Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP

Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных темпер...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2012
Автор: Новицкий, С.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51695
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51695
record_format dspace
spelling Новицкий, С.В.
2013-12-06T21:26:30Z
2013-12-06T21:26:30Z
2012
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51695
537.311.4
Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига.
Експериментально підтверджено, що температурна залежність питомого контактного опору омічних контактів Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP опи-сується моделлю струмопреносу з високою щільністю дислокацій у приконтактній ділянці напівпровідника. Досліджувались зразки, отримані при різних температурах відпалу.
It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
Дослідження температурної залежності контактного опору омічних контактів до InP
Effect of annealing temperature on the value of contact resistance of ohmic contacts to InP
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
spellingShingle Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
Новицкий, С.В.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
title_full Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
title_fullStr Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
title_full_unstemmed Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
title_sort исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к inp
author Новицкий, С.В.
author_facet Новицкий, С.В.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2012
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Дослідження температурної залежності контактного опору омічних контактів до InP
Effect of annealing temperature on the value of contact resistance of ohmic contacts to InP
description Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига. Експериментально підтверджено, що температурна залежність питомого контактного опору омічних контактів Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP опи-сується моделлю струмопреносу з високою щільністю дислокацій у приконтактній ділянці напівпровідника. Досліджувались зразки, отримані при різних температурах відпалу. It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51695
citation_txt Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT novickiisv issledovanietemperaturnoizavisimostikontaktnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovkinp
AT novickiisv doslídžennâtemperaturnoízaležnostíkontaktnogooporuomíčnihkontaktívdoinp
AT novickiisv effectofannealingtemperatureonthevalueofcontactresistanceofohmiccontactstoinp
first_indexed 2025-12-07T17:36:21Z
last_indexed 2025-12-07T17:36:21Z
_version_ 1850871886955675648