Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использ...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51707 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества / В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьёв, И.И. Рубцевич, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 22-26. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862631902241882112 |
|---|---|
| author | Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьёв, Я.А. Рубцевич, И.И. Керенцев, А.Ф. |
| author_facet | Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьёв, Я.А. Рубцевич, И.И. Керенцев, А.Ф. |
| citation_txt | Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества / В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьёв, И.И. Рубцевич, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 22-26. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использовать структуры с распределенным охранным кольцом, которое представляет собой матрицу ячеек р-типа. Это позволяет снизить напряженность электрического поля в критических зонах активной структуры за счет выравнивания потенциала по периметру охранного кольца и площади диода.
Дослідження діодів Шотткі з бар'єрною структурою на основі молібденової плівки показали, що стійкість структур до розрядів статичної електрики залежить від параметрів конструкції, а також від глибини охоронного кільця. Встановлено, що для підвищення надійності діодів Шотткі необхідно використовувати структури з розподіленим охоронним кільцем, яке являє собою матрицю осередків р-типу. Це дозволяє знизити напруженість електричного поля в критичних зонах активної структури за рахунок вирівнювання потенціалу по периметру охоронного кільця і площі діода.
Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should use the structures with distributed guard ring containing p-type cell matrix. This reduces the electric field strength in critical areas of the active structure due to potential balancing along the guard ring and the diode area perimeter.
|
| first_indexed | 2025-11-30T11:58:25Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51707 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T11:58:25Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьёв, Я.А. Рубцевич, И.И. Керенцев, А.Ф. 2013-12-07T01:09:55Z 2013-12-07T01:09:55Z 2012 Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества / В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьёв, И.И. Рубцевич, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 22-26. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51707 621.382.2 Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использовать структуры с распределенным охранным кольцом, которое представляет собой матрицу ячеек р-типа. Это позволяет снизить напряженность электрического поля в критических зонах активной структуры за счет выравнивания потенциала по периметру охранного кольца и площади диода. Дослідження діодів Шотткі з бар'єрною структурою на основі молібденової плівки показали, що стійкість структур до розрядів статичної електрики залежить від параметрів конструкції, а також від глибини охоронного кільця. Встановлено, що для підвищення надійності діодів Шотткі необхідно використовувати структури з розподіленим охоронним кільцем, яке являє собою матрицю осередків р-типу. Це дозволяє знизити напруженість електричного поля в критичних зонах активної структури за рахунок вирівнювання потенціалу по периметру охоронного кільця і площі діода. Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should use the structures with distributed guard ring containing p-type cell matrix. This reduces the electric field strength in critical areas of the active structure due to potential balancing along the guard ring and the diode area perimeter. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества Підвищення надійності діодів Шотткі при впливі розрядів статичної електрики Improving the reliability of Schottky diodes under the influence of electrostatic discharges Article published earlier |
| spellingShingle | Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества Солодуха, В.А. Турцевич, А.С. Соловьёв, Я.А. Рубцевич, И.И. Керенцев, А.Ф. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_alt | Підвищення надійності діодів Шотткі при впливі розрядів статичної електрики Improving the reliability of Schottky diodes under the influence of electrostatic discharges |
| title_full | Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_fullStr | Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_full_unstemmed | Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_short | Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_sort | повышение надежности диодов шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51707 |
| work_keys_str_mv | AT soloduhava povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdeistviirazrâdovctatičeskogoélektričestva AT turcevičas povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdeistviirazrâdovctatičeskogoélektričestva AT solovʹevâa povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdeistviirazrâdovctatičeskogoélektričestva AT rubcevičii povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdeistviirazrâdovctatičeskogoélektričestva AT kerencevaf povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdeistviirazrâdovctatičeskogoélektričestva AT soloduhava pídviŝennânadíinostídíodívšottkíprivplivírozrâdívstatičnoíelektriki AT turcevičas pídviŝennânadíinostídíodívšottkíprivplivírozrâdívstatičnoíelektriki AT solovʹevâa pídviŝennânadíinostídíodívšottkíprivplivírozrâdívstatičnoíelektriki AT rubcevičii pídviŝennânadíinostídíodívšottkíprivplivírozrâdívstatičnoíelektriki AT kerencevaf pídviŝennânadíinostídíodívšottkíprivplivírozrâdívstatičnoíelektriki AT soloduhava improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges AT turcevičas improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges AT solovʹevâa improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges AT rubcevičii improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges AT kerencevaf improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges |