Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2012
• ISSN: 2225-5818
• 1. Verfasser: Новицкий, С.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51695
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига. Експериментально підтверджено, що температурна залежність питомого контактного опору омічних контактів Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP опи-сується моделлю струмопреносу з високою щільністю дислокацій у приконтактній ділянці напівпровідника. Досліджувались зразки, отримані при різних температурах відпалу. It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures.