Cover Image

Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI

Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффек-тивного атомного номера (Zэфф=26—33)...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2012
Main Authors: Старжинский, Н.Г., Гринёв, Б.В., Рыжиков, В.Д., Малюкин, Ю.В., Жуков, А.В., Сидлецкий, О.Ц., Зеня, И.М., Лалаянц, А.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Subjects:
Материалы электроники
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51693
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI / Н.Г. Старжинский, Б.В. Гринёв, В.Д. Рыжиков, Ю.В. Малюкин, А.В. Жуков, О.Ц. Сидлецкий, И.М. Зеня, А.И. Лалаянц // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items