Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов

Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда вел...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2012
Hauptverfasser: Сидоренко, В.П., Вербицкий, В.Г., Прокофьев, Ю.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Schlagworte:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51697
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 39-46. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51697
record_format dspace
spelling Сидоренко, В.П.
Вербицкий, В.Г.
Прокофьев, Ю.В.
2013-12-06T21:32:09Z
2013-12-06T21:32:09Z
2012
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 39-46. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51697
621.3.049.77: 681.325
Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда величиной 1,6×10⁻¹³ Кл. Быстродействие микросхемы в режиме счета составляет не менее 3 МГц, в режиме считывания информации со счетчиков — более 4 МГц, ток потребления — не более 7 мА.
Розроблено, виготовлено та випробувано НВІС, що дозволяє в складі мікроелектронного координатно-чутливого детектора проводити одночасний аналіз елементного складу речовини. Схема забезпечує спрацьовування підсилювача-перетворювача при надходженні на його вхід негативного заряду величиною 1,6×10⁻¹³ Кл. Швидкодія мікросхеми в режимі ра-хунку становить не менше 3 МГц, в режимі зчитування інформації з лічильників — більше 4 МГц,струм споживання — не більше 7 мА.
There has been designed, manufactured and tested a VLSI providing as a part of the microelectronic coordinate-sensitive detector the simultaneous elemental analysis of all the principles of the substance. VLSI ensures the amplifier-converter response on receiving of 1,6×10⁻¹³ С negative charge to its input. Response speed of the microcircuit is at least 3 MHz in the counting mode and more than 4 MHz in the counter information read-out mode. The power consumption of the microcircuit is no more than 7 mA.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
Схемотехніка НВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора для елементного анализу матеріалів
Circuit design of VLSI for microelectronic coordinate-sensitive detector for material element analysis
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
spellingShingle Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
Сидоренко, В.П.
Вербицкий, В.Г.
Прокофьев, Ю.В.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
title_full Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
title_fullStr Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
title_full_unstemmed Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
title_sort схемотехника сбис для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
author Сидоренко, В.П.
Вербицкий, В.Г.
Прокофьев, Ю.В.
author_facet Сидоренко, В.П.
Вербицкий, В.Г.
Прокофьев, Ю.В.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2012
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Схемотехніка НВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора для елементного анализу матеріалів
Circuit design of VLSI for microelectronic coordinate-sensitive detector for material element analysis
description Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда величиной 1,6×10⁻¹³ Кл. Быстродействие микросхемы в режиме счета составляет не менее 3 МГц, в режиме считывания информации со счетчиков — более 4 МГц, ток потребления — не более 7 мА. Розроблено, виготовлено та випробувано НВІС, що дозволяє в складі мікроелектронного координатно-чутливого детектора проводити одночасний аналіз елементного складу речовини. Схема забезпечує спрацьовування підсилювача-перетворювача при надходженні на його вхід негативного заряду величиною 1,6×10⁻¹³ Кл. Швидкодія мікросхеми в режимі ра-хунку становить не менше 3 МГц, в режимі зчитування інформації з лічильників — більше 4 МГц,струм споживання — не більше 7 мА. There has been designed, manufactured and tested a VLSI providing as a part of the microelectronic coordinate-sensitive detector the simultaneous elemental analysis of all the principles of the substance. VLSI ensures the amplifier-converter response on receiving of 1,6×10⁻¹³ С negative charge to its input. Response speed of the microcircuit is at least 3 MHz in the counting mode and more than 4 MHz in the counter information read-out mode. The power consumption of the microcircuit is no more than 7 mA.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51697
citation_txt Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 39-46. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT sidorenkovp shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov
AT verbickiivg shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov
AT prokofʹevûv shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov
AT sidorenkovp shemotehníkanvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoradlâelementnogoanalizumateríalív
AT verbickiivg shemotehníkanvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoradlâelementnogoanalizumateríalív
AT prokofʹevûv shemotehníkanvísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoradlâelementnogoanalizumateríalív
AT sidorenkovp circuitdesignofvlsiformicroelectroniccoordinatesensitivedetectorformaterialelementanalysis
AT verbickiivg circuitdesignofvlsiformicroelectroniccoordinatesensitivedetectorformaterialelementanalysis
AT prokofʹevûv circuitdesignofvlsiformicroelectroniccoordinatesensitivedetectorformaterialelementanalysis
first_indexed 2025-12-07T18:54:16Z
last_indexed 2025-12-07T18:54:16Z
_version_ 1850876789177450496

Ähnliche Einträge