Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2012
• Автори: Старжинский, Н.Г., Гринёв, Б.В., Рыжиков, В.Д., Малюкин, Ю.В., Жуков, А.В., Сидлецкий, О.Ц., Зеня, И.М., Лалаянц, А.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51693
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI / Н.Г. Старжинский, Б.В. Гринёв, В.Д. Рыжиков, Ю.В. Малюкин, А.В. Жуков, О.Ц. Сидлецкий, И.М. Зеня, А.И. Лалаянц // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 25-28. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффек-тивного атомного номера (Zэфф=26—33)...