Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Author: Добровольский, Ю.Г.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51709
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достиг...