Семенов, А., Козловский, А., & Пузиков, В. (2012). Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Семенов, А.В, А.А Козловский, та В.М Пузиков. "Фотоэлектрические свойства гетеропереходов N-SiC/n-Si." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Семенов, А.В, et al. "Фотоэлектрические свойства гетеропереходов N-SiC/n-Si." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.