Зображення обкладинки

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры

Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации носителей, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл—диэлектрик»,...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2012
Автори:	Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Ничкало, С.И., Корецкий, Р.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Теми:	Сенсоэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51706
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 19-21. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Решение задачи газового демпфирования чувствительных элементов микроэлектронных акселерометров
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2001)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Приборно-технологическое моделирование магниточувствительного сенсора с интегрированным магнитым концентратором
за авторством: Стемпицкий, В.Р., та інші
Опубліковано: (2018)

Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора
за авторством: Шварц, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
за авторством: Капитанов, Н.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Датчики на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля температуры
за авторством: Катаев, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)

Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Лопин, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
за авторством: Dzhagan, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2010)

Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: A. R. Jivani, та інші
Опубліковано: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Выбор базовых элементов двухосного мультисенсорного инерциального датчика
за авторством: Мухоед, Н.А.
Опубліковано: (2003)

Методика проектирования элементов прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором
за авторством: Черняк, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2002)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2001)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Автотрассовый газоанализатор
за авторством: Девятко, Г.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Мостовые магниточувствительные сенсоры
за авторством: Викулина, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2004)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
за авторством: Бабичев, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Скрыпник, А.И.
Опубліковано: (2015)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2010)

Исследование характеристик щелевого теплообменника с развитой поверхностью теплообмена
за авторством: Малкин, Э.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Оперативный контроль состояния акустических сенсорных сетей
за авторством: Болтенков, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)