Buchumschlag

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры

Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации носителей, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл—диэлектрик»,...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Ничкало, С.И., Корецкий, Р.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Schlagworte:	Сенсоэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51706
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 19-21. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Решение задачи газового демпфирования чувствительных элементов микроэлектронных акселерометров
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Приборно-технологическое моделирование магниточувствительного сенсора с интегрированным магнитым концентратором
von: Стемпицкий, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Датчики на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля температуры
von: Катаев, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach
von: Jivani, A.R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
von: Dzhagan, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2010)

Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
von: A. R. Jivani, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: A. A. Greenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model
von: Jivani, A.R., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Выбор базовых элементов двухосного мультисенсорного инерциального датчика
von: Мухоед, Н.А.
Veröffentlicht: (2003)

Методика проектирования элементов прецизионного датчика давления с пневмомеханическим резонатором
von: Черняк, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Автотрассовый газоанализатор
von: Девятко, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Воронин, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Мостовые магниточувствительные сенсоры
von: Викулина, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Скрыпник, А.И.
Veröffentlicht: (2015)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование характеристик щелевого теплообменника с развитой поверхностью теплообмена
von: Малкин, Э.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Оперативный контроль состояния акустических сенсорных сетей
von: Болтенков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)