Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных темпер...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51695 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862712302796537856 |
|---|---|
| author | Новицкий, С.В. |
| author_facet | Новицкий, С.В. |
| citation_txt | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига.
Експериментально підтверджено, що температурна залежність питомого контактного опору омічних контактів Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP опи-сується моделлю струмопреносу з високою щільністю дислокацій у приконтактній ділянці напівпровідника. Досліджувались зразки, отримані при різних температурах відпалу.
It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:36:21Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51695 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:36:21Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Новицкий, С.В. 2013-12-06T21:26:30Z 2013-12-06T21:26:30Z 2012 Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51695 537.311.4 Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига. Експериментально підтверджено, що температурна залежність питомого контактного опору омічних контактів Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP опи-сується моделлю струмопреносу з високою щільністю дислокацій у приконтактній ділянці напівпровідника. Досліджувались зразки, отримані при різних температурах відпалу. It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP Дослідження температурної залежності контактного опору омічних контактів до InP Effect of annealing temperature on the value of contact resistance of ohmic contacts to InP Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP Новицкий, С.В. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_alt | Дослідження температурної залежності контактного опору омічних контактів до InP Effect of annealing temperature on the value of contact resistance of ohmic contacts to InP |
| title_full | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_fullStr | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_full_unstemmed | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_short | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_sort | исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к inp |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51695 |
| work_keys_str_mv | AT novickiisv issledovanietemperaturnoizavisimostikontaktnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovkinp AT novickiisv doslídžennâtemperaturnoízaležnostíkontaktnogooporuomíčnihkontaktívdoinp AT novickiisv effectofannealingtemperatureonthevalueofcontactresistanceofohmiccontactstoinp |