Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si

Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Семенов, А.В., Козловский, А.А., Пузиков, В.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51708
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51708
record_format dspace
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-517082025-02-09T15:50:10Z Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si Фотоелектричні властивості гетеропереходів n-SiC/n-Si Photoelectric properties of n-SiC/n-Si heterojunctions Семенов, А.В. Козловский, А.А. Пузиков, В.М. Функциональная микро- и наноэлектроника Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры п-SiС/п-Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон. Досліджено фотовольтаїчний ефект в ізотипній ге-тероструктурі, утвореній плівками нанокристалічного карбіду кремнію, осадженими на монокрис-талічні підкладинки з n-Si (гетероперехід n-SiC/ n-Si). Плівки отримували методом прямого іонно-го осадження. Для пояснення особливостей вольт-амперних та фотоелектричних характеристик гетероструктури n-SiC/n-Si запропоновано модель, яка враховує присутність в контактній області квантових ям та потенційних бар’єрів, обумовлених розривами зон. Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barriers caused by band offsets was proposed to explain the current-voltage characteristics and photovoltaic properties of the heterostructure n-SiC/n-Si. 2012 Article Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51708 535.215 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Семенов, А.В.
Козловский, А.А.
Пузиков, В.М.
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры п-SiС/п-Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон.
format Article
author Семенов, А.В.
Козловский, А.А.
Пузиков, В.М.
author_facet Семенов, А.В.
Козловский, А.А.
Пузиков, В.М.
author_sort Семенов, А.В.
title Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
title_short Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
title_full Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
title_fullStr Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
title_full_unstemmed Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
title_sort фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-sic/n-si
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2012
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51708
citation_txt Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT semenovav fotoélektričeskiesvojstvageteroperehodovnsicnsi
AT kozlovskijaa fotoélektričeskiesvojstvageteroperehodovnsicnsi
AT puzikovvm fotoélektričeskiesvojstvageteroperehodovnsicnsi
AT semenovav fotoelektričnívlastivostígeteroperehodívnsicnsi
AT kozlovskijaa fotoelektričnívlastivostígeteroperehodívnsicnsi
AT puzikovvm fotoelektričnívlastivostígeteroperehodívnsicnsi
AT semenovav photoelectricpropertiesofnsicnsiheterojunctions
AT kozlovskijaa photoelectricpropertiesofnsicnsiheterojunctions
AT puzikovvm photoelectricpropertiesofnsicnsiheterojunctions
first_indexed 2025-11-27T16:29:14Z
last_indexed 2025-11-27T16:29:14Z
_version_ 1849961699793174528
fulltext Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 5 27 ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ ÓÄÊ 535.215 Ê. ô.-ì. í. À. Â. ÑÅÌÅÍÎÂ, ê. ô.-ì. í. À. À. ÊÎÇËÎÂÑÊÈÉ, ä. ô.-ì. í. Â. Ì. ÏÓÇÈÊΠÓêðàèíà, ã. Õàðüêîâ, ÍÒÊ «Èíñòèòóò ìîíîêðèñòàëëîâ», Èíñòèòóò ìîíîêðèñòàëëîâ ÍÀÍÓ E-mail: semenov@isc.kharkov.ua ÔÎÒÎÝËÅÊÒÐÈ×ÅÑÊÈÅ ÑÂÎÉÑÒÂÀ ÃÅÒÅÐÎÏÅÐÅÕÎÄΠn-SiC/n-Si Îñíîâíûìè ïðîáëåìàìè, èìåþùèìèñÿ ñåãîä- íÿ â ñîëíå÷íîé ýíåðãåòèêå, ÿâëÿþòñÿ ïîâûøåíèå êîíâåðñèîííîé ýôôåêòèâíîñòè è ñíèæåíèå ñòî- èìîñòè ñîëíå÷íûõ ýëåìåíòîâ, à äëÿ óñòðîéñòâ, ôóíêöèîíèðóþùèõ â êîñìîñå, — åùå è ïîâû- øåíèå ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòè. Îäíèì èç ñà- ìûõ ïåðñïåêòèâíûõ ìàòåðèàëîâ äëÿ ñîëíå÷íîé ýíåðãåòèêè ìîæåò îêàçàòüñÿ êàðáèä êðåìíèÿ. Íàðÿäó ñ âûñîêîé ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòüþ, óñòîé÷èâîñòüþ ê èíûì íåáëàãîïðèÿòíûì ôàêòî- ðàì îêðóæàþùåé ñðåäû (òåïëîâûì, õèìè÷åñêèì è ò. ï.), íåìàëîâàæíûì ïðåèìóùåñòâîì èñïîëü- çîâàíèÿ SiC â ñîëíå÷íîé ýëåêòðîýíåðãåòèêå ÿâ- ëÿåòñÿ áoëüøàÿ, ÷åì ó êðåìíèÿ, øèðèíà çàïðå- ùåííîé çîíû Eg. Ïðè ñîçäàíèè äâóõñëîéíîé ãå- òåðîñòðóêòóðû SiC/Si èçëó÷åíèå ñ ýíåðãèåé ôîòîíà Eô>Eg(SiC) ïîãëîùàåòñÿ â ñëîå êàðáèäà êðåìíèÿ («âåðõíåé» ÷àñòè ñòðóêòóðû), à èçëó- ÷åíèå ñ Eg(Si)<Eô<Eg(SiC) — â ñëîå êðåìíèÿ («íèæíåé» ÷àñòè ñòðóêòóðû). Ýòî ïîçâîëÿåò ðàñ- øèðèòü ïîãëîùàåìûé ñïåêòð ñîëíå÷íîé ýíåðãèè è ïîâûñèòü èíòåíñèâíîñòü ãåíåðèðîâàíèÿ. Íà ñåãîäíÿøíèé äåíü èìååòñÿ ðÿä ñîîáùåíèé î ñîçäàíèè ôîòîýëåêòðîïðåîáðàçîâàòåëåé íà îñ- íîâå ãåòåðîñòðóêòóðû p-SiC/n-Si [1—3].  çà- âèñèìîñòè îò òåõíîëîãèè ïîëó÷åíèÿ ãåòåðîñòðóê- òóð è êðèñòàëëè÷åñêîé ñòðóêòóðû SiC ýôôåê- òèâíîñòü ôîòîýëåìåíòîâ çíà÷èòåëüíî âàðüèðóåò- ñÿ: îò 0,1% [1] äëÿ íàíîêðèñòàëëè÷åñêîãî SiC, ïîëó÷åííîãî ìåòîäîì ïëàçìåííîãî õèìè÷åñêîãî îñàæäåíèÿ èç ïàðà, äî 14% äëÿ íàíîêðèñòàëëè- ÷åñêîãî SiC, ïîëó÷åííîãî õèìè÷åñêèì îñàæäå- íèåì èç ïàðà ñ ãîðÿ÷åé íèòüþ [2]. Ñëåäóåò îòìåòèòü, ÷òî ìåõàíèçì âîçíèêíîâå- íèÿ ôîòîâîëüòàè÷åñêîãî ýôôåêòà (ÔÂÝ) â ãåòå- ðîïåðåõîäå íàìíîãî ñëîæíåå, ÷åì â ãîìîãåííîì p—n-ïåðåõîäå. Êðîìå âåëè÷èíû êîíòàêòíîãî ïîëÿ Å îáåäíåííîãî ñëîÿ, íà ïàðàìåòðû ÔÂÝ áóäóò îêàçûâàòü âëèÿíèå è äðóãèå ôàêòîðû, õà- Èññëåäîâàí ôîòîâîëüòàè÷åñêèé ýôôåêò â èçîòèïíîé ãåòåðîñòðóêòóðå, îáðàçîâàííîé ïëåíêàìè íà- íîêðèñòàëëè÷åñêîãî êàðáèäà êðåìíèÿ, îñàæäåííûìè íà ìîíîêðèñòàëëè÷åñêèå ïîäëîæêè èç n-Si (ãåòå- ðîïåðåõîä n-SiC/n-Si). Ïëåíêè ïîëó÷àëè ìåòîäîì ïðÿìîãî èîííîãî îñàæäåíèÿ. Äëÿ îáúÿñíåíèÿ îñî- áåííîñòåé âîëüò-àìïåðíûõ è ôîòîýëåêòðè÷åñêèõ õàðàêòåðèñòèê ãåòåðîñòðóêòóðû n-SiC/n-Si ïðåä- ëîæåíà ìîäåëü, ó÷èòûâàþùàÿ ïðèñóòñòâèå â êîíòàêòíîé îáëàñòè êâàíòîâûõ ÿì è ïîòåíöèàëüíûõ áàðüåðîâ, îáóñëîâëåííûõ ðàçðûâàìè çîí. Êëþ÷åâûå ñëîâà: êàðáèä êðåìíèÿ, ôîòîâîëüòàè÷åñêèé ýôôåêò, ãåòåðîïåðåõîä. ðàêòåðèçóþùèå ãåòåðîïåðåõîä: ðàçðûâû â çîíå ïðîâîäèìîñòè ∆ÅC è âàëåíòíîé çîíå ∆ÅV, âîç- íèêíîâåíèå çàðÿæåííûõ ñîñòîÿíèé íà ãðàíèöå ðàçäåëà, òóííåëèðîâàíèå íîñèòåëåé è ò. ï. [4]. Èññëåäîâàííûå â [1—3] àíèçîòèïíûå ãåòåðîïå- ðåõîäû õàðàêòåðèçóþòñÿ íàèáîëüøèì çíà÷åíè- åì êîíòàêòíîé ðàçíîñòè ïîòåíöèàëîâ V ñðåäè ÷åòûðåõ âîçìîæíûõ òèïîâ ãåòåðîïåðåõîäîâ: p-SiC/n-Si, n-SiC/p-Si, p-SiC/p-Si, n-SiC/n-Si (â ïðåäïîëîæåíèè îäèíàêîâîãî óðîâíÿ ëåãèðî- âàíèÿ). Ýòà îñîáåííîñòü áóäåò ïðèâîäèòü ê ìàê- ñèìàëüíî âîçìîæíîé âûñîòå ïîòåíöèàëüíûõ áà- ðüåðîâ, ñîçäàâàåìûõ èçãèáàìè çîíû ïðîâîäèìî- ñòè è âàëåíòíîé çîíû. Ïðè èçìåíåíèè òèïà ïðî- âîäèìîñòè ëþáîãî èç ñëîåâ ãåòåðîñòðóêòóðû âå- ëè÷èíû ∆ÅC è ∆ÅV îñòàþòñÿ íåèçìåííûìè, òîã- äà êàê âåëè÷èíà Å, îïðåäåëÿåìàÿ ðàçíîñòüþ ðà- áîò âûõîäà, ìîæåò èçìåíÿòüñÿ î÷åíü çíà÷èòåëü- íî. Èçìåíåíèå çîííîé ýíåðãåòè÷åñêîé êàðòèíû ãåòåðîïåðåõîäà ïîâëå÷åò çà ñîáîé èçìåíåíèå åãî ôîòîýëåêòðè÷åñêèõ õàðàêòåðèñòèê è ïàðàìåòðîâ. Ïîýòîìó ïðåäñòàâëÿåò èíòåðåñ èññëåäîâàíèå ÔÂÝ â èçîòèïíîì ãåòåðîïåðåõîäå SiC/Si. Öåëüþ íà- ñòîÿùåé ðàáîòû áûëî ïîëó÷åíèå ãåòåðîñòðóêòó- ðû SiC/Si ñ ýëåêòðîííûì òèïîì ïðîâîäèìîñòè è èçó÷åíèå åå ôîòîýëåêòðè÷åñêèõ ñâîéñòâ. Äî íàñòîÿùåãî âðåìåíè âîçìîæíîñòè ïðèìåíåíèÿ ãå- òåðîñòðóêòóð n-SiC/n-Si â êà÷åñòâå ôîòîýëåêò- ðîïðåîáðàçîâàòåëåé íå èññëåäîâàëèñü. Òåõíîëîãèÿ ïîëó÷åíèÿ ãåòåðîñòðóêòóðû è ìåòîäèêè èññëåäîâàíèÿ ÔÂÝ Ôîðìèðîâàíèå ãåòåðîñòðóêòóðû n-SiC/n-Si âûïîëíÿëè îñàæäåíèåì ïëåíîê íàíîêðèñòàëëè- ÷åñêîãî êàðáèäà êðåìíèÿ (nc-SiC) íà n-ëåãèðî- âàííóþ ìîíîêðèñòàëëè÷åñêóþ êðåìíèåâóþ ïîä- ëîæêó òèïà ÊÝÔ 4 íà óñòàíîâêå ïðÿìîãî èîí- íîãî îñàæäåíèÿ [5]. Äëÿ ãåíåðàöèè ïîòîêà èîíîâ óãëåðîäà è êðåìíèÿ èñïîëüçîâàëè âàêóóìíî-äóãî- Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 528 ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ âîé èñòî÷íèê ïëàçìû ñ õîëîäíûì êàòîäîì èç ðåàêöèîííîñïå÷åííîãî êàðáèäà êðåìíèÿ. Ñîîò- íîøåíèå Si:C â ïîòîêå èîíîâ ñîñòàâëÿëî 1,12. Cðåäíÿÿ ýíåðãèÿ èîíîâ óãëåðîäà è êðåìíèÿ ε ≈120 ýÂ. Äëÿ ïîëó÷åíèÿ ïëåíîê êàðáèäà êðåì- íèÿ ñ ýëåêòðîííîé ïðîâîäèìîñòüþ èñïîëüçîâà- ëè ñïîñîáíîñòü êàðáèäà êðåìíèÿ ê ñàìîëåãèðî- âàíèþ. Ïîñêîëüêó èçáûòîê èîíîâ êðåìíèÿ ïðè- âîäèò ê ýëåêòðîííîé ïðîâîäèìîñòè, à èîíîâ óã- ëåðîäà — ê äûðî÷íîé [6], ïîñëå ôîðìèðîâà- íèÿ ïëåíêè SiC òèï åå ïðîâîäèìîñòè óòî÷íÿëè ïóòåì èçìåðåíèÿ òåðìî-ÝÄÑ.  ñîîòâåòñòâèè ñ ðàíåå îïðåäåëåííûìè òåõíî- ëîãè÷åñêèìè óñëîâèÿìè [7] áûëè âûðàùåíû ïëåí- êè íàíîêðèñòàëëè÷åñêîãî êàðáèäà êðåìíèÿ ðîì- áîýäðè÷åñêîãî ïîëèòèïà 21R. Âûáîð ýòîãî ïîëè- òèïà îáóñëîâëåí áîëüøåé øèðèíîé çàïðåùåí- íîé çîíû, ÷åì ó êóáè÷åñêîãî, è ìåíüøèìè, ÷åì ó ãåêñàãîíàëüíûõ ïîëèòèïîâ [7], òåìïåðàòóðà- ìè ðîñòà. Òîëùèíà ïëåíîê nc-21R-SiC âàðüèðî- âàëàñü â äèàïàçîíå 200—1000 íì, ñðåäíèé ðàç- ìåð íàíîêðèñòàëëèòîâ, îïðåäåëåííûé ðàíåå ìåòî- äàìè ðåíòãåíîñòðóêòóðíîãî è ýëåêòðîííî-ìèêðî- ñêîïè÷åñêîãî àíàëèçîâ, ñîñòàâëÿë 10—15 íì [7]. Íà ïîâåðõíîñòè SiC ôîðìèðîâàëè ìåòàëëè- ÷åñêèå êîíòàêòíûå ñëîè ñ ïîñëåäóþùèì ïðîâå- äåíèåì ïðîöåññîâ ôîòîëèòîãðàôèè äëÿ ñîçäà- íèÿ ðèñóíêà íåîáõîäèìîé êîíôèãóðàöèè.  êà- ÷åñòâå ìåòàëëè÷åñêîãî êîíòàêòà èñïîëüçîâàëè ñëîé íèêåëÿ òîëùèíîé dNi= 0,1 ìêì, êîòîðûé ñîçäàâàëñÿ ìåòîäîì ìàãíåòðîííîãî íàïûëåíèÿ ñ ïîñëåäóþùèì îòæèãîì â âàêóóìå. Çàòåì ìåòî- äîì òåðìè÷åñêîãî íàïûëåíèÿ íàíîñèëè ñëîè òè- òàíà (dÒi=300 ) è çîëîòà (dAu=1000 ) è ãàëü- âàíè÷åñêè îñàæäàëñÿ ñëîé çîëîòà (dAu=1,5 ìêì). Ïåðåä ïðîöåññîì íàïûëåíèÿ ïðîâîäèëàñü õèìè- ÷åñêàÿ î÷èñòêà ïëàñòèí â îðãàíè÷åñêèõ ðàñòâî- ðèòåëÿõ. Äëÿ ñòðàâëèâàíèÿ ìåòàëëîâ èñïîëüçî- âàëèñü ðàñòâîðû ñïåöèàëüíîãî ñîñòàâà. Ñ öåëüþ óëó÷øåíèÿ êà÷åñòâà êîíòàêòíîãî ðèñóíêà áûëî ïðîâåäåíî äâà ïðîöåññà ôîòîëèòîãðàôèè: ïî íà- ïûëåííîìó ñëîþ íèêåëÿ äî îòæèãà êîíòàêòà è ïî ñôîðìèðîâàííûì ñëîÿì òèòàíà è çîëîòà. Ïðè èññëåäîâàíèè ÔÂÝ â ïîëó÷åííîé ãåòå- ðîñòðóêòóðå ïëåíêó îñâåùàëè âèäèìûì ïîëè- õðîìàòè÷åñêèì èçëó÷åíèåì, èñòî÷íèêîì êîòîðî- ãî ÿâëÿëàñü êñåíîíîâàÿ äóãîâàÿ ëàìïà. Ôîòî- âîëüòàè÷åñêèå õàðàêòåðèñòèêè èññëåäóåìîé ãå- òåðîñòðóêòóðû áûëè èçìåðåíû ïðè îñâåùåííî- ñòè 1800 ëê. Âåëè÷èíà íàãðóçî÷íîãî ñîïðîòèâ- ëåíèÿ â èçìåðèòåëüíîé öåïè ñîñòàâëÿëà 80 Îì. Äëÿ ïîëó÷åíèÿ âîëüò-àìïåðíûõ õàðàêòåðèñòèê èññëåäîâàííûõ ãåòåðîñòðóêòóð íà ïîñòîÿííîì òîêå èñïîëüçîâàëè îáû÷íûé äâóõêîíòàêòíûé ìåòîä. Ïðè îïðåäåëåíèè òåìíîâîé ÂÀÕ èçìåðå- íèÿ ïðîâîäèëè â óñëîâèÿõ ïîëíîãî çàòåìíåíèÿ è ïðè îòñóòñòâèè èñòî÷íèêîâ òåïëà ïîáëèçîñòè. Äèàãðàììà ýíåðãåòè÷åñêèõ çîí ãåòåðîïåðåõîäà n-Si/n-21R-SiC Äëÿ ïîíèìàíèÿ ôèçè÷åñêèõ ïðîöåññîâ, ïðèâî- äÿùèõ ê âîçíèêíîâåíèþ ÔÂÝ â èññëåäóåìîé ãå- òåðîñòðóêòóðå, à òàêæå ìåõàíèçìîâ çàðÿäîâîãî òðàíñïîðòà, îáóñëîâëåííîãî âíåøíèì ýëåêòðè÷å- ñêèì ïîëåì, íåîáõîäèìî ïîñòðîèòü äèàãðàììû ýíåð- ãåòè÷åñêèõ çîí ãåòåðîïåðåõîäà n-Si/n-21R-SiC. Äëÿ ïîñòðîåíèÿ òàêîé äèàãðàììû íåîáõîäèìû òàêèå ôèçè÷åñêèå ïàðàìåòðû, êàê øèðèíà çàïðåùåí- íîé çîíû Eg è ýíåðãèÿ ýëåêòðîííîãî ñðîäñòâà χ ìàòåðèàëîâ, ôîðìèðóþùèõ ãåòåðîïåðåõîä. Äëÿ êðåìíèÿ Eg(Si)=1,1 ýÂ, χSi=1,4 ý [8], äëÿ êàð- áèäà êðåìíèÿ Eg(SiC)=2,82 ýÂ, χSiC=3,5 ý [9]. Ìîæíî ïðåäëîæèòü ñëåäóþùóþ êà÷åñòâåííóþ ýíåðãåòè÷åñêóþ ñõåìó ôîðìèðîâàíèÿ ãåòåðîïå- ðåõîäà n-Si/n-21R-SiC. Ïîñêîëüêó äëÿ ìàòåðè- àëîâ, îáðàçóþùèõ ãåòåðîñòðóêòóðó, âûïîëíÿåò- ñÿ óñëîâèå χSiC>>χSi, òî, ó÷èòûâàÿ, ÷òî ïðè ýëåê- òðîííîì ëåãèðîâàíèè óðîâåíü Ôåðìè EF ðàñïî- ëàãàåòñÿ âáëèçè äíà çîíû ïðîâîäèìîñòè, ìîæíî ñäåëàòü âûâîä, ÷òî ðàáîòà âûõîäà ýëåêòðîíîâ ϕ â SiC áóäåò áîëüøå, ÷åì â Si, è ïîýòîìó ýëåêòðî- íû â êîíòàêòíîì ñëîå ïåðåõîäÿò èç Si â SiC. Âñëåäñòâèå ýòîãî ïðèêîíòàêòíàÿ îáëàñòü êðåì- íèÿ çàðÿæàåòñÿ ïîëîæèòåëüíî, à êàðáèäà êðåì- íèÿ — îòðèöàòåëüíî, è ýëåêòðè÷åñêîå ïîëå Eâíóòð â êîíòàêòíîì ñëîå íàïðàâëåíî îò Si ê SiC. Ïî- ëÿðíîñòü âíåøíåãî ýëåêòðè÷åñêîãî íàïðÿæåíèÿ ïðÿìîãî ñìåùåíèÿ U, êîòîðîå, ïî îïðåäåëåíèþ, äîëæíî óìåíüøàòü âíóòðåííþþ êîíòàêòíóþ ðàç- íîñòü ïîòåíöèàëîâ V è íà ÂÀÕ ñîîòâåòñòâóåò ïîëîæèòåëüíîìó çíà÷åíèþ U, áóäåò ïîëîæèòåëü- íîé äëÿ SiC è îòðèöàòåëüíîé äëÿ Si. Ó÷èòûâàÿ, ÷òî ýíåðãåòè÷åñêèå çàçîðû ìåæäó óðîâíåì Ôåðìè è äíîì çîíû ïðîâîäèìîñòè â êðåì- íèè è êàðáèäå êðåìíèÿ ìàëû ïî ñðàâíåíèþ ñ χ [8; 10, ñ. 416], ìîæíî îöåíèòü êîíòàêòíóþ ðàç- íîñòü ïîòåíöèàëîâ: V= ϕSiC – ϕSi ≈ χSiC – χSi = 2,1 ýÂ. Ðàçðûâ çîíû ïðîâîäèìîñòè ñîñòàâëÿåò ∆ÅC = χSiC– χSi = 2,1 ýÂ, à âàëåíòíîé çîíû — ∆ÅV = (Åg(SiC)–Åg(Si)) + (χSiC–χSi) = 3,8 ýÂ. Ñ ó÷åòîì ýòèõ ðàñ÷åòíûõ ïàðàìåòðîâ áûëà ïî- ñòðîåíà äèàãðàììà ýíåðãåòè÷åñêèõ çîí ãåòåðîïå- ðåõîäà n-Si/n-21R-Si (ðèñ. 1). Ðåçóëüòàòû ýêñïåðèìåíòà è èõ îáñóæäåíèå Âîëüò-àìïåðíûå õàðàêòåðèñòèêè îäíîé èç ïîëó÷åííûõ ïëåíîê ïðèâåäåíû íà ðèñ. 2. Íà- ïðÿæåíèå õîëîñòîãî õîäà Uoc ïîëîæèòåëüíî è Ðèñ. 1. Äèàãðàììà ýíåðãåòè÷åñêèõ çîí ãåòåðîïåðåõîäà n-Si/n-21R-SiC n-Si n-21R-SiC Eâíóòð V χSiC ϕSiC ∆ÅC ∆ÅV ÅF χSi ϕSi ÅV(Si) ÅC(Si) Åg(Si) Åg(SiC) ÅV(SiC) ÅC(SiC) Óðîâåíü âàêóóìà Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 5 29 ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ ñîñòàâëÿåò 240 ìÂ, òîê êîðîòêîãî çàìûêàíèÿ Isc ðàâåí 2 ìA (ïðè ýòîì ïëîòíîñòü òîêà êîðîòêîãî çàìûêàíèÿ jsc=13 ìA/ñì2). Ôàêòîð çàïîëíåíèÿ âîëüò-àìïåðíîé õàðàêòåðèñòèêè ff, îïðåäåëÿå- ìûé êàê ( ) 0 ( ) , ocU oc scI U dU U I∫ ðàâåí 52%. Ïàðàìåòðû Uoc, Isc è ff õàðàêòåðèçóþò ôîòî- ýëåêòðè÷åñêóþ ýôôåêòèâíîñòü ïîëó÷åííîãî ãå- òåðîïåðåõîäà, è èõ çíà÷åíèÿ ñîïîñòàâèìû ñî çíà- ÷åíèÿìè ñîîòâåòñòâóþùèõ ïàðàìåòðîâ ñîâðåìåí- íûõ ôîòîýëåêòðè÷åñêèõ ìàòåðèàëîâ [11]. Õàðàê- òåðíûìè îñîáåííîñòÿìè ôîòîâîëüòàè÷åñêîãî ýô- ôåêòà âî âíåøíåì ýëåêòðè÷åñêîì ïîëå ÿâëÿþòñÿ îòñóòñòâèå âëèÿíèÿ ïîëÿ, ñîîòâåòñòâóþùåãî îá- ðàòíîìó ñìåùåíèþ, íà âåëè÷èíó ôîòî-ÝÄÑ è èñ÷åçíîâåíèå ôîòî-ÝÄÑ ïðè ïðÿìîì ñìåùåíèè. Çàâèñèìîñòü I(U<0) ëèíåéíà è äëÿ çàòåìíåí- íîé ñòðóêòóðû, è ïðè åå îñâåùåíèè. Ðàññìîòðèì òåìíîâóþ ÂÀÕ. Îñíîâíûìè íî- ñèòåëÿìè çàðÿäà ñ îáåèõ ñòîðîí ðàññìàòðèâàå- ìîãî ãåòåðîïåðåõîäà ÿâëÿþòñÿ ýëåêòðîíû. Ïðè ïðÿìîì ñìåùåíèè ãåòåðîïåðåõîäà áàðüåðîì äëÿ ýëåêòðîíîâ áóäåò ñëóæèòü ïèê, îáðàçóåìûé èç- ãèáîì çîíû ïðîâîäèìîñòè ñî ñòîðîíû êðåìíèÿ (ðèñ. 1). Âíåøíåå ýëåêòðè÷åñêîå ïîëå ïðÿìîãî ñìåùåíèÿ ïîíèæàåò âûñîòó ýòîãî ïèêà. Ïðè îá- ðàòíîì ñìåùåíèè áàðüåðîì äëÿ ýëåêòðîíîâ ÿâ- ëÿåòñÿ ðàçðûâ çîíû ïðîâîäèìîñòè ∆ÅC, êîòî- ðûé íå çàâèñèò îò âåëè÷èíû ïðèëîæåííîãî ïîëÿ. Ðàçëè÷èÿ â âûñîòå ýòèõ áàðüåðîâ ïðèâîäÿò ê àñèì- ìåòðèè ÂÀÕ. Íåçàâèñèìîñòü âûñîòû áàðüåðà ∆ÅC îò âíåøíåãî ïîëÿ ÿâëÿåòñÿ ïðè÷èíîé ëèíåéíîñòè ÂÀÕ ïðè îáðàòíîì ñìåùåíèè ãåòåðîïåðåõîäà. Ôîòîíîñèòåëè, âîçíèêàþùèå ïðè îñâåùåíèè ãåòåðîñòðóêòóðû, â îêîëîêîíòàêòíîé îáëàñòè áóäóò “ñêàòûâàòüñÿ” â ïîòåíöèàëüíûå ÿìû: ýëåê- òðîíû — â êâàíòîâóþ ÿìó â çîíå ïðîâîäèìîñòè ñî ñòîðîíû SiC, äûðêè — â êâàíòîâóþ ÿìó â âàëåíòíîé çîíå ñî ñòîðîíû Si. Äàëüíåéøàÿ èõ ìèãðàöèÿ ïóòåì òóííåëèðîâàíèÿ ÷åðåç ïîòåíöè- àëüíûé áàðüåð íåâîçìîæíà èç-çà îòñóòñòâèÿ ðàç- ðåøåííûõ ñîñòîÿíèé äëÿ ýíåðãèé, ñîîòâåòñòâóþ- ùèõ äíó ïîòåíöèàëüíûõ ÿì, ïî äðóãóþ ñòîðîíó áàðüåðà. Îäíàêî âñëåäñòâèå ñêîïëåíèÿ äðåéôó- þùèõ ôîòîíîñèòåëåé ïðîòèâîïîëîæíîãî çíàêà â ïîòåíöèàëüíûõ ÿìàõ â ïðèêîíòàêòíîé îáëàñòè â ýòîé îáëàñòè áóäåò âîçíèêàòü äîïîëíèòåëüíîå ýëåêòðè÷åñêîå ïîëå. Ïðè÷åì íàïðàâëåíèå ýòîãî ïîëÿ ñîâïàäàåò ñ íàïðàâëåíèåì îñíîâíîãî êîí- òàêòíîãî ïîëÿ ãåòåðîïåðåõîäà, ñâÿçàííîãî ñ ðàç- ëè÷èÿìè â ðàáîòàõ âûõîäà ýëåêòðîíîâ â ïîëó- ïðîâîäíèêàõ. Âîçíèêíîâåíèå äîïîëíèòåëüíîãî ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ áóäåò ïðèâîäèòü ê ðåçóëü- òàòàì, àíàëîãè÷íûì îáðàòíîìó ñìåùåíèþ ãåòå- ðîïåðåõîäà, ò. å. ê óâåëè÷åíèþ èçãèáîâ çîí è îïóñêàíèþ êðàåâ çîíû ïðîâîäèìîñòè EÑ è âà- ëåíòíîé çîíû EV êðåìíèÿ.  ðåçóëüòàòå äíî çîíû ïðîâîäèìîñòè êðåìíèÿ ìîæåò îêàçàòüñÿ íèæå äíà ïîòåíöèàëüíîé ÿìû â çîíå ïðîâîäèìîñòè SiC (ðèñ. 3). Òàêîé ïðîöåññ íàìíîãî áîëåå âåðîÿòåí äëÿ çîíû ïðîâîäèìîñòè è ýëåêòðîíîâ, ÷åì äëÿ âàëåíòíîé çîíû è äûðîê. Ýòî îáóñëîâëåíî òåì, ÷òî â ðàâíîâåñíûõ óñëîâèÿõ ýíåðãåòè÷åñêîå ðàç- ëè÷èå ìåæäó ýíåðãèåé ÅÑ(Si) è äíîì ïîòåíöè- àëüíîé ÿìû äëÿ ýëåêòðîíîâ â çîíå ïðîâîäèìî- ñòè SiC çíà÷èòåëüíî ìåíüøå ðàçíîñòè ÅV(SiC) è Ðèñ. 3. Ìîäåëü âîçíèêíîâåíèÿ ôîòî-ÝÄÑ: «– – – » — ïîëîæåíèå çîíû ïðîâîäèìîñòè ïîä âëèÿíèåì äî- ïîëíèòåëüíûõ ýëåêòðè÷åñêèõ ïîëåé, ñîçäàâàåìûõ çàõâà÷åííû- ìè â êâàíòîâûõ ÿìàõ ôîòîíîñèòåëÿìè; «....» — òóííåëèðîâàíèå ýëåêòðîíîâ èç êâàíòîâîé ÿìû; «– . –» — óðîâåíü Ôåðìè n-Si n-21R-SiC Eâíóòð V χSiC ϕSiC ∆ÅC ∆ÅV ÅF χSi ϕSi ÅV(Si) ÅC(Si) Åg(Si) Åg(SiC) ÅV(SiC) ÅC(SiC) Óðîâåíü âàêóóìà Ðèñ. 4. Ìîäåëü èñ÷åçíîâåíèÿ ôîòî-ÝÄÑ: «– – – » — ýíåðãåòè÷åñêàÿ äèàãðàììà ãåòåðîïåðåõîäà n-Si/n-21R-SiC â óñëîâèÿõ ïðÿìîãî ñìåùåíèÿ n-Si n-21R-SiC Eâíóòð V χSiC ϕSiC ∆ÅC ∆ÅV ÅF χSi ϕSi ÅV(Si) ÅC(Si) Åg(Si) Åg(SiC) ÅV(SiC) ÅC(SiC) Óðîâåíü âàêóóìà Ðèñ. 2. Âîëüò-àìïåðíûå õàðàêòåðèñòèêè ãåòåðî- ñòðóêòóðû n-Si/n-21R-SiC â òåìíîòå (ñïëîøíàÿ ëèíèÿ) è ïðè îñâåùåíèè (ïóíêòèðíàÿ) –3 –2 –1 1 U,  Isc I, ìÀ 20 10 –10 –20 Uoc Uïðÿì Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2012, ¹ 530 ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ ýíåðãèè, ñîîòâåòñòâóþùåé äíó ïîòåíöèàëüíîé ÿìû äëÿ äûðîê â âàëåíòíîé çîíå êðåìíèÿ. Òà- êèì îáðàçîì ñîçäàþòñÿ óñëîâèÿ äëÿ òóííåëèðî- âàíèÿ ôîòîýëåêòðîíîâ èç ïîòåíöèàëüíîé ÿìû â SiC ÷åðåç áàðüåð è äàëüíåéøåé èõ ìèãðàöèè âãëóáü êðåìíèåâîãî ñëîÿ. Ýòî ïðèâîäèò ê ñêîï- ëåíèþ èçáûòî÷íîãî ïîëîæèòåëüíîãî çàðÿäà â ñëîå SiC è îòðèöàòåëüíîãî çàðÿäà â Si-ñëîå, ÷òî ñîîò- âåòñòâóåò ïîëîæèòåëüíîìó çíàêó ôîòî-ÝÄÑ. Ïðè ïðÿìîì ñìåùåíèè ãåòåðîïåðåõîäà îñâå- ùàåìîãî îáðàçöà èçãèáû çîí óìåíüøàþòñÿ, ýíåð- ãèÿ êðàÿ çîíû ïðîâîäèìîñòè â êðåìíèè ïîâû- øàåòñÿ, ò. å. çîííàÿ êàðòèíà ñòàíîâèòñÿ ïîäîáíà ðàâíîâåñíîé (ðèñ. 4). À ïðè òàêèõ óñëîâèÿõ, êîãäà óðîâåíü EÑ(Si) âûøå äíà ïîòåíöèàëüíîé ÿìû â çîíå ïðîâîäèìîñòè SiC, òóííåëèðîâàíèå ýëåêòðîíîâ èç êâàíòîâîé ÿìû â îáëàñòü çàïðå- ùåííûõ ýíåðãèé íåâîçìîæíî. Ïîýòîìó ïðè ïðÿ- ìîì ñìåùåíèè ãåòåðîïåðåõîäà ôîòî-ÝÄÑ èñ÷å- çàåò, î ÷åì ñâèäåòåëüñòâóåò îòñóòñòâèå ðàçëè÷èé ìåæäó ÂÀÕ çàòåìíåííîé è îñâåùåííîé ïëåíêè ïðè U>0 (ðèñ. 2). Îáðàòíîå ñìåùåíèå ãåòåðîïåðåõîäà çà ñ÷åò óâåëè÷åíèÿ èçãèáîâ çîí ïðèâîäèò ê äîïîëíè- òåëüíîìó ïîíèæåíèþ óðîâíÿ EÑ(Si) è ïîâûøå- íèþ EÑ(SiC), ò. å. ïîâûñèòñÿ «áàðüåðíàÿ ñòåíà» êâàíòîâîé ÿìû â çîíå ïðîâîäèìîñòè SiC ñïðàâà. Îäíàêî ýòî íèêàê íå ñêàæåòñÿ íà õàðàêòåðå òóí- íåëèðîâàíèÿ ôîòîýëåêòðîíîâ èç êâàíòîâîé ÿìû â îáëàñòü Si, ïîñêîëüêó âåëè÷èíà áàðüåðà ∆ÅÑ îñòàåòñÿ íåèçìåííîé. Ïîýòîìó âíåøíåå ýëåêòðè- ÷åñêîå ïîëå îáðàòíîãî ñìåùåíèÿ íå âëèÿåò íà âåëè÷èíó ôîòî-ÝÄÑ, ÷òî ïîäòâåðæäàåòñÿ ïàðàë- ëåëüíîñòüþ ÂÀÕ çàòåìíåííîé è îñâåùåííîé ïëåí- êè ïðè U<0. *** Òàêèì îáðàçîì, ïîêàçàíî, ÷òî èçîòèïíûé ãå- òåðîïåðåõîä ìåæäó íàíîêðèñòàëëè÷åñêèì êàð- áèäîì êðåìíèÿ è êðåìíèåì ñ ýëåêòðîííîé ïðî- âîäèìîñòüþ ìîæíî èñïîëüçîâàòü â êà÷åñòâå ôî- òîýëåêòðîïðåîáðàçîâàòåëÿ. Âñå íàáëþäàåìûå â ýêñïåðèìåíòå îñîáåííîñòè âîëüò-àìïåðíûõ è ôî- òîýëåêòðè÷åñêèõ õàðàêòåðèñòèê îáóñëîâëåíû íàëè÷èåì êâàíòîâûõ ÿì è ïîòåíöèàëüíûõ áàðü- åðîâ â êîíòàêòíîé îáëàñòè, ñâÿçàííûõ ñ ðàçðû- âàìè ýíåðãåòè÷åñêèõ çîí. ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ 1. Holt D. B., Napchan E., Reehal H., Toal S. SEM EBIC characterization of SiC/Si solar cells // Institute of Physics Conference Series.— 1999.— N 164.— P. 703—706. 2. Hsin-Yuan Mao, Dong Sing Wuu, Bing-Rui Wu et al. Hot-wire chemical vapor deposition and characterization of p- type nanocrystalline SiC films and their use in Si heterojunction solar cell // Thin Solid Films. – 2012. – Vol. 520, N 6. – P. 2110 – 2114. 3. Shui-Yang Lien, Ko-Wei Weng, Jung-Jie Huang et al. Influence of CH4 flow rate on properties of HF-PECVD a-SiC films and solar cell applications // Current Applied Physics.— 2011.— Vol. 11, N 1.— P. S21—S24. 4. Ôàðåíáðóõ À., Áüþá Ð. Ñîëíå÷íûå ýëåìåíòû: Òåîðèÿ è ýêñïåðèìåíò.— Ìîñêâà: Ýíåðãîàòîìèçäàò, 1987. [Farenbrukh A., B’yub R. Solnechnye elementy: Teoriya i eksperiment. Moscow: Energoatomizdat, 1987] 5. Semenov A. V., Puzikov V. M., Dobrotvorskaya M. V. et al. Nanocrystalline SiC films prepared by direct deposition of carbon and silicon ions // Thin Solid Films.— 2008.— Vol. 516, N 10.— P. 2899—2903. 6. Ïàñûíêîâ Â. Â., Ñîðîêèí Â. Ñ. Ìàòåðèàëû ýëåêòðîí- íîé òåõíèêè.— Ìîñêâà: Âûñøàÿ øêîëà, 1999. [Pasynkov V. V., Sorokin V. S. Materialy elektronnoi tekhniki. Moscow: Vysshaya shkola, 1999] 7. Ñåìåíîâ À. Â., Ïóçèêîâ Â. Ì., Å. Ï.Ãîëóáîâà è äð. Íèçêîòåìïåðàòóðíîå ïîëó÷åíèå ïëåíîê êàðáèäà êðåìíèÿ ðàç- ëè÷íûõ ïîëèòèïîâ // Ôèçèêà è òåõíèêà ïîëóïðîâîäíèêîâ.— 2009.— Ò. 43, ¹ 5.— Ñ. 714—718. [Semenov A. V., Puzikov V. M., E. P.Golubova i dr. // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 2009. Vol. 43. N 5. P. 714] 8. Ôèçè÷åñêèå âåëè÷èíû: Ñïðàâî÷íèê / Ïîä ðåä. È.Ñ. Ãðèãîðüåâà, Å. Ç. Ìåéëèõîâà.— Ìîñêâà: Ýíåðãîàòîìèçäàò, 1991. [Fizicheskie velichiny: Spravochnik / Pod red. I.S. Grigor’eva, E. Z. Meilikhova. Moscow: Energoatomizdat, 1991] 9. Äàâûäîâ Ñ. Þ. Îá ýëåêòðîííîì ñðîäñòâå ïîëèòèïîâ êàðáèäà êðåìíèÿ // Ôèçèêà è òåõíèêà ïîëóïðîâîäíèêîâ.— 2007.— Ò. 41, ¹ 6.— Ñ. 718—720. [Davydov S. Yu. // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 2007. Vol. 41. N 6. P. 718] 10. Íåîðãàíè÷åñêîå ìàòåðèàëîâåäåíèå: Ýíöèêëîïåä. èçä. Ò. 2, êí. 1.— Êèåâ: Íàóêîâà äóìêà, 2008. [Neorganicheskoe materialovedenie: Entsikloped. izd. T. 2, kn. 1. Kiev: Naukova dumka, 2008] 11. Martin A. Green, Keith Emery, Yoshihiro Hishikawa, Wilhelm Warta. Solar cell efficiency tables // Progress in Photovoltaics: Research and Applications.— 2011.— N 19.— P. 84—92. Äàòà ïîñòóïëåíèÿ ðóêîïèñè â ðåäàêöèþ 17.05 2012 ã. ___________________________ Semenov A. V., Kozlovskii A. A., Puzikov V. M. Photoelectric properties of n-SiC/n-Si heterojunc- tions. Keywords: silicon carbide, photovoltaic effect, hetero- junction. Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barriers caused by band offsets was proposed to explain the current-voltage characteristics and photovoltaic properties of the heterostructure n-SiC/n-Si. Ukraine, Kharkiv, STC “Institute for Single Crystals”, Institute for Single Crystals NAS Ukraine ____________________________ Î. Â. Ñåìåíîâ, À. À. Êîçëîâñüêèé, Â. Ì. Ïóç³êîâ. Ôîòîåëåêòðè÷í³ âëàñòèâîñò³ ãåòåðîïåðåõîä³â n-SiC/n-Si. Êëþ÷îâ³ ñëîâà: êàðá³ä êðåìí³þ, ôîòîâîëüòà¿÷- íèé åôåêò, ãåòåðîïåðåõ³ä. Äîñë³äæåíî ôîòîâîëüòà¿÷íèé åôåêò â ³çîòèïí³é ãå- òåðîñòðóêòóð³, óòâîðåí³é ïë³âêàìè íàíîêðèñòàë³÷- íîãî êàðá³äó êðåìí³þ, îñàäæåíèìè íà ìîíîêðèñ- òàë³÷í³ ï³äêëàäèíêè ç n-Si (ãåòåðîïåðåõ³ä n-SiC/ n-Si). Ïë³âêè îòðèìóâàëè ìåòîäîì ïðÿìîãî ³îííî- ãî îñàäæåííÿ. Äëÿ ïîÿñíåííÿ îñîáëèâîñòåé âîëüò- àìïåðíèõ òà ôîòîåëåêòðè÷íèõ õàðàêòåðèñòèê ãåòå- ðîñòðóêòóðè n-SiC/n-Si çàïðîïîíîâàíî ìîäåëü, ÿêà âðàõîâóº ïðèñóòí³ñòü â êîíòàêòí³é îáëàñò³ êâàíòî- âèõ ÿì òà ïîòåíö³éíèõ áàð’ºð³â, îáóìîâëåíèõ ðîç- ðèâàìè çîí. Óêðà¿íà, ì. Õàðê³â, ÍÒÊ «²íñòèòóò ìîíîêðèñòàë³â», ²íñòèòóò ìîíîêðèñòàë³â ÍÀÍÓ.

Схожі ресурси