Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации носителей, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл—диэлектрик»,...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51706 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 19-21. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51706 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Ничкало, С.И. Корецкий, Р.Н. 2013-12-07T01:01:05Z 2013-12-07T01:01:05Z 2012 Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 19-21. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51706 621.315.592 Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации носителей, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл—диэлектрик», имеет линейный характер. Предложена концепция создания сенсоров на базе НК Si1–хGeх для одновременного измерения индукции магнитного поля и температуры. Представлено результати досліджень електрофізичних властивостей ниткоподібних нанокристалів (НК) Si1–хGeх під дією магнітного поля за низьких температур. Польова залежність опору зразків, легованих до концентрації носіїв, яка відповідає діелектричному боку переходу «метал—діелектрик», має лінійний характер. Запропоновано концепцію створення сенсорів на базі НК Si1–хGeх для одночасного вимірювання індукції магнітного поля і температури. The paper deals with investigation of magnetic field effect on electrophysical properties of Si1–xGex nanowhiskers at low temperatures. It was shown that field dependence of resistance of Si1–xGex nanowhiskers samples doped to concentrations near the dielectric side of metal-insulator junction possesses the linear character. The concept of making sensors on the basis of Si1–xGex nanowhiskers detecting simultaneously magnetic field and temperature has been proposed. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры Нанокристали Si1–xGex як чутливі елементи сенсора магнітного поля та температури Si1–xGex nanocrystals as sensitive elements for magnetic field and temperature sensors Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры |
| spellingShingle |
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Ничкало, С.И. Корецкий, Р.Н. Сенсоэлектроника |
| title_short |
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры |
| title_full |
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры |
| title_fullStr |
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры |
| title_full_unstemmed |
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры |
| title_sort |
нанокристаллы si1–xgex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры |
| author |
Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Ничкало, С.И. Корецкий, Р.Н. |
| author_facet |
Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Ничкало, С.И. Корецкий, Р.Н. |
| topic |
Сенсоэлектроника |
| topic_facet |
Сенсоэлектроника |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Нанокристали Si1–xGex як чутливі елементи сенсора магнітного поля та температури Si1–xGex nanocrystals as sensitive elements for magnetic field and temperature sensors |
| description |
Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации носителей, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл—диэлектрик», имеет линейный характер. Предложена концепция создания сенсоров на базе НК Si1–хGeх для одновременного измерения индукции магнитного поля и температуры.
Представлено результати досліджень електрофізичних властивостей ниткоподібних нанокристалів (НК) Si1–хGeх під дією магнітного поля за низьких температур. Польова залежність опору зразків, легованих до концентрації носіїв, яка відповідає діелектричному боку переходу «метал—діелектрик», має лінійний характер. Запропоновано концепцію створення сенсорів на базі НК Si1–хGeх для одночасного вимірювання індукції магнітного поля і температури.
The paper deals with investigation of magnetic field effect on electrophysical properties of Si1–xGex nanowhiskers at low temperatures. It was shown that field dependence of resistance of Si1–xGex nanowhiskers samples doped to concentrations near the dielectric side of metal-insulator junction possesses the linear character. The concept of making sensors on the basis of Si1–xGex nanowhiskers detecting simultaneously magnetic field and temperature has been proposed.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51706 |
| citation_txt |
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 19-21. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT družininaa nanokristallysi1xgexvroličuvstvitelʹnyhélementovsensoramagnitnogopolâitemperatury AT ostrovskiiip nanokristallysi1xgexvroličuvstvitelʹnyhélementovsensoramagnitnogopolâitemperatury AT hoverkoûn nanokristallysi1xgexvroličuvstvitelʹnyhélementovsensoramagnitnogopolâitemperatury AT ničkalosi nanokristallysi1xgexvroličuvstvitelʹnyhélementovsensoramagnitnogopolâitemperatury AT koreckiirn nanokristallysi1xgexvroličuvstvitelʹnyhélementovsensoramagnitnogopolâitemperatury AT družininaa nanokristalisi1xgexâkčutlivíelementisensoramagnítnogopolâtatemperaturi AT ostrovskiiip nanokristalisi1xgexâkčutlivíelementisensoramagnítnogopolâtatemperaturi AT hoverkoûn nanokristalisi1xgexâkčutlivíelementisensoramagnítnogopolâtatemperaturi AT ničkalosi nanokristalisi1xgexâkčutlivíelementisensoramagnítnogopolâtatemperaturi AT koreckiirn nanokristalisi1xgexâkčutlivíelementisensoramagnítnogopolâtatemperaturi AT družininaa si1xgexnanocrystalsassensitiveelementsformagneticfieldandtemperaturesensors AT ostrovskiiip si1xgexnanocrystalsassensitiveelementsformagneticfieldandtemperaturesensors AT hoverkoûn si1xgexnanocrystalsassensitiveelementsformagneticfieldandtemperaturesensors AT ničkalosi si1xgexnanocrystalsassensitiveelementsformagneticfieldandtemperaturesensors AT koreckiirn si1xgexnanocrystalsassensitiveelementsformagneticfieldandtemperaturesensors |
| first_indexed |
2025-12-07T13:33:26Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:33:26Z |
| _version_ |
1850856603546288128 |