Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достиг...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51709 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862534036390412288 |
|---|---|
| author | Добровольский, Ю.Г. |
| author_facet | Добровольский, Ю.Г. |
| citation_txt | Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1—0,12 А/Вт.
Розроблено алгоритм для комп'ютерного моделю-вання та аналізу параметрів, що визначають чут-ливість фотодіодів з поверхнево-бар'єрною струк-турою на основі n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, що струмова монохроматична чутливість до випромінювання з довжиною хвилі 250 нм у такій струк-турі може досягати 0,1—0,12 А/Вт.
An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n⁺—n-GaP—SnO₂(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structure can reach 0,1—0,12 A/W.
|
| first_indexed | 2025-11-24T07:39:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51709 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T07:39:38Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Добровольский, Ю.Г. 2013-12-07T01:15:08Z 2013-12-07T01:15:08Z 2012 Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51709 535.23:628.98:004.9:535-31:535.247 Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1—0,12 А/Вт. Розроблено алгоритм для комп'ютерного моделю-вання та аналізу параметрів, що визначають чут-ливість фотодіодів з поверхнево-бар'єрною струк-турою на основі n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, що струмова монохроматична чутливість до випромінювання з довжиною хвилі 250 нм у такій струк-турі може досягати 0,1—0,12 А/Вт. An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n⁺—n-GaP—SnO₂(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structure can reach 0,1—0,12 A/W. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра Фотодіоди на основі GaP з підвищеною чутливістю у короткохвильовій областіУФ-спектра Photodiode based on GaP sensitized to short-wave region of UV spectrum Article published earlier |
| spellingShingle | Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра Добровольский, Ю.Г. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра |
| title_alt | Фотодіоди на основі GaP з підвищеною чутливістю у короткохвильовій областіУФ-спектра Photodiode based on GaP sensitized to short-wave region of UV spectrum |
| title_full | Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра |
| title_fullStr | Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра |
| title_full_unstemmed | Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра |
| title_short | Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра |
| title_sort | фотодиод на основе gap с повышенной чувствительностью в коротковолновой области уф-спектра |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51709 |
| work_keys_str_mv | AT dobrovolʹskiiûg fotodiodnaosnovegapspovyšennoičuvstvitelʹnostʹûvkorotkovolnovoioblastiufspektra AT dobrovolʹskiiûg fotodíodinaosnovígapzpídviŝenoûčutlivístûukorotkohvilʹovíioblastíufspektra AT dobrovolʹskiiûg photodiodebasedongapsensitizedtoshortwaveregionofuvspectrum |