Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьёв, Я.А., Рубцевич, И.И., Керенцев, А.Ф.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51707
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества / В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьёв, И.И. Рубцевич, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 22-26. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использовать структуры с распределенным охранным кольцом, которое представляет собой матрицу ячеек р-типа. Это позволяет снизить напряженность электрического поля в критических зонах активной структуры за счет выравнивания потенциала по периметру охранного кольца и площади диода. Дослідження діодів Шотткі з бар'єрною структурою на основі молібденової плівки показали, що стійкість структур до розрядів статичної електрики залежить від параметрів конструкції, а також від глибини охоронного кільця. Встановлено, що для підвищення надійності діодів Шотткі необхідно використовувати структури з розподіленим охоронним кільцем, яке являє собою матрицю осередків р-типу. Це дозволяє знизити напруженість електричного поля в критичних зонах активної структури за рахунок вирівнювання потенціалу по периметру охоронного кільця і площі діода. Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should use the structures with distributed guard ring containing p-type cell matrix. This reduces the electric field strength in critical areas of the active structure due to potential balancing along the guard ring and the diode area perimeter.