Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использ...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2012
Hauptverfasser: Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьёв, Я.А., Рубцевич, И.И., Керенцев, А.Ф.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Schlagworte:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51707
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества / В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьёв, И.И. Рубцевич, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 22-26. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51707
record_format dspace
spelling Солодуха, В.А.
Турцевич, А.С.
Соловьёв, Я.А.
Рубцевич, И.И.
Керенцев, А.Ф.
2013-12-07T01:09:55Z
2013-12-07T01:09:55Z
2012
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества / В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьёв, И.И. Рубцевич, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 22-26. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51707
621.382.2
Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использовать структуры с распределенным охранным кольцом, которое представляет собой матрицу ячеек р-типа. Это позволяет снизить напряженность электрического поля в критических зонах активной структуры за счет выравнивания потенциала по периметру охранного кольца и площади диода.
Дослідження діодів Шотткі з бар'єрною структурою на основі молібденової плівки показали, що стійкість структур до розрядів статичної електрики залежить від параметрів конструкції, а також від глибини охоронного кільця. Встановлено, що для підвищення надійності діодів Шотткі необхідно використовувати структури з розподіленим охоронним кільцем, яке являє собою матрицю осередків р-типу. Це дозволяє знизити напруженість електричного поля в критичних зонах активної структури за рахунок вирівнювання потенціалу по периметру охоронного кільця і площі діода.
Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should use the structures with distributed guard ring containing p-type cell matrix. This reduces the electric field strength in critical areas of the active structure due to potential balancing along the guard ring and the diode area perimeter.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
Підвищення надійності діодів Шотткі при впливі розрядів статичної електрики
Improving the reliability of Schottky diodes under the influence of electrostatic discharges
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
spellingShingle Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
Солодуха, В.А.
Турцевич, А.С.
Соловьёв, Я.А.
Рубцевич, И.И.
Керенцев, А.Ф.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
title_full Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
title_fullStr Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
title_full_unstemmed Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
title_sort повышение надежности диодов шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
author Солодуха, В.А.
Турцевич, А.С.
Соловьёв, Я.А.
Рубцевич, И.И.
Керенцев, А.Ф.
author_facet Солодуха, В.А.
Турцевич, А.С.
Соловьёв, Я.А.
Рубцевич, И.И.
Керенцев, А.Ф.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2012
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Підвищення надійності діодів Шотткі при впливі розрядів статичної електрики
Improving the reliability of Schottky diodes under the influence of electrostatic discharges
description Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использовать структуры с распределенным охранным кольцом, которое представляет собой матрицу ячеек р-типа. Это позволяет снизить напряженность электрического поля в критических зонах активной структуры за счет выравнивания потенциала по периметру охранного кольца и площади диода. Дослідження діодів Шотткі з бар'єрною структурою на основі молібденової плівки показали, що стійкість структур до розрядів статичної електрики залежить від параметрів конструкції, а також від глибини охоронного кільця. Встановлено, що для підвищення надійності діодів Шотткі необхідно використовувати структури з розподіленим охоронним кільцем, яке являє собою матрицю осередків р-типу. Це дозволяє знизити напруженість електричного поля в критичних зонах активної структури за рахунок вирівнювання потенціалу по периметру охоронного кільця і площі діода. Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should use the structures with distributed guard ring containing p-type cell matrix. This reduces the electric field strength in critical areas of the active structure due to potential balancing along the guard ring and the diode area perimeter.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51707
citation_txt Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества / В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьёв, И.И. Рубцевич, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 22-26. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT soloduhava povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdeistviirazrâdovctatičeskogoélektričestva
AT turcevičas povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdeistviirazrâdovctatičeskogoélektričestva
AT solovʹevâa povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdeistviirazrâdovctatičeskogoélektričestva
AT rubcevičii povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdeistviirazrâdovctatičeskogoélektričestva
AT kerencevaf povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdeistviirazrâdovctatičeskogoélektričestva
AT soloduhava pídviŝennânadíinostídíodívšottkíprivplivírozrâdívstatičnoíelektriki
AT turcevičas pídviŝennânadíinostídíodívšottkíprivplivírozrâdívstatičnoíelektriki
AT solovʹevâa pídviŝennânadíinostídíodívšottkíprivplivírozrâdívstatičnoíelektriki
AT rubcevičii pídviŝennânadíinostídíodívšottkíprivplivírozrâdívstatičnoíelektriki
AT kerencevaf pídviŝennânadíinostídíodívšottkíprivplivírozrâdívstatičnoíelektriki
AT soloduhava improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges
AT turcevičas improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges
AT solovʹevâa improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges
AT rubcevičii improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges
AT kerencevaf improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges
first_indexed 2025-11-30T11:58:25Z
last_indexed 2025-11-30T11:58:25Z
_version_ 1850857571241426944

Ähnliche Einträge