Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51708 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862597039549841408 |
|---|---|
| author | Семенов, А.В. Козловский, А.А. Пузиков, В.М. |
| author_facet | Семенов, А.В. Козловский, А.А. Пузиков, В.М. |
| citation_txt | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры п-SiС/п-Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон.
Досліджено фотовольтаїчний ефект в ізотипній ге-тероструктурі, утвореній плівками нанокристалічного карбіду кремнію, осадженими на монокрис-талічні підкладинки з n-Si (гетероперехід n-SiC/ n-Si). Плівки отримували методом прямого іонно-го осадження. Для пояснення особливостей вольт-амперних та фотоелектричних характеристик гетероструктури n-SiC/n-Si запропоновано модель, яка враховує присутність в контактній області квантових ям та потенційних бар’єрів, обумовлених розривами зон.
Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barriers caused by band offsets was proposed to explain the current-voltage characteristics and photovoltaic properties of the heterostructure n-SiC/n-Si.
|
| first_indexed | 2025-11-27T16:29:14Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51708 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T16:29:14Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Семенов, А.В. Козловский, А.А. Пузиков, В.М. 2013-12-07T01:12:51Z 2013-12-07T01:12:51Z 2012 Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51708 535.215 Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры п-SiС/п-Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон. Досліджено фотовольтаїчний ефект в ізотипній ге-тероструктурі, утвореній плівками нанокристалічного карбіду кремнію, осадженими на монокрис-талічні підкладинки з n-Si (гетероперехід n-SiC/ n-Si). Плівки отримували методом прямого іонно-го осадження. Для пояснення особливостей вольт-амперних та фотоелектричних характеристик гетероструктури n-SiC/n-Si запропоновано модель, яка враховує присутність в контактній області квантових ям та потенційних бар’єрів, обумовлених розривами зон. Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barriers caused by band offsets was proposed to explain the current-voltage characteristics and photovoltaic properties of the heterostructure n-SiC/n-Si. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si Фотоелектричні властивості гетеропереходів n-SiC/n-Si Photoelectric properties of n-SiC/n-Si heterojunctions Article published earlier |
| spellingShingle | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si Семенов, А.В. Козловский, А.А. Пузиков, В.М. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_alt | Фотоелектричні властивості гетеропереходів n-SiC/n-Si Photoelectric properties of n-SiC/n-Si heterojunctions |
| title_full | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_fullStr | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_full_unstemmed | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_short | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_sort | фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-sic/n-si |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51708 |
| work_keys_str_mv | AT semenovav fotoélektričeskiesvoistvageteroperehodovnsicnsi AT kozlovskiiaa fotoélektričeskiesvoistvageteroperehodovnsicnsi AT puzikovvm fotoélektričeskiesvoistvageteroperehodovnsicnsi AT semenovav fotoelektričnívlastivostígeteroperehodívnsicnsi AT kozlovskiiaa fotoelektričnívlastivostígeteroperehodívnsicnsi AT puzikovvm fotoelektričnívlastivostígeteroperehodívnsicnsi AT semenovav photoelectricpropertiesofnsicnsiheterojunctions AT kozlovskiiaa photoelectricpropertiesofnsicnsiheterojunctions AT puzikovvm photoelectricpropertiesofnsicnsiheterojunctions |