Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si

• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Семенов, А.В., Козловский, А.А., Пузиков, В.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Schriftenreihe: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51708
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры п-SiС/п-Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон.