Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достиг...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51709 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51709 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Добровольский, Ю.Г. 2013-12-07T01:15:08Z 2013-12-07T01:15:08Z 2012 Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51709 535.23:628.98:004.9:535-31:535.247 Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1—0,12 А/Вт. Розроблено алгоритм для комп'ютерного моделю-вання та аналізу параметрів, що визначають чут-ливість фотодіодів з поверхнево-бар'єрною струк-турою на основі n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, що струмова монохроматична чутливість до випромінювання з довжиною хвилі 250 нм у такій струк-турі може досягати 0,1—0,12 А/Вт. An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n⁺—n-GaP—SnO₂(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structure can reach 0,1—0,12 A/W. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра Фотодіоди на основі GaP з підвищеною чутливістю у короткохвильовій областіУФ-спектра Photodiode based on GaP sensitized to short-wave region of UV spectrum Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра |
| spellingShingle |
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра Добровольский, Ю.Г. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра |
| title_full |
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра |
| title_fullStr |
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра |
| title_full_unstemmed |
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра |
| title_sort |
фотодиод на основе gap с повышенной чувствительностью в коротковолновой области уф-спектра |
| author |
Добровольский, Ю.Г. |
| author_facet |
Добровольский, Ю.Г. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Фотодіоди на основі GaP з підвищеною чутливістю у короткохвильовій областіУФ-спектра Photodiode based on GaP sensitized to short-wave region of UV spectrum |
| description |
Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1—0,12 А/Вт.
Розроблено алгоритм для комп'ютерного моделю-вання та аналізу параметрів, що визначають чут-ливість фотодіодів з поверхнево-бар'єрною струк-турою на основі n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, що струмова монохроматична чутливість до випромінювання з довжиною хвилі 250 нм у такій струк-турі може досягати 0,1—0,12 А/Вт.
An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n⁺—n-GaP—SnO₂(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structure can reach 0,1—0,12 A/W.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51709 |
| fulltext |
|
| citation_txt |
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dobrovolʹskiiûg fotodiodnaosnovegapspovyšennoičuvstvitelʹnostʹûvkorotkovolnovoioblastiufspektra AT dobrovolʹskiiûg fotodíodinaosnovígapzpídviŝenoûčutlivístûukorotkohvilʹovíioblastíufspektra AT dobrovolʹskiiûg photodiodebasedongapsensitizedtoshortwaveregionofuvspectrum |
| first_indexed |
2025-11-24T07:39:38Z |
| last_indexed |
2025-11-24T07:39:38Z |
| _version_ |
1850844286613979136 |