Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2012
• 1. Verfasser: Добровольский, Ю.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51709
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1—0,12 А/Вт. Розроблено алгоритм для комп'ютерного моделю-вання та аналізу параметрів, що визначають чут-ливість фотодіодів з поверхнево-бар'єрною струк-турою на основі n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, що струмова монохроматична чутливість до випромінювання з довжиною хвилі 250 нм у такій струк-турі може досягати 0,1—0,12 А/Вт. An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n⁺—n-GaP—SnO₂(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structure can reach 0,1—0,12 A/W.