Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных темпер...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51695 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860115372642926592 |
|---|---|
| author | Новицкий, С.В. |
| author_facet | Новицкий, С.В. |
| citation_txt | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига.
Експериментально підтверджено, що температурна залежність питомого контактного опору омічних контактів Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP опи-сується моделлю струмопреносу з високою щільністю дислокацій у приконтактній ділянці напівпровідника. Досліджувались зразки, отримані при різних температурах відпалу.
It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:36:21Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 4
32
ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
ÓÄÊ 537.311.4
Ñ. Â. ÍÎÂÈÖÊÈÉ
Óêðàèíà, ã. Êèåâ, Èíñòèòóò ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà ÍÀÍÓ
E-mail: serg_nov@ukr.net
ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈÅ ÒÅÌÏÅÐÀÒÓÐÍÎÉ ÇÀÂÈÑÈÌÎÑÒÈ
ÊÎÍÒÀÊÒÍÎÃÎ ÑÎÏÐÎÒÈÂËÅÍÈß
ÎÌÈ×ÅÑÊÈÕ ÊÎÍÒÀÊÒÎÂ Ê InP
Ýêñïåðèìåíòàëüíî ïîäòâåðæäåíî, ÷òî òåìïåðàòóðíàÿ çàâèñèìîñòü óäåëüíîãî êîíòàêòíîãî
ñîïðîòèâëåíèÿ îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ Au—TiB2—Ge—Au—n—n+—n++-InP îïèñûâàåòñÿ ìîäå-
ëüþ òîêîïåðåíîñà ñ âûñîêîé ïëîòíîñòüþ äèñëîêàöèé â ïðèêîíòàêòíîé îáëàñòè ïîëóïðîâîä-
íèêà. Èññëåäîâàëèñü îáðàçöû, ïîëó÷åííûå ïðè ðàçíûõ òåìïåðàòóðàõ îòæèãà.
Êëþ÷åâûå ñëîâà: ôîñôèä èíäèÿ, îìè÷åñêèé êîíòàêò, äèñëîêàöèè, óäåëüíîå êîíòàêòíîå ñîïðî-
òèâëåíèå.
Ñ ïîâûøåíèåì ÷àñòîò ðàáî÷åãî äèàïàçîíà ïî-
ëóïðîâîäíèêîâûõ ìèêðîâîëíîâûõ ïðèáîðîâ è
ïåðåõîäîì â äèàïàçîí ìèëëèìåòðîâûõ âîëí ïî-
ñòîÿííî ðàñòåò óðîâåíü òðåáîâàíèé ê ïðèáîð-
íûì ñòðóêòóðàì. Â ñâÿçè ñ ýòèì áîëüøîå âíèìà-
íèå óäåëÿåòñÿ èññëåäîâàíèÿì ôîñôèäà èíäèÿ
InP, ò. ê. èìåííî â ýòîì ìàòåðèàëå äðåéôîâàÿ
ñêîðîñòü íîñèòåëåé çàðÿäà áîëüøå, à âðåìÿ ìåæ-
äîëèííîãî ïåðåõîäà è êîýôôèöèåíò èîíèçàöèè
ýëåêòðîíîâ ìåíüøå, ÷åì â Si è GaAs, êîòîðûå
äàëè ñòàðò ïîëóïðîâîäíèêîâîé ÑÂ×-ýëåêòðîíè-
êå. Äèîäû Ãàííà íà îñíîâå ôîñôèäà èíäèÿ èí-
òåíñèâíî ðàçðàáàòûâàþòñÿ âåäóùèìè ôèðìàìè
è ïðèìåíÿþòñÿ â ðàäèîëîêàöèè, ðàäèîñïåêòðî-
ñêîïèè, ñèñòåìàõ íîâåéøèõ òåëåêîììóíèêàöèé,
ïðåäóïðåæäåíèÿ àâòîìîáèëüíûõ ñòîëêíîâåíèé
è ìíîãèõ äðóãèõ [1—4].
Îäíàêî ïðåèìóùåñòâà ôîñôèä-èíäèåâûõ ïðè-
áîðîâ ìîãóò áûòü íèâåëèðîâàíû, åñëè íå óäå-
ëÿòü äîñòàòî÷íîãî âíèìàíèÿ îìè÷åñêèì êîíòàê-
òàì ê íèì. Êàê èçâåñòíî, îìè÷åñêèé êîíòàêò
ñîçäàåòñÿ äîïîëíèòåëüíûì ëåãèðîâàíèåì ïðèêîí-
òàêòíîé îáëàñòè ïîëóïðîâîäíèêà èëè ñïëàâëå-
íèåì ñ öåëüþ ïîíèæåíèÿ åãî ñîïðîòèâëåíèÿ. Õî-
ðîøèé îìè÷åñêèé êîíòàêò äîëæåí èìåòü ëèíåé-
íóþ çàâèñèìîñòü òîêà îò íàïðÿæåíèÿ â øèðî-
êèõ òåìïåðàòóðíûõ è âðåìåííûõ èíòåðâàëàõ.
Èçâåñòíî, ÷òî óäåëüíîå ñîïðîòèâëåíèå ρñ êîí-
òàêòà «ìåòàëë—ïîëóïðîâîäíèê» â çàâèñèìîñòè
îò ìåõàíèçìà òîêîïåðåíîñà ñ ðîñòîì òåìïåðàòó-
ðû Ò äîëæíî ëèáî óìåíüøàòüñÿ, ëèáî íå çàâè-
ñåòü îò òåìïåðàòóðû [5]. Îäíàêî â ðÿäå ðàáîò â
ñïëàâíûõ êîíòàêòàõ ê øèðîêîçîííûì ïîëóïðî-
âîäíèêàì ñ ñèëüíîäåôåêòíîé ïðèêîíòàêòíîé îá-
ëàñòüþ íàáëþäàëàñü èíàÿ çàâèñèìîñòü — ρñ ñ
ðîñòîì Ò âîçðàñòàëî [6, 7]. Ýòî íå ñîãëàñóåòñÿ
íè ñ òåðìîýëåêòðîííûì, íè ñ òåðìîïîëåâûì ìå-
õàíèçìàìè òîêîïðîõîæäåíèÿ, ïðè êîòîðûõ
óäåëüíîå êîíòàêòíîå ñîïðîòèâëåíèå äîëæíî
óìåíüøàòñÿ ñ ðîñòîì òåìïåðàòóðû, íè ñ ìåõà-
íèçìîì ïîëåâîé ýìèññèè, êîãäà óäåëüíîå êîí-
òàêòíîå ñîïðîòèâëåíèå ïðàêòè÷åñêè íå çàâèñèò
îò òåìïåðàòóðû. Òàê, â [7] äëÿ ñïëàâíîãî êîí-
òàêòà In—n-GaP ñ áîëüøîé êîíöåíòðàöèåé äèñ-
ëîêàöèé â ïðèêîíòàêòíîé îáëàñòè ïîëóïðîâîä-
íèêà âîçðàñòàþùàÿ çàâèñèìîñòü óäåëüíîãî êîí-
òàêòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ îò òåìïåðàòóðû, ïî ïðåä-
ïîëîæåíèþ àâòîðîâ, îáóñëîâëåíà ìåòàëëè÷åñêè-
ìè øóíòàìè, êîòîðûå ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé àòîìû
èíäèÿ, ëîêàëèçîâàííûå íà äèñëîêàöèÿõ, ïåðåñå-
êàþùèõ îáëàñòü îáúåìíîãî çàðÿäà. Îäíàêî ñî-
ïðîòèâëåíèå ìåòàëëà ïðè òåìïåðàòóðàõ, ïðåâû-
øàþùèõ òåìïåðàòóðó Äåáàÿ, äîëæíî ëèíåéíî âîç-
ðàñòàòü, à ýòîãî â ýêñïåðèìåíòå íå íàáëþäàëîñü.
 [8] ïîäîáíûå ðåçóëüòàòû îáúÿñíÿëèñü îãðàíè-
÷åíèåì ïðîòåêàþùåãî òîêà äèôôóçèîííûì ïîä-
âîäîì ýëåêòðîíîâ â ïîëóïðîâîäíèêå ñ n—n+-ïå-
ðåõîäîì, ïðè ýòîì ïðåäïîëàãàëîñü, ÷òî ρñ∼Ò
2.
 [9] ïðè îïðåäåëåíèè ïðè÷èí ðîñòà ρñ ñ óâå-
ëè÷åíèåì òåìïåðàòóðû â êîíòàêòå Au—Ti—
Pd2Si—n+Si ó÷èòûâàåòñÿ ïðîõîæäåíèå òîêà ÷å-
ðåç ìåòàëëè÷åñêèå øóíòû, êîòîðûå ïðîíèçûâà-
þò äèñëîêàöèè, è îãðàíè÷åíèå ïðîòåêàþùåãî
òîêà äèôôóçèîííûì ïîäâîäîì. Ïðèíöèïèàëü-
íûì îòëè÷èåì [9] îò äðóãèõ òåîðèé ÿâëÿåòñÿ
ïðåäïîëîæåíèå î ïðîòåêàíèè òîêà ÷åðåç ó÷àñò-
êè, îáîãàùåííûå, à íå îáåäíåííûå ýëåêòðîíàìè,
îáóñëîâëèâàþùèå ôîðìèðîâàíèå ïîòåíöèàëüíîé
ÿìû, à íå áàðüåðà.
 íàñòîÿùåé ðàáîòå ïðåäëîæåííûé â [9] ïîä-
õîä ïðèìåíåí äëÿ èññëåäîâàíèÿ òåìïåðàòóðíîé
çàâèñèìîñòè óäåëüíîãî êîíòàêòíîãî ñîïðîòèâëå-
íèÿ îìè÷åñêîãî êîíòàêòà ê ôîñôèä-èíäèåâîé
ýïèòàêñèàëüíîé n—n+—n++-ñòðóêòóðå.
Ýêñïåðèìåíòàëüíûå îáðàçöû Au—TiB2—Ge—
Au—n—n+—n++-InP áûëè ïîëó÷åíû ïîñëåäîâà-
òåëüíûì ìàãíåòðîííûì ðàñïûëåíèåì ñëîåâ êîí-
òàêòíîé ìåòàëëèçàöèè íà ïðåäâàðèòåëüíî î÷è-
ùåííóþ ôîòîííîé îáðàáîòêîé ïîâåðõíîñòü ýïè-
òàêñèàëüíîé ïëåíêè n-InP ñ êîíöåíòðàöèåé äî-
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 4
33
ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
Òåðìîýëåêòðîííûé òîê, âîçíèêàþùèé ïðè
ýòîì, îãðàíè÷èâàåòñÿ äèôôóçèîííûì ïîäâîäîì
ýëåêòðîíîâ 0( (4 )cy
T D nV e L D >>1) è óìåíüøàåò-
ñÿ ñ ðîñòîì òåìïåðàòóðû. Êàê ñëåäñòâèå, âîç-
ðàñòåò êîíòàêòíîå ñîïðîòèâëåíèå Rc0, êîòîðîå â
ñëó÷àå íåâûðîæäåííîãî ïîëóïðîâîäíèêà, êîã-
äà òîê òå÷åò ÷åðåç êîíòàêò «ìåòàëë — ïîëóïðî-
âîäíèê» â ìåñòå âûõîäà äèñëîêàöèè, îïðåäå-
ëÿåòñÿ ïî ôîðìóëå [9]
0 0
0
0,6
1 ,
4 4
c cy yT T
c D d
n
kT V qV
R e L N e
Dq
⎛ ⎞ ⎛ ⎞= +⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠⎝ ⎠
Âåëè÷èíó êîíòàêòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ Rdiff,
îïðåäåëÿåìîãî ìåõàíèçìîì äèôôóçèîííîãî ïîä-
íîðîâ n=9⋅1015 ñì–3, òîëùèíîé n-ñëîÿ îêîëî 2 ìêì.
Òîëùèíà n+-ñëîÿ ñîñòàâëÿëà ïðèìåðíî 3 ìêì,
êîíöåíòðàöèÿ äîíîðíîé ïðèìåñè â íåì — îêîëî
5.1017 ñì–3, òîëùèíà n++-ïîäëîæêè InP ïðèìåð-
íî 350 ìêì, êîíöåíòðàöèÿ äîíîðíîé ïðèìåñè â
íåé — îêîëî 1018 ñì–3. Òîëùèíà ñëîåâ êîíòàêò-
íîé ìåòàëëèçàöèè: Au — 1800 , Ge — 400 ,
TiB2 — 1000 , Au — 2000 . Îìè÷åñêèå êîíòàê-
òû ôîðìèðîâàëèñü â ïðîöåññå áûñòðîé òåðìè-
÷åñêîé îáðàáîòêè ïðè òåìïåðàòóðàõ 410, 435,
450 è 460°Ñ (âðåìÿ îòæèãà 30 c). Çàâèñèìîñòü
óäåëüíîãî êîíòàêòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ îò òåìïå-
ðàòóðû èññëåäîâàëè ìåòîäîì TLM â èíòåðâàëå
100—380 Ê.
Ñîãëàñíî ìîäåëè, ïðåäëîæåííîé â [9—11],
â òîðöå êàæäîé äèñëîêàöèè, çàïîëíåííîé ìå-
òàëëîì è «ïðîðîñøåé» â ïîëóïðîâîäíèê, îáðà-
çóåòñÿ ñëîé Øîòòêè. Ìåæäó íèì è ïîâåðõíîñò-
íûìè ñîñòîÿíèÿìè âîçíèêàåò êîíòàêòíàÿ ðàçíîñòü
ïîòåíöèàëîâ, êîòîðàÿ ïîðîæäàåò ýëåêòðè÷åñêîå
ïîëå. Ïî ïðè÷èíå êðèâèçíû ìåòàëëè÷åñêèõ øóí-
òîâ è èõ ìàëûõ ðàçìåðîâ íàïðÿæåííîñòü ýëåêò-
ðè÷åñêîãî ïîëÿ äîñòàòî÷íî âûñîêà. Ñèëû çåð-
êàëüíîãî èçîáðàæåíèÿ, äåéñòâóþùèå íà ýëåêò-
ðîíû, è êðàåâîé ýôôåêò ïðèâîäÿò ê çíà÷èòåëü-
íîìó ðîñòó íàïðÿæåííîñòè ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ
è, ñîîòâåòñòâåííî, ê ïîíèæåíèþ ïîòåíöèàëüíî-
ãî áàðüåðà íà âåëè÷èíó
0(4 ),sq Z r∆ϕ = πε ε
ãäå q —
Z —
ε0, εs —
r —
çàðÿä ýëåêòðîíà;
êîëè÷åñòâî ýëåêòðîíîâ âîçëå òîðöà äèñëî-
êàöèè;
äèýëåêòðè÷åñêàÿ ïðîíèöàåìîñòü, ñîîòâåòñòâåí-
íî, âàêóóìà è ïîëóïðîâîäíèêà;
ðàäèóñ ìåòàëëè÷åñêîãî øóíòà.
ãäå k —
VT —
Dn —
yc0 —
ϕc0 —
LD —
Nd —
ïîñòîÿííàÿ Áîëüöìàíà;
ñðåäíÿÿ òåïëîâàÿ ñêîðîñòü ýëåêòðîíîâ;
êîýôôèöèåíò äèôôóçèè ýëåêòðîíîâ;
ðàâíîâåñíûé áåçðàçìåðíûé ïîòåíöèàë íà
ãðàíèöå ðàçäåëà «ìåòàëë — ïîëóïðîâîä-
íèê», yc0=qϕc0/(kT);
êîíòàêòíûé ïîòåíöèàë;
äåáàåâñêàÿ äëèíà ýêðàíèðîâàíèÿ;
êîíöåíòðàöèÿ äîíîðîâ â ïîëóïðîâîäíèêå.
Ðèñ. 1. Òåìïåðàòóðíûå çàâèñèìîñòè ρñ èññëåäóåìûõ ñòðóêòóð ïîñëå îòæèãà ïðè ðàçëè÷íûõ òåìïåðàòóðàõ Òî,
èìåþùèõ ðàçëè÷íóþ ïëîòíîñòü ïðîâîäÿùèõ äèñëîêàöèé ND (òî÷êè — ýêñïåðèìåíò; ëèíèÿ — ðàñ÷åò)
â)
à)
18
16
14
12
10
8
6
100 150 200 250 300 350 T, Ê
Òo=410°Ñ
ND=108 ñì–2
8
7
6
5
4
3
100 150 200 250 300 350 T, Ê
Òo=450°Ñ
ND=1,3.108 ñì–2
ã)
á)
14
12
10
8
6
4
2
100 150 200 250 300 350 T, Ê
Òo=435°Ñ
ND=1,2.108 ñì–2
14
12
10
8
6
4
Òo=460°Ñ
ND=1,2.108 ñì–2
ρ ñ
,
10
–
5
Î
ì
. ñ
ì
2
ρ ñ
,
10
–
5
Î
ì
. ñ
ì
2
ρ ñ
,
10
–
5
Î
ì
. ñ
ì
2
ρ ñ
,
10
–
5
Î
ì
. ñ
ì
2
100 150 200 250 300 350 T, Ê
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 4
34
ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
âîäà, äëÿ êîíòàêòà åäèíè÷íîé ïëîùàäè íàõîäè-
ëàñü ïî ôîðìóëå [11]
=
π
0
2
c
diff
D D
R
R
L N ,
ãäå ND — êîíöåíòðàöèÿ ïðîâîäÿùèõ äèñëîêàöèé.
Ïîëíîå ñîïðîòèâëåíèå êîíòàêòà Rc áóäåò
îïðåäåëÿòüñÿ ïîñëåäîâàòåëüíî âêëþ÷åííûìè ñî-
ïðîòèâëåíèÿìè Rdiff è Rsh:
Rc=Rdiff+Rsh,
Íà ðèñ. 1, ãäå ïîêàçàíû òåìïåðàòóðíûå çàâè-
ñèìîñòè óäåëüíîãî êîíòàêòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ
ïîñëå îòæèãà, âèäíî, ÷òî ýêñïåðèìåíòàëüíûå ðå-
çóëüòàòû äîñòàòî÷íî õîðîøî îïèñûâàþòñÿ òåîðå-
òè÷åñêîé ìîäåëüþ ôîðìèðîâàíèÿ êîíòàêòíîãî ñî-
ïðîòèâëåíèÿ â ïîëóïðîâîäíèêàõ ñ áîëüøîé ïëîò-
íîñòüþ äèñëîêàöèé, ïðåäëîæåííîé â [9—11].
Íàèìåíüøåå óäåëüíîå êîíòàêòíîå ñîïðîòèâëåíèå
(ρñ=5,2.10–5 Îì.ñì2) èìååò îáðàçåö, ïðîøåäøèé
òåðìè÷åñêóþ îáðàáîòêó ïðè 450°Ñ.
***
Òàêèì îáðàçîì, ýêñïåðèìåíòàëüíûå òåìïåðà-
òóðíûå çàâèñèìîñòè óäåëüíîãî êîíòàêòíîãî ñîïðî-
òèâëåíèÿ îìè÷åñêèõ êîíòàêòîâ AuGe—TiB2—Au
ê InP íàõîäÿòñÿ â ñîîòâåòñòâèè ñ ðàññ÷èòàííûìè
ïî ìîäåëè òîêîïåðåíîñà â îìè÷åñêèõ êîíòàêòàõ
ñ âûñîêîé ïëîòíîñòüþ äèñëîêàöèé â ïðèêîíòàêò-
íîé îáëàñòè ïîëóïðîâîäíèêà. Òàêàÿ ìîäåëü ïî-
çâîëÿåò îïðåäåëèòü òåìïåðàòóðó ôîðìèðîâà-
íèÿ îìè÷åñêîãî êîíòàêòà «ìåòàëë — ïîëóïðî-
âîäíèê», ïðè êîòîðîé óäåëüíîå êîíòàêòíîå ñî-
ïðîòèâëåíèå áóäåò íàèìåíüøèì. Ïîëó÷åííûå
ðåçóëüòàòû ìîæíî èñïîëüçîâàòü äëÿ îïòèìèçà-
öèè êîíñòðóêöèè ìèêðîâîëíîâûõ ïðèáîðîâ èç
InP â ìèëëèìåòðîâîì äèàïàçîíîâ äëèí âîëí.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Eisele H., Kamoua R. Sub millimeter-wave InP Gunn devices
// IEEE MTT.— 2004.— Vol. 52, N 10.— P. 2371—2378.
2. Eisele H., Rydberg A., Haddad G. I. Recent advances in
the performance of InP Gunn devices and GaAs TUNNETT diodes
for the 100-300-GHz frequency range and above // IEEE
MTT.— 2000.— Vol. 48, N 4.— P. 626—631.
3. Eisele H., Naftaly M., Kamoua R. Generation of submilli-
meter-wave radiation with GaAs TUNNETT diodes and InP Gunn
devices in a second or higher harmonic mode // IJIMW.—
2005.— Vol. 26, N 1.— P. 1—14.
4. Okazaki H., Sato T., Yoshizawa N., Hashizume T. Optical
and electrical properties of InP porous structures formed on p-n-
substrates // Proc. of 22nd 2010 Internat. Confer. «IPRM-
2010».— Japan Kagawa.— 2010.— P. 77—80.
5. Sze S. M., Kwok K. Ng. Physics of semiconductor
devices.— A. John Wiley & Sons, Inc. Publ., 2007.
6. Blank T. V., Gol’dberg Yu. A. Mechanisms of current
flow in metal—semiconductor ohmic contacts (review) //
Semiconductors.— 2007.— Vol. 41, N 11.— P. 1263—1292.
7. Áëàíê Ò. Â., Ãîëüäáåðã Þ. À., Êîíñòàíòèíîâ Î. Â. è
äð. Îñîáåííîñòè ìåõàíèçìà ïðîòåêàíèÿ òîêà â îìè÷åñêîì êîí-
òàêòå ê GaP // Ïèñüìà â ÆÒÔ.— 2004.— Ò. 30, ¹ 19.—
Ñ. 17—24. [Blank T. V., Gol’dberg Yu. A., Konstantinov O. V.
i dr. // Pis’ma v ZhTF. 2004. Vol. 30, N 19. P. 17]
8. Clausen T., Leistiko O., Chorkendorff I., Larsen J.
Transport properties of low-resistance ohmic contacts to InP //
Thin Solid Films.— 1993.— Vol. 232.— P. 215—227.
9. Belyaev A. E., Boltovets N. S., Konakova R.V. et al.
Temperature dependence of contact resistance of Au-Ti-Pd2Si-
n+-Si ohmic contacts // SPQEO.— 2010.— Vol. 13, N 4.—
P. 436—438.
10. Ñà÷åíêî À. Â., Áåëÿåâ À. Å., Áîëòîâåö Í. Ñ. è äð.
Ìåõàíèçìû òîêîïåðåíîñà â îìè÷åñêîì êîíòàêòå ê GaN è äðó-
ãèì ñîåäèíåíèÿì A3B5 ñ âûñîêîé ïëîòíîñòüþ äèñëîêàöèé //
Ìàòåð. 8-é Âñåðîññèéñêîé êîíôåð. «Íèòðèä ãàëëèÿ, èíäèÿ è
àëþìèíèÿ — ñòðóêòóðû è ïðèáîðû».— Ðîññèÿ, ã. Ñàíêò-
Ïåòåðáóðã.— 2011.— C. 229—230. [Sachenko A. V., Belyaev
A. E., Boltovets N. S. i dr. Mekhanizmy tokoperenosa v omiches-
kom kontakte k GaN i drugim soedineniyam A3B5 s vysokoi
plotnost’yu dislokatsii // Mater. 8-i Vserossiiskoi konfer. «Nitrid
galliya, indiya i alyuminiya — struktury i pribory». Rossiya,
St-Petersburg, 2011. P. 229]
11. Sachenko A. V., Belyaev A. E., Bobyl A. V.
Temperature dependence of the contact resistance of ohmic contacts
to III–V compounds with a high dislocation density //
Semiconductors.—2012.— Vol. 46, N 3.—P. 334—341.
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ ðóêîïèñè
â ðåäàêöèþ 28.02 2012 ã.
___________________________
Novitskyi S.V. Effect of annealing temperature
on the value of contact resistance of ohmic
contacts to InP.
Keywords: indium phosphide, ohmic contact,
dislocation, the specific contact resistance.
It is experimentally confirmed that the temperature
dependence of specific contact resistance of ohmic
contacts Au—TiB2—Ge—Au—n—n+—n++-InP is
described with the current transport model with a
high density of dislocations in the contact region of
the semiconductor. The samples used in the experiment
were obtained at different annealing temperatures.
Ukraine, Kyiv, V. Lashkaryov Institute of Semicon-
ductor Physics, NAS of Ukraine.
___________________
Íîâèöüêèé Ñ. Â. Äîñë³äæåííÿ òåìïåðàòóðíî¿ çàëåæ-
íîñò³ êîíòàêòíîãî îïîðó îì³÷íèõ êîíòàêò³â äî InP.
Êëþ÷îâ³ ñëîâà: ôîñô³ä ³íä³þ, îì³÷íèé êîíòàêò,
äèñëîêàö³¿, ïèòîìèé êîíòàêòíèé îï³ð.
Åêñïåðèìåíòàëüíî ï³äòâåðäæåíî, ùî òåìïåðàòóðíà
çàëåæí³ñòü ïèòîìîãî êîíòàêòíîãî îïîðó îì³÷íèõ
êîíòàêò³â Au—TiB2—Ge—Au—n—n+—n++-InP îïè-
ñóºòüñÿ ìîäåëëþ ñòðóìîïðåíîñó ç âèñîêîþ ù³ëüí³ñòþ
äèñëîêàö³é ó ïðèêîíòàêòí³é ä³ëÿíö³ íàï³âïðîâ³äíè-
êà. Äîñë³äæóâàëèñü çðàçêè, îòðèìàí³ ïðè ð³çíèõ òåì-
ïåðàòóðàõ â³äïàëó.
Óêðà¿íà, ì. Êè¿â, ²íñòèòóò ô³çèêè íàï³âïðîâ³äíèê³â
³ì. Â. ª. Ëàøêàðüîâà ÍÀÍÓ.
ãäå Rsh —
ρ0 —
α —
dp —
ñîïðîòèâëåíèå ìåòàëëè÷åñêèõ øóíòîâ,
Rsh=ρ0(1+αT)dp/(πr2ND);
óäåëüíîå ñîïðîòèâëåíèå ìåòàëëà ïðè
Ò=0°Ñ;
òåìïåðàòóðíûé êîýôôèöèåíò ýëåêòðè÷å-
ñêîãî ñîïðîòèâëåíèÿ ìåòàëëà;
ðàññòîÿíèå êîòîðîå ýëåêòðîíû ïðîõîäÿò
ïî äèñëîêàöèè èç îáúåìà ïîëóïðîâîäíèêà
äî ñïëîøíîãî ìåòàëëè÷åñêîãî êîíòàêòà.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51695 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:36:21Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Новицкий, С.В. 2013-12-06T21:26:30Z 2013-12-06T21:26:30Z 2012 Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51695 537.311.4 Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига. Експериментально підтверджено, що температурна залежність питомого контактного опору омічних контактів Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP опи-сується моделлю струмопреносу з високою щільністю дислокацій у приконтактній ділянці напівпровідника. Досліджувались зразки, отримані при різних температурах відпалу. It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP Дослідження температурної залежності контактного опору омічних контактів до InP Effect of annealing temperature on the value of contact resistance of ohmic contacts to InP Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP Новицкий, С.В. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_alt | Дослідження температурної залежності контактного опору омічних контактів до InP Effect of annealing temperature on the value of contact resistance of ohmic contacts to InP |
| title_full | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_fullStr | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_full_unstemmed | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_short | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_sort | исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к inp |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51695 |
| work_keys_str_mv | AT novickiisv issledovanietemperaturnoizavisimostikontaktnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovkinp AT novickiisv doslídžennâtemperaturnoízaležnostíkontaktnogooporuomíčnihkontaktívdoinp AT novickiisv effectofannealingtemperatureonthevalueofcontactresistanceofohmiccontactstoinp |