Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда вел...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51697 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 39-46. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862725794060566528 |
|---|---|
| author | Сидоренко, В.П. Вербицкий, В.Г. Прокофьев, Ю.В. |
| author_facet | Сидоренко, В.П. Вербицкий, В.Г. Прокофьев, Ю.В. |
| citation_txt | Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 39-46. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда величиной 1,6×10⁻¹³ Кл. Быстродействие микросхемы в режиме счета составляет не менее 3 МГц, в режиме считывания информации со счетчиков — более 4 МГц, ток потребления — не более 7 мА.
Розроблено, виготовлено та випробувано НВІС, що дозволяє в складі мікроелектронного координатно-чутливого детектора проводити одночасний аналіз елементного складу речовини. Схема забезпечує спрацьовування підсилювача-перетворювача при надходженні на його вхід негативного заряду величиною 1,6×10⁻¹³ Кл. Швидкодія мікросхеми в режимі ра-хунку становить не менше 3 МГц, в режимі зчитування інформації з лічильників — більше 4 МГц,струм споживання — не більше 7 мА.
There has been designed, manufactured and tested a VLSI providing as a part of the microelectronic coordinate-sensitive detector the simultaneous elemental analysis of all the principles of the substance. VLSI ensures the amplifier-converter response on receiving of 1,6×10⁻¹³ С negative charge to its input. Response speed of the microcircuit is at least 3 MHz in the counting mode and more than 4 MHz in the counter information read-out mode. The power consumption of the microcircuit is no more than 7 mA.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:54:16Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51697 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:54:16Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сидоренко, В.П. Вербицкий, В.Г. Прокофьев, Ю.В. 2013-12-06T21:32:09Z 2013-12-06T21:32:09Z 2012 Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 39-46. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51697 621.3.049.77: 681.325 Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда величиной 1,6×10⁻¹³ Кл. Быстродействие микросхемы в режиме счета составляет не менее 3 МГц, в режиме считывания информации со счетчиков — более 4 МГц, ток потребления — не более 7 мА. Розроблено, виготовлено та випробувано НВІС, що дозволяє в складі мікроелектронного координатно-чутливого детектора проводити одночасний аналіз елементного складу речовини. Схема забезпечує спрацьовування підсилювача-перетворювача при надходженні на його вхід негативного заряду величиною 1,6×10⁻¹³ Кл. Швидкодія мікросхеми в режимі ра-хунку становить не менше 3 МГц, в режимі зчитування інформації з лічильників — більше 4 МГц,струм споживання — не більше 7 мА. There has been designed, manufactured and tested a VLSI providing as a part of the microelectronic coordinate-sensitive detector the simultaneous elemental analysis of all the principles of the substance. VLSI ensures the amplifier-converter response on receiving of 1,6×10⁻¹³ С negative charge to its input. Response speed of the microcircuit is at least 3 MHz in the counting mode and more than 4 MHz in the counter information read-out mode. The power consumption of the microcircuit is no more than 7 mA. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов Схемотехніка НВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора для елементного анализу матеріалів Circuit design of VLSI for microelectronic coordinate-sensitive detector for material element analysis Article published earlier |
| spellingShingle | Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов Сидоренко, В.П. Вербицкий, В.Г. Прокофьев, Ю.В. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_alt | Схемотехніка НВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора для елементного анализу матеріалів Circuit design of VLSI for microelectronic coordinate-sensitive detector for material element analysis |
| title_full | Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_fullStr | Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_full_unstemmed | Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_short | Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_sort | схемотехника сбис для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51697 |
| work_keys_str_mv | AT sidorenkovp shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov AT verbickiivg shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov AT prokofʹevûv shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov AT sidorenkovp shemotehníkanvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoradlâelementnogoanalizumateríalív AT verbickiivg shemotehníkanvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoradlâelementnogoanalizumateríalív AT prokofʹevûv shemotehníkanvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoradlâelementnogoanalizumateríalív AT sidorenkovp circuitdesignofvlsiformicroelectroniccoordinatesensitivedetectorformaterialelementanalysis AT verbickiivg circuitdesignofvlsiformicroelectroniccoordinatesensitivedetectorformaterialelementanalysis AT prokofʹevûv circuitdesignofvlsiformicroelectroniccoordinatesensitivedetectorformaterialelementanalysis |