèäà öèíêà â êà÷åñòâå êðèñ-
òàëëà-ìàòðèöû, à òàêæå â êà÷åñòâå àêòèâèðóþ-
ùåé ïðèìåñè â ÕÑ íà îñíîâå ZnSe(ΣX), ãäå ΣX —
èçîâàëåíòíûå ïðèìåñè [6, 7]. Ýòî îáóñëîâëåíî
òåì, ÷òî ZnS èìååò áîëåå âûñîêóþ ïðîçðà÷íîñòü
ê ñîáñòâåííîìó èçëó÷åíèþ, ÷åì ZnSe, ñàìîå íèç-
êîå çíà÷åíèå ýôôåêòèâíîãî àòîìíîãî íîìåðà ñðå-
äè ñîåäèíåíèé A
IIBVI (Zýôô=24) è íàèáîëüøóþ
øèðèíó çàïðåùåííîé çîíû (Eg≈3,6 ýÂ). Òî åñòü
ìîæíî ïðåäïîëîæèòü, ÷òî ñöèíòèëëÿöèîííûå ìà-
òåðèàëû, ñîäåðæàùèå ñóëüôèä öèíêà, ìîãóò áûòü
âî ìíîãîì ëèøåíû íåäîñòàòêîâ ÕÑ òèïà ZnSe(Te),
è ïîýòîìó èõ ñîçäàíèå è èññëåäîâàíèå ÿâëÿåòñÿ
âåñüìà ïåðñïåêòèâíûì íàïðàâëåíèåì â îáëàñòè
ñöèíòèëëÿöèîííîãî ìàòåðèàëîâåäåíèÿ.
 íàñòîÿùåé ðàáîòå ðàññìîòðåíû ìåòîäû ïî-
ëó÷åíèÿ íîâûõ ÕÑ íà îñíîâå òâåðäûõ ðàñòâîðîâ
ZnS—ZnSe è ZnSe—ZnS, èçó÷åíû èõ îñíîâíûå
ôèçèêî-õèìè÷åñêèå, îïòè÷åñêèå è ñöèíòèëëÿöè-
îííûå õàðàêòåðèñòèêè.
Ïîëó÷åíèå ñöèíòèëëÿöèîííûõ ìàòåðèàëîâ
Êðèñòàëëû âûðàùèâàëèñü ìåòîäîì Áðèäæìå-
íà—Ñòîêáàðãåðà â ãðàôèòîâûõ òèãëÿõ ïîä äàâ-
ëåíèåì èíåðòíîãî ãàçà (Ar, P=107—109 Ïà) ïðè
òåìïåðàòóðå ðîñòà Òðîñò=1600—1800 Ê; ñêîðîñòü
ïðîòÿæêè òèãëÿ ÷åðåç çîíó ìàêñèìàëüíîãî òåì-
ïåðàòóðíîãî ãðàäèåíòà ñîñòàâëÿëà v=5—7 ìì/÷.
Äëÿ êðèñòàëëîâ ZnS(ΣX) èñõîäíàÿ øèõòà ïðî-
õîäèëà ïðåäâàðèòåëüíóþ î÷èñòêó â âîññòàíîâè-
òåëüíîé àòìîñôåðå. Ìîëÿðíàÿ äîëÿ àêòèâèðó-
þùåé ïðèìåñè Se â êðèñòàëëàõ ZnS(Se, Al) ñî-
ñòàâëÿëà 10—50%, êîíöåíòðàöèÿ ïðèìåñè S â
êðèñòàëëàõ ZnSe(S), ZnSe(S, Al) — 3—5%, ïðè-
ìåñè Al — 1.10–1—1.10–3%, ïðî÷èõ ïðèìåñåé —
íå áîëåå 3.10–5%. Äëÿ îêîí÷àòåëüíîãî ôîðìèðî-
âàíèÿ èçëó÷àòåëüíûõ öåíòðîâ, à òàêæå äëÿ ïî-
äàâëåíèÿ áåçûçëó÷àòåëüíûõ êàíàëîâ ðåëàêñàöèè
âîçáóæäåííûõ íîñèòåëåé çàðÿäà ÷àñòü êðèñòàë-
ëîâ (ZnSe(S), ZnS(Se)) îòæèãàëàñü â ïàðàõ öèí-
êà (Ò=1300 Ê, Ð=5⋅107 Ïà, âðåìÿ îòæèãà 24—48 ÷).
Êðèñòàëëû òèïà ZnS(Te) ïðîõîäèëè òåðìîîá-
ðàáîòêó â àòìîñôåðå Ar (Ò=1300 Ê â òå÷åíèå
24—72 ÷) [7]. Ðàçìåðû îáðàçöîâ ñîñòàâëÿëè
10×10×1 è 10×10×2 ìì.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 4
26
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
Îáîðóäîâàíèå äëÿ èññëåäîâàíèé
Îïòè÷åñêèå è ëþìèíåñöåíòíûå õàðàêòåðèñòè-
êè èçó÷àëè ñ ïîìîùüþ ñïåêòðàëüíî-èçìåðèòåëü-
íîãî êîìïëåêñà ÊÑÂÓ-2 ñ ìîíîõðîìàòîðîì ÌÄÐ-
23 è ôîòîïðèåìíèêîì ÔÝÓ-62.  êà÷åñòâå èñ-
òî÷íèêà âîçáóæäàþùåãî èçëó÷åíèÿ èñïîëüçîâà-
ëè ðåíòãåíîâñêèé àïïàðàò ÐÅÉÑ-È (Ua=45 êÂ,
ia=25 ìêÀ). Ïðè èçìåðåíèÿõ òåìïåðàòóðíûõ çà-
âèñèìîñòåé ñâåòîâûõîäà èñïîëüçîâàëñÿ àçîòíûé
êðèîñòàò ñ áëîêîì ðåãóëèðîâêè òåìïåðàòóðû ÐÏ1-
16À. Èçìåðåíèÿ îòíîñèòåëüíîãî ñâåòîâûõîäà Sîòí
ïðîâîäèëè ñ èñïîëüçîâàíèåì ðåíòãåíîâñêîãî èñ-
òî÷íèêà ÈÐÈ (100 êÂ, 1 ìÀ), âîëüòìåòðà Â7-35
è Si-ôîòîäèîäà ÔÄ-288, â êà÷åñòâå ýòàëîíà ñöèí-
òèëëÿòîðà èñïîëüçîâàëè êðèñòàëë CdWO4
(CWO). Âðåìÿ âûñâå÷èâàíèÿ τ èçìåðÿëè ñ ïîìî-
ùüþ öèôðîâîãî îñöèëëîãðàôà RIGOL DS1302CA,
ôîòîïðèåìíèêà ÔÝÓ-35À è èìïóëüñíîãî ðåíòãå-
íîâñêîãî èñòî÷íèêà ÌÈÐÀ-2Ä (200 êÂ, äëèòåëü-
íîñòü èìïóëüñà 10 íñ). Óðîâåíü ïîñëåñâå÷åíèÿ η
èçìåðÿëè ñ ïîìîùüþ èçìåðèòåëüíî-âû÷èñëèòåëü-
íîãî êîìïëåêñà RAPAN 200/100.
Èññëåäîâàíèå õàðàêòåðèñòèê
Îñíîâíûå õàðàêòåðèñòèêè ÕÑ ïðåäñòàâëåíû
â òàáëèöå, ãäå äëÿ ñðàâíåíèÿ ïðèâåäåíû âûõîä-
íûå ïàðàìåòðû òèïè÷íîãî îêñèäíîãî ñöèíòèë-
ëÿòîðà CWO.
Ó ÕÑ íà îñíîâå òâåðäûõ ðàñòâîðîâ ZnS—ZnSe
ýôôåêòèâíûé àòîìíûé íîìåð Zýôô=26, ÷òî ïî-
çâîëÿåò ñîçäàâàòü äåòåêòîðû äëÿ íèçêîýíåðãåòè÷å-
ñêîé ïîäñèñòåìû ÌÖÐÐ ñ óëó÷øåííûì ðàçäåëåíè-
åì ïî ïëîòíîñòè èññëåäóåìûõ îáúåêòîâ ïî ñðàâíå-
íèþ ñ ÕC íà îñíîâå ZnSe(ΣX), ó êîòîðûõ Zýôô=33.
Âûñîêèé ñâåòîâûõîä ïîëó÷åííûõ ìàòåðèàëîâ,
ñðàâíèìûé ñ Sîòí îäíîãî èç ëó÷øèõ ÕÑ —
ZnSe(Te), â ñîâîêóïíîñòè ñ íèçêèì çíà÷åíèåì Zýôô
ïîçâîëÿåò áåç ïîòåðè ðàçðåøåíèÿ çíà÷èòåëüíî ñíè-
çèòü äîçîâûå ðàäèàöèîííûå íàãðóçêè êàê íà
îáúåêò, òàê è íà îáñëóæèâàþùèé ïåðñîíàë.
 õîäå îòæèãà â ïàðàõ Zn ïðîèñõîäèò ïîäàâ-
ëåíèå áåçûçëó÷àòåëüíûõ êàíàëîâ ðåëàêñàöèè, â
ðåçóëüòàòå ÷åãî ïîñëå îòæèãà óðîâåíü ïîñëåñâå-
÷åíèÿ ñíèæàåòñÿ íà 1—2 ïîðÿäêà. Îòæèã â ïà-
ðàõ Zn ÿâëÿåòñÿ íåîáõîäèìûì ýòàïîì ïðè ïîëó-
÷åíèè ìàòåðèàëîâ òèïà ZnSe(Te), ZnSe(S),
ZnS(Te) è ZnS(Se).
Ââåäåíèå â èñõîäíóþ øèõòó íåèçîâàëåíòíîé
äîíîðíîé ïðèìåñè òèïà Al ïðèâîäèò ê îáðàçîâà-
íèþ äîïîëíèòåëüíûõ ñâîáîäíûõ íîñèòåëåé çàðÿ-
äà (äâóõâàëåíòíûå àòîìû Zn2+ çàìåùàþòñÿ òðåõ-
âàëåíòíûìè àòîìàìè AlZn), êîòîðûå ìîãóò çà-
ïîëíÿòü ëîâóøêè, òåì ñàìûì ñíèæàÿ óðîâåíü
ïîñëåñâå÷åíèÿ ÕÑ òèïà ZnSe(S, Al). Òàêîå ëåãè-
ðîâàíèå ïîçâîëÿåò èñêëþ÷èòü èç ïðîöåññà ïîëó-
÷åíèÿ ÕÑ äîïîëíèòåëüíûé ýíåðãîåìêèé ýòàï —
ïîñëåðîñòîâûé îòæèã â ïàðàõ Zn.
Ñöèíòèëëÿòîðû ZnS(ΣX) îáëàäàþò âûñîêèì
îïòè÷åñêèì ïðîïóñêàíèåì (R=75—80%), áëèçêèì
ê çíà÷åíèþ äëÿ íåëåãèðîâàííîãî ZnS (ðèñ. 1, êðè-
âûå 2, 3, 6). Êðàé ïîãëîùåíèÿ ñìåùåí â êîðîòêî-
âîëíîâóþ îáëàñòü, ÷òî ñâÿçàíî ñî çíà÷èòåëüíîé
ðàçíèöåé â çíà÷åíèÿõ øèðèíû çàïðåùåííîé çîíû
ZnS(ΣX) (Eg=3,6 ýÂ) è ZnSe(ΣX) (Eg=2,8 ýÂ).
Çíà÷åíèå îïòè÷åñêîãî ïðîïóñêàíèÿ ñöèíòèëëÿòî-
ðîâ ZnSe(S) è ZnSe(S, Al) íà 5—10% âûøå, ÷åì
ó ZnSe(Te) (R=60—65%). Ââåäåíèå ñåðû â êðèñ-
òàëëû ZnSe, â îòëè÷èå îò àêòèâèðóþùåé ïðèìå-
ñè Te, ïðèâîäèò ê óëó÷øåíèþ îïòè÷åñêîãî ïðî-
ïóñêàíèÿ â îáëàñòè èõ ñîáñòâåííîãî èçëó÷åíèÿ.
Âûñîêàÿ îïòè÷åñêàÿ ïðîçðà÷íîñòü êðèñòàëëîâ òèïà
ZnS(ΣX) ïîçâîëÿåò óâåëè÷èâàòü ðàçìåðû ñöèí-
òèëëÿöèîííûõ ýëåìåíòîâ è ñóùåñòâåííî ðàñøè-
ðèòü îáëàñòü èõ ïðàêòè÷åñêîãî ïðèìåíåíèÿ.
Ñïåêòðû èçëó÷åíèÿ âñåõ ÕÑ,
êðîìå ZnS(Te) (λmax1=420 íì,
λmax2=570 íì) è îêñèäíîãî ñöèí-
òèëëÿòîðà CWO (λmax= 490 íì),
íàõîäèòñÿ â êðàñíîé îáëàñòè
ñïåêòðà (λmax = 580—640 íì)
(ðèñ. 2). Äëÿ êðèñòàëëà ZnS(Se)
íàáëþäàåòñÿ ñóùåñòâåííîå ñìåùå-
íèå ìàêñèìóìà ñïåêòðà èçëó÷å-
íèÿ â êðàñíóþ îáëàñòü ïîñëå îò-
æèãà â ïàðàõ Zn — c 520 äî 575—
580 íì. Ñëåäóåò îòìåòèòü, ÷òî
ñìåùåííûé â êðàñíóþ îáëàñòü
ñïåêòð èçëó÷åíèÿ áîëüøèíñòâà
ÕÑ ñóùåñòâåííî óëó÷øàåò ñïåê-
Ðèñ. 1. Ñïåêòðû îïòè÷åñêîãî ïðîïóñêàíèÿ ðàçëè÷-
íûõ ÕÑ:
1 — ZnSe(Te); 2 — ZnS(Te); 3 — ZnS(Se); 4 — ZnSe(S);
5 — ZnSe(S, Al); 6 — ZnS(Se, Al); 7 — ZnS
R, %
80
60
40
20
0
300 400 500 600 λ, íì
7
2
3
15
4
6
Êðèñòàëë Zýôô Sîòí
η ÷åðåç
20 ìñ, %
τ, ìêñ λmax, íì
ZnSe(Te) 33 1,7—2,5 0,05 30—120 630—640
ZnS(Te) 26 0,9—1,2 ≤2 0,2—0,3 420/570
ZnS(Se) 26 1,4—1,6 0,05 0,1—0,2 575—580
ZnSe(S) 33 1,3—1,9 <0,01 1—5 590—600
ZnSe(S,Al) 33 1,7—2,4 <0,05 0,9—2,5 610—620
ZnS(Se,Al) 26 1,2—2,1 <0,04 0,2—0,3 490—600
CWO 66 1 <0,005 20 490
Îñíîâíûå õàðàêòåðèñòèêè õàëüêîãåíèäíûõ ñöèíòèëëÿòîðîâ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 4
27
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
òðàëüíîå ñîãëàñîâàíèå ñ Si-ôîòîäèîäàìè, ïîâû-
øàÿ òåì ñàìûì ðàäèàöèîííóþ ÷óâñòâèòåëüíîñòü
äåòåêòîðîâ òèïà «ñöèíòèëëÿòîð — ôîòîäèîä».
Âðåìÿ âûñâå÷èâàíèÿ τ êðèñòàëëîâ òèïà
ZnSe(S) íà ïîðÿäîê, à ZnS(Se) íà äâà ïîðÿäêà
ìåíüøå, ÷åì ó êðèñòàëëîâ ZnSe(Te). Ýòî ìîæåò
áûòü ñâÿçàíî ñ òåì, ÷òî ïðèìåñíûå àòîìû S è Se â
îòëè÷èå îò àòîìîâ Te íå ÿâëÿþòñÿ èçîâàëåíòíûìè
öåíòðàìè ïðîìåæóòî÷íîãî çàõâàòà íîñèòåëåé çà-
ðÿäà [8]. Òàêèå îñîáåííîñòè êèíåòèêè âûñâå÷è-
âàíèÿ ÕÑ íà îñíîâå ZnS ïîçâîëÿþò ñîçäàâàòü äå-
òåêòèðóþùèå òðàêòû ñ ïîâûøåííûì áûñòðîäåé-
ñòâèåì è ïðîñòðàíñòâåííî-âðåìåííûì ðàçðåøåíè-
åì, ðàáîòàþùèå â ðåæèìå ðåàëüíîãî âðåìåíè.
Èññëåäîâàíèÿ òåìïåðàòóðíûõ çàâèñèìîñòåé
ïîêàçàëè, ÷òî ìàòåðèàëû òèïà ZnS(ΣX) èìåþò
áîëåå âûñîêóþ òåìïåðàòóðíóþ ñòàáèëüíîñòü ïà-
ðàìåòðîâ, ÷åì ìàòåðèàëû íà îñíîâå ñåëåíèäà
öèíêà, à òàêæå CWO è CsI(Tl). Îòêëîíåíèå
âåëè÷èíû ñâåòîâûõîäà ïðè óâåëè÷åíèè òåìïåðà-
òóðû Ò â äèàïàçîíå îò 80 äî 450 Ê äëÿ ìàòåðèà-
ëà ZnS(Se, Al) íå ïðåâûøàåò 5—8% (ðèñ. 3).
Òåðìîãàøåíèå ëþìèíåñöåíöèè äëÿ êðèñòàëëîâ
òèïà ZnS(Se, Al) ïðîèñõîäèò â îáëàñòè 450—
500 Ê, ÷òî ïîçâîëÿåò ñîçäàâàòü íà èõ îñíîâå áî-
ëåå òåðìîóñòîé÷èâûå ñöèíòèëëÿòîðû, ÷åì íà îñ-
íîâå êðèñòàëëîâ ZnSe(Te), à òàêæå îêñèäíûõ è
ùåëî÷íî-ãàëîèäíûõ ñöèíòèëëÿòîðîâ.
Èçâåñòíî, ÷òî äëÿ êðèñòàëëîâ ZnSe(Te) öåíò-
ðàìè ñâå÷åíèÿ ÿâëÿþòñÿ òåðìîäèíàìè÷åñêè ñòà-
áèëüíûå êîìïëåêñû òèïà TeSeVZnZni, äëÿ êðèñ-
òàëëîâ ZnSe(O) — OSeZniVZn [8—10]. Êàê ïî-
êàçàíî â [11, 12], àòîìû S è Se ÿâëÿþòñÿ êèñëî-
ðîäîïîäîáíûìè ïðèìåñÿìè äëÿ êðèñòàëëîâ ñåëå-
íèäà è ñóëüôèäà öèíêà ñîîòâåòñòâåííî. Ìîæíî
ïðåäïîëîæèòü, ÷òî öåíòðû ñâå÷åíèÿ äëÿ êðèñ-
òàëëîâ òèïà ZnSe(S) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìï-
ëåêñû SSeZniVZn, à äëÿ êðèñòàëëîâ òèïà ZnS(Se)
— êîìïëåêñû SeSZniVZn. Òåðìîäèíàìè÷åñêèå ðàñ-
÷åòû ïîêàçûâàþò âîçìîæíîñòü îáðàçîâàíèÿ ñòà-
áèëüíûõ òðèïëåòîâ òàêîãî òèïà â ÕÑ [13].
Íàáëþäàåìîå óâåëè÷åíèå ïðîçðà÷íîñòè è òåð-
ìîñòàáèëüíîñòè ïàðàìåòðîâ êðèñòàëëîâ ÕÑ
ZnS(ΣX) ïî ñðàâíåíèþ ñ ëåãèðîâàííûìè êðèñ-
òàëëàìè ñåëåíèäà öèíêà ìîæíî îáúÿñíèòü ñëåäó-
þùèì. Øèðèíà çàïðåùåííîé çîíû ZnS(ΣX) çà-
ìåòíî áîëüøå, ÷åì ó ZnSe(ΣX) — ñîîòâåòñòâåííî,
3,6 è 2,8 ýÂ (ðèñ. 4). Ïðè ïðèìåðíî îäèíàêîâîé
ýíåðãèè èçëó÷àåìûõ ôîòîíîâ ýòèõ êðèñòàëëîâ
(hυ≈2 ýÂ, èçëó÷àòåëüíûå ïåðåõîäû «çîíà ïðîâî-
äèìîñòè — öåíòð ñâå÷åíèÿ À») ýíåðãèÿ àêòèâà-
öèè òåðìîãàøåíèÿ ëþìèíåñöåíöèè äëÿ ZnS(ΣX)
Ea2 íà 0,8 ý áîëüøå, ÷åì Ea1 äëÿ ZnSe(ΣX). Ïî-
ýòîìó òåðìîèîíèçàöèÿ öåíòðîâ ñâå÷åíèÿ â ÕÑ
íà îñíîâå ZnS(ΣX) ïðîèñõîäèò ïðè òåìïåðàòóðå
íà 70—80 Ê âûøå, ÷åì â ÕÑ íà îñíîâå ZnSe.
Êðîìå òîãî, ìàêñèìóì ñïåêòðà èçëó-
÷åíèÿ ÕÑ òèïà ZnS(ΣX) íàõîäèòñÿ
äàëüøå îò êðàÿ ïîãëîùåíèÿ, ÷åì äëÿ
ZnSe(ΣX), ÷òî îáóñëàâëèâàåò èõ ðàç-
íèöó â ïðîçðà÷íîñòè äëÿ ñîáñòâåííîãî
èçëó÷åíèÿ.
Âûâîäû
 ðåçóëüòàòå èññëåäîâàíèÿ ñâîéñòâ
íîâûõ ñöèíòèëëÿöèîííûõ ìàòåðèàëîâ
òèïà ZnS(Se, Al) è ZnSe(S, Al) óñòà-
íîâëåíî, ÷òî îíè îáëàäàþò ðÿäîì ïðå-
èìóùåñòâ ïåðåä ñóùåñòâóþùèìè îê-
ñèäíûìè, ùåëî÷íî-ãàëîèäíûìè è
õàëüêîãåíèäíûìè ñöèíòèëëÿòîðàìè.
Îíè ïîçâîëÿþò ñóùåñòâåííî óâåëè÷èòü
áûñòðîäåéñòâèå ñèñòåì ìóëüòèýíåðãå-
Ðèñ. 3. Çàâèñèìîñòü ñâåòîâûõîäà ðàçëè÷íûõ ÕÑ
îò òåìïåðàòóðû
Csl(Tl)
Soòí
3
2
1
0
100 300 500 Ò,Ê
ZnS(Se, Al)
ZnSe(Te)
ZnSe(S, Al)
CdWO4
Ðèñ. 2. Ñïåêòðû ðåíòãåíîëþìèíåñöåíöèè ÕÑ
Soòí
2,0
1,6
1,2
0,8
0,4
0
400 450 500 550 600 650 λ, íì
CdWO4
ZnS(Te)
ZnS(Se)
ZnSe(S, Al)
ZnSe(S)
ZnSe(Te)
Ðèñ. 4. Ýíåðãåòè÷åñêàÿ ñòðóêòóðà èçëó÷àòåëüíûõ ïðî-
öåññîâ â ÕÑ íà îñíîâå ZnSe (a) è ZnS (á)
Âàëåíòíàÿ çîíà
Âàëåíòíàÿ çîíà
Ç
àï
ðå
ù
åí
íà
ÿ
çî
íà
Â
îç
áó
æ
äå
íè
å
Çîíà ïðîâîäèìîñòè
å–
Çîíà ïðîâîäèìîñòè
å–
å+
Åà1=0,8 ýÂ
å+
Å
g=
3,
6
ýÂ
Å
g=
2,
8
ýÂ
λmax=600—610 íì
Ç
àï
ðå
ù
åí
íà
ÿ
çî
íà
Â
îç
áó
æ
äå
íè
å
à)
λmax=600—610 íì
á)
Åà2=1,6 ýÂ
AZnSAZnSe
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 4
28
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
òè÷åñêîé öèôðîâîé ðåíòãåíîâñêîé ðàäèîãðàôèè
è äðóãèõ ðàäèàöèîííî-÷óâñòâèòåëüíûõ óñòðîéñòâ.
Íèçêîå çíà÷åíèå ýôôåêòèâíîãî àòîìíîãî íîìå-
ðà Zýôô ó òàêèõ ìàòåðèàëîâ ïîçâîëÿåò ïîëó÷àòü
äåòàëüíóþ èíôîðìàöèþ îò îáúåêòîâ ñ íèçêîé
ïëîòíîñòüþ, âûñîêàÿ òåðìîñòàáèëüíîñòü âûõîä-
íûõ ïàðàìåòðîâ ïîâûøàåò ýêñïëóàòàöèîííóþ íà-
äåæíîñòü ñèñòåì ðàäèîãðàôèè è äîñòîâåðíîñòü
ïîëó÷àåìûõ ðåçóëüòàòîâ, à âûñîêèé ñâåòîâûõîä
ïîçâîëÿåò ñíèçèòü ðàäèàöèîííóþ íàãðóçêó íà
èçó÷àåìûé îáúåêò è îáñëóæèâàþùèé ïåðñîíàë.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1.Ãðèí¸â Á. Â., Ðûæèêîâ Â. Ä., Ñåìèíîæåíêî Â. Ï. Ñöèí-
òèëëÿöèîííûå äåòåêòîðû è ñèñòåìû êîíòðîëÿ ðàäèàöèè íà èõ
îñíîâå.— Êèåâ: Íàóêîâà äóìêà, 2007. [Grinyov B. V., Ryzhikov
V. D., Seminozhenko V. P. Stsintillyatsionnye detektory i sistemy
kontrolya radiatsii na ikh osnove. Kiev. Naukova Dumka. 2007]
2.Ryzhikov V., Starzhinskiy N., Katrunov K., Gal’chinetskii L.
Absolute light yield of ZnSe(Te) and ZnSe(Te, O) scintillators //
Functional Materials.— 2002.— Vol. 9, N 1.— P. 135—138.
3.Ïàò. 74998 Óêðàèíû. Ñïîñîá ïîëó÷åíèÿ ñöèíòèëëÿöè-
îííîãî ìàòåðèàëà íà îñíîâå àêòèâèðîâàííîãî ñåëåíèäà öèíêà
/ Í. Ã. Ñòàðæèíñêèé, Á. Â. Ãðèí¸â, Ê. À. Êàòðóíîâ è äð.—
2006.— Áþë. ¹ 2. [Pat. 74998 Ukrainy. N. G. Starzhinskii,
B. V. Grinyov, K. A. Katrunov i dr. 2006. Bull. N 2]
4.Starzhinskiy N., Grinyov B., Zenya I. et al. New trends
in development of AIIBVI-based scintillators // IEEE Trans.
Nucl. Sci.— 2008.— Vol. 55, N. 3.— P. 1542—1546.
5.Ryzhikov V., Starzhinskiy N., Katrunov K., Gal’chinetskii L.
Absolute light yield of ZnSe(Te) and ZnSe(Te, O) scintillators //
Functional Materials.— 2002.— Vol. 9, N 1.— P. 135—138.
6.Ñòàðæèíñêèé Í. Ã., Æóêîâ À. Â., Ðûæèêîâ Â. Ä. è äð.
Ïåðñïåêòèâíûå ðàçðàáîòêè ñöèíòèëëÿòîðîâ íà îñíîâå øèðî-
êîçîííûõ áèíàðíûõ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðèàëîâ // Òð.
Ìåæäóíàð. êîíôåð. ñòóäåíòîâ è ìîëîäûõ ó÷åíûõ ïî òåîðåòè-
÷åñêîé è ýêñïåðèìåíòàëüíîé ôèçèêå «Ýâðèêà-2012». Óêðàèíà,
ã. Ëüâîâ.— 2012.— Ñ. 2. [Starzhinskii N. G., Zhukov A. V.,
Ryzhikov V. D. i dr. // Tr. Mezhdunar. konfer. studentov i
molodykh uchenykh po teoreticheskoi i eksperimental'noi fizike
"Evrika-2012". Ukraine, L'vov. 2012. P. 2]
7.Êàòðóíîâ Ê. À., Ëàëàÿíö À. È., Ãàëü÷èíåöêèé Ë. Ï. è
äð. Ýôôåêòèâíûå ñöèíòèëÿöèîííûå ìàòåðèàëû íà îñíîâå òâåð-
äûõ ðàñòâîðîâ ZnS1–xTex è ïåðñïåêòèâû èõ ïðèìåíåíèÿ //
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå.—
2011.— ¹1—2.— Ñ. 60—64. [Katrunov K. A., Lalayants A. I.,
Gal'chinetskii L. P. i dr. // Tekhnologiya i Konstruirovanie v
Elektronnoi Apparature. 2011. N 2. P. 60]
8.Ñòàðæèíñêèé Í. Ã., Ãðèí¸â Á. Â., Ãàëü÷èíåöêèé Ë. Ï.,
Ðûæèêîâ Â. Ä. Ñöèíòèëëÿòîðû íà îñíîâå ñîåäèíåíèé ÀIIBVI.
Ïîëó÷åíèå, ñâîéñòâà è îñîáåííîñòè ïðèìåíåíèÿ.— Õàðüêîâ:
Èíñòèòóò ìîíîêðèñòàëëîâ, 2007. [Starzhinskii N. G., Grinyov
B. V., Gal'chinetskii L. P., Ryzhikov V. D. Stsintillyatory na
osnove soedinenii AIIBVI. Poluchenie, svoistva i osobennosti
primeneniya. Khar'kov. Institut monokristallov. 2007]
9.Ryzhikov V. D., Starzhinskiy N. G., Gal’chinetskii L. P.
et al. The role of oxygen in formation of radiative recombination
centers in ZnSe1-xTex crystals // International Journal of
Inorganic Materials.— 2001.— Vol. 8, N 3.— P. 1227—1229.
10. Ryzhikov V., Gashin P., Starzhinskiy N. et al.
Luminescence properties of isovalently doped ZnSe crystals //
Functional Materials.— 2003.— Vol. 10, N 2.— P. 207—210.
11. Koshkin V. M., Zazunov A. L., Ryzhikov V. D. et al.
Thermodynamic and radiation peculiarities of isovalently doped
semiconductor compounds // Book of Abstracts of 16th IUPAC
Conference on Chemical Thermodynamics.— Canada, Halifax.—
2000.— P. 38.
12. Koshkin V. M., Dulfan A. Ya., Ganina N. V. et al.
Tellurium, sulfur, and oxygen isovalent impurities in ZnSe
semiconductor // Functional Materials.— 2002.— Vol. 9,
N 3.— P. 438—441.
13. Àòðîùåíêî Ë. Â., Ãðèí¸â Á. Â., Ðûæèêîâ Â. Ä. è
äð. Êðèñòàëëû ñöèíòèëëÿòîðîâ è äåòåêòîðû èîíèçèðóþùèõ
èçëó÷åíèé íà èõ îñíîâå.— Êèåâ: Íàóêîâà äóìêà, 1998.
[Atroshchenko L. V., Grinyov B. V., Ryzhikov V. D. i dr.
Kristally stsintillyatorov i detektory ioniziruyushchikh izluchenii
na ikh osnove. Kiev. Naukova dumka. 1998]
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ ðóêîïèñè
â ðåäàêöèþ 05.06 2012 ã.
___________________________
Starzhinskiy N. G., Grinyov B. V., Ryzhikov V. D.,
Maliykin Yu. V., Zhukov A. V., Sidletskiy O. Ts.,
Zenya I. M., Lalayants A. I. Wide-band chalcogenide
scintillators on the basis of AIIBVI compounds.
Keywords: crystals of AIIBVI compounds, zinc sulfide,
scintillation characteristics, luminescence centers,
chalcogenide scintillators.
The formation characteristics of chalcogenide
scintillators (CS) based on zinc sulfide and selenide
are considered. The research has shown that such
scintillators have high specific light yield, low afterglow
level, short luminescence time, low value of the
effective atomic number (Zeff=26—33), large band
gap (Eg=2,8—3,6 eV), high thermal stability of output
parameters. The prospects of use of such scintillators
in various devices of modern radiation instrumentation
has been shown.
Ukraine, Kharkov, Institute for Scintillation Materials
of NAS of Ukraine.
___________________
Ñòðàæèíñüêèé Ì. Ã., Ãðèíüîâ Á. Â., Ðèæèêîâ Â. Ä.,
Ìàëþê³í Þ. Â. Æóêîâ À. Â., ѳäëåöüêèé, Î. Ö.,
Çåíÿ ². Ì., Ëàëàÿíö À. ². Øèðîêîçîíí³ õàëüêîãå-
í³äí³ ñöèíòèëÿòîðè íà îñíîâ³ ñïîëóê AIIBVI.
Êëþ÷îâ³ ñëîâà: êðèñòàëè AIIBVI-ñïîëóê, ñóëüô³ä
öèíêó, ñöèíòèëëÿö³éí³ õàðàêòåðèñòèêè, öåíòðè
ëþì³íåñöåíö³¿, õàëüêîãåí³äí³ ñöèíòèëÿòîðè.
Ðîçãëÿíóòî îñîáëèâîñò³ îòðèìàííÿ õàëüêîãåí³äíèõ
ñöèíòèëÿòîð³â íà îñíîâ³ ñóëüô³äó òà ñåëåí³äó öèíêó.
Äîñë³äæåííÿ ïîêàçàëè, ùî îòðèìàí³ ñöèíòèëëÿòîðè
ìàþòü âèñîêèé ñâ³òëîâèõîä, íèçüêå ï³ñëÿñâ³ò³ííÿ,
ìàëèé òåðì³í âèñâ³÷óâàííÿ, íèçüêå çíà÷åííÿ åôåê-
òèâíîãî àòîìíîãî íîìåðó (Zýôô=26—33), âåëèêó
øèðèíó çàáîðîíåíî¿ çîíè (Eg=2,8—3,6 ýÂ), âûñîêó
òåðìîñòàá³ëüí³ñòü âèõ³äíèõ ïàðàìåòð³â. Ïîêàçàíî ïåð-
ñïåêòèâí³ñòü ¿õ âèêîðèñòàííÿ ó ð³çíèõ ïðèëàäàõ ñó-
÷àñíîãî ðàä³àö³éíîãî ïðèëàäîáóäóâàííÿ.
Óêðà¿íà, ì. Õàðê³â, ²íñòèòóò ñöèíòèëÿö³éíèõ ìàòåð³à-
ë³â ÍÀÍÓ.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51693 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:28:56Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Старжинский, Н.Г. Гринёв, Б.В. Рыжиков, В.Д. Малюкин, Ю.В. Жуков, А.В. Сидлецкий, О.Ц. Зеня, И.М. Лалаянц, А.И. 2013-12-06T21:21:14Z 2013-12-06T21:21:14Z 2012 Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI / Н.Г. Старжинский, Б.В. Гринёв, В.Д. Рыжиков, Ю.В. Малюкин, А.В. Жуков, О.Ц. Сидлецкий, И.М. Зеня, А.И. Лалаянц // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51693 621.387.4 Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффек-тивного атомного номера (Zэфф=26—33), большой шириной запрещенной зоны (Eg=2,8—3,6 эВ), высокой термостабильностью выходных параметров. Показана перспективность их применения в различных устройствах современного радиационного приборостроения. Розглянуто особливості отримання халькогенідних сцинтиляторів на основі сульфіду та селеніду цинку. Дослідження показали, що отримані сцинтиллятори мають високий світловиход, низьке післясвітіння, малий термін висвічування, низьке значення ефективного атомного номеру (Zэфф=26—33), велику ширину забороненої зони (E g=2,8—3,6 эВ), высоку термостабільність вихідних параметрів. Показано перспективність їх використання у різних приладах сучасного радіаційного приладобудування. The formation characteristics of chalcogenide scintillators (CS) based on zinc sulfide and selenide are considered. The research has shown that such scintillators have high specific light yield, low afterglow level, short luminescence time, low value of the effective atomic number (Zeff=26—33), large band gap (Eg=2,8—3,6 eV), high thermal stability of output parameters. The prospects of use of such scintillators in various devices of modern radiation instrumentation has been shown. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI Широкозонні халькогенідні сцинтилятори на основі сполук AIIBVI Wide-band chalcogenide scintillators on the basis of AIIBVI compounds Article published earlier |
| spellingShingle | Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI Старжинский, Н.Г. Гринёв, Б.В. Рыжиков, В.Д. Малюкин, Ю.В. Жуков, А.В. Сидлецкий, О.Ц. Зеня, И.М. Лалаянц, А.И. Материалы электроники |
| title | Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI |
| title_alt | Широкозонні халькогенідні сцинтилятори на основі сполук AIIBVI Wide-band chalcogenide scintillators on the basis of AIIBVI compounds |
| title_full | Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI |
| title_fullStr | Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI |
| title_full_unstemmed | Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI |
| title_short | Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI |
| title_sort | широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений aiibvi |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51693 |
| work_keys_str_mv | AT staržinskiing širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi AT grinevbv širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi AT ryžikovvd širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi AT malûkinûv širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi AT žukovav širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi AT sidleckiioc širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi AT zenâim širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi AT lalaâncai širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedineniiaiibvi AT staržinskiing širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi AT grinevbv širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi AT ryžikovvd širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi AT malûkinûv širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi AT žukovav širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi AT sidleckiioc širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi AT zenâim širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi AT lalaâncai širokozonníhalʹkogenídníscintilâtorinaosnovíspolukaiibvi AT staržinskiing widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT grinevbv widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT ryžikovvd widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT malûkinûv widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT žukovav widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT sidleckiioc widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT zenâim widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT lalaâncai widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds |