Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации носителей, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл—диэлектрик»,...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51706 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 19-21. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |