Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Солодуха, В.А., Турцевич, А.С., Соловьёв, Я.А., Рубцевич, И.И., Керенцев, А.Ф.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51707
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества / В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьёв, И.И. Рубцевич, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 22-26. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использ...