Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
Предложена теоретическая модель плоской пассивной катушки индуктивности с элект-ронным управлением. Приведены расчетные графики зависимости добротности и индуктивности колебательного контура от напряжения прямого смещения n—i—p—i—n-структуры, используемой в качестве специфического сердечника, свойст...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51696 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой / А.А. Семенов, Д.А. Усанов, А.А. Колокин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862704824454217728 |
|---|---|
| author | Семенов, А.А. Усанов, Д.А. Колокин, А.А. |
| author_facet | Семенов, А.А. Усанов, Д.А. Колокин, А.А. |
| citation_txt | Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой / А.А. Семенов, Д.А. Усанов, А.А. Колокин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложена теоретическая модель плоской пассивной катушки индуктивности с элект-ронным управлением. Приведены расчетные графики зависимости добротности и индуктивности колебательного контура от напряжения прямого смещения n—i—p—i—n-структуры, используемой в качестве специфического сердечника, свойства которого изменяются под воздействием приложенного электрического поля. Сравнение расчетных значений с экспериментальными показало их хорошее соответствие друг другу.
Запропоновано теоретичну модель плоскої пасивної котушки індуктивності з електронним управлінням.Наведено розрахункові графіки залежності добротності та індуктивності коливального контуру від напруги прямого зміщення n—i—p—i—n-структури, що використовується як специфічне осердя, властивості якого змінюються під дією прикладеногоелектричного поля. Порівняння розрахованих значень з експериментальними показало їх добру відповідність одне одному.
A theoretical model of a passive flat inductor with electronic control is offered. Design charts of tank inductance and Q factor dependence on the forward bias voltage of n—i—p—i—n-structure, used as a specific core, the characteristics of which are regulated under the influence of an applied electric field, are presented. The comparison of design values with experimental features has shown their good correspondence with each other.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:52:22Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51696 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:52:22Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Семенов, А.А. Усанов, Д.А. Колокин, А.А. 2013-12-06T21:29:24Z 2013-12-06T21:29:24Z 2012 Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой / А.А. Семенов, Д.А. Усанов, А.А. Колокин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51696 621.38.049.77 Предложена теоретическая модель плоской пассивной катушки индуктивности с элект-ронным управлением. Приведены расчетные графики зависимости добротности и индуктивности колебательного контура от напряжения прямого смещения n—i—p—i—n-структуры, используемой в качестве специфического сердечника, свойства которого изменяются под воздействием приложенного электрического поля. Сравнение расчетных значений с экспериментальными показало их хорошее соответствие друг другу. Запропоновано теоретичну модель плоскої пасивної котушки індуктивності з електронним управлінням.Наведено розрахункові графіки залежності добротності та індуктивності коливального контуру від напруги прямого зміщення n—i—p—i—n-структури, що використовується як специфічне осердя, властивості якого змінюються під дією прикладеногоелектричного поля. Порівняння розрахованих значень з експериментальними показало їх добру відповідність одне одному. A theoretical model of a passive flat inductor with electronic control is offered. Design charts of tank inductance and Q factor dependence on the forward bias voltage of n—i—p—i—n-structure, used as a specific core, the characteristics of which are regulated under the influence of an applied electric field, are presented. The comparison of design values with experimental features has shown their good correspondence with each other. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой Індуктивність, що електрично перестроюється напівпровідниковою структурою Inductance, electrically adjusted by semiconductor structure Article published earlier |
| spellingShingle | Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой Семенов, А.А. Усанов, Д.А. Колокин, А.А. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой |
| title_alt | Індуктивність, що електрично перестроюється напівпровідниковою структурою Inductance, electrically adjusted by semiconductor structure |
| title_full | Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой |
| title_fullStr | Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой |
| title_full_unstemmed | Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой |
| title_short | Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой |
| title_sort | индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51696 |
| work_keys_str_mv | AT semenovaa induktivnostʹélektričeskiperestraivaemaâpoluprovodnikovoistrukturoi AT usanovda induktivnostʹélektričeskiperestraivaemaâpoluprovodnikovoistrukturoi AT kolokinaa induktivnostʹélektričeskiperestraivaemaâpoluprovodnikovoistrukturoi AT semenovaa índuktivnístʹŝoelektričnoperestroûêtʹsânapívprovídnikovoûstrukturoû AT usanovda índuktivnístʹŝoelektričnoperestroûêtʹsânapívprovídnikovoûstrukturoû AT kolokinaa índuktivnístʹŝoelektričnoperestroûêtʹsânapívprovídnikovoûstrukturoû AT semenovaa inductanceelectricallyadjustedbysemiconductorstructure AT usanovda inductanceelectricallyadjustedbysemiconductorstructure AT kolokinaa inductanceelectricallyadjustedbysemiconductorstructure |