Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, перспективных для использования в качестве ультрафиолетовых фотоприемников....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51710 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников / Ю.Н. Бобренко, В.Н. Комащенко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862750054616399872 |
|---|---|
| author | Бобренко, Ю.Н. Комащенко, В.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Атдаев, Б.С. |
| author_facet | Бобренко, Ю.Н. Комащенко, В.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Атдаев, Б.С. |
| citation_txt | Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников / Ю.Н. Бобренко, В.Н. Комащенко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, перспективных для использования в качестве ультрафиолетовых фотоприемников.
Вивчено спектральні, вольт-фарадні та вольт-амперні характеристики тонкоплівкових поверхнево-бар'єрних структур на основі сполук A²B⁶ з різним розподілом концентрації носіїв в області просторового заряду, перспективних для використання як ультрафіолетових фотоприймачів.
The article presents the study on spectral, capacitancevoltage and current-voltage characteristics of surfacebarrier structures based on A²B⁶ composition with different carrier concentration profiles in space-charge region sensitive to ultraviolet range and perspective for ultraviolet sensor application.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:03:23Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51710 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:03:23Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бобренко, Ю.Н. Комащенко, В.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Атдаев, Б.С. 2013-12-07T01:18:52Z 2013-12-07T01:18:52Z 2012 Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников / Ю.Н. Бобренко, В.Н. Комащенко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51710 621.315.592+621.384.2 Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, перспективных для использования в качестве ультрафиолетовых фотоприемников. Вивчено спектральні, вольт-фарадні та вольт-амперні характеристики тонкоплівкових поверхнево-бар'єрних структур на основі сполук A²B⁶ з різним розподілом концентрації носіїв в області просторового заряду, перспективних для використання як ультрафіолетових фотоприймачів. The article presents the study on spectral, capacitancevoltage and current-voltage characteristics of surfacebarrier structures based on A²B⁶ composition with different carrier concentration profiles in space-charge region sensitive to ultraviolet range and perspective for ultraviolet sensor application. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников Вплив розподілу домішки в базі на фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних УФ-фотоприймачів Influence of base impurity distribution on the photoelectric properties of surface-barrier UV photodetectors Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников Бобренко, Ю.Н. Комащенко, В.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Атдаев, Б.С. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников |
| title_alt | Вплив розподілу домішки в базі на фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних УФ-фотоприймачів Influence of base impurity distribution on the photoelectric properties of surface-barrier UV photodetectors |
| title_full | Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников |
| title_fullStr | Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников |
| title_full_unstemmed | Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников |
| title_short | Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников |
| title_sort | влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных уф-фотоприемников |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51710 |
| work_keys_str_mv | AT bobrenkoûn vliânieraspredeleniâprimesivbazenafotoélektričeskiesvoistvapoverhnostnobarʹernyhuffotopriemnikov AT komaŝenkovn vliânieraspredeleniâprimesivbazenafotoélektričeskiesvoistvapoverhnostnobarʹernyhuffotopriemnikov AT ârošenkonv vliânieraspredeleniâprimesivbazenafotoélektričeskiesvoistvapoverhnostnobarʹernyhuffotopriemnikov AT šeremetovagi vliânieraspredeleniâprimesivbazenafotoélektričeskiesvoistvapoverhnostnobarʹernyhuffotopriemnikov AT atdaevbs vliânieraspredeleniâprimesivbazenafotoélektričeskiesvoistvapoverhnostnobarʹernyhuffotopriemnikov AT bobrenkoûn vplivrozpodíludomíškivbazínafotoelektričnívlastivostípoverhnevobarêrnihuffotopriimačív AT komaŝenkovn vplivrozpodíludomíškivbazínafotoelektričnívlastivostípoverhnevobarêrnihuffotopriimačív AT ârošenkonv vplivrozpodíludomíškivbazínafotoelektričnívlastivostípoverhnevobarêrnihuffotopriimačív AT šeremetovagi vplivrozpodíludomíškivbazínafotoelektričnívlastivostípoverhnevobarêrnihuffotopriimačív AT atdaevbs vplivrozpodíludomíškivbazínafotoelektričnívlastivostípoverhnevobarêrnihuffotopriimačív AT bobrenkoûn influenceofbaseimpuritydistributiononthephotoelectricpropertiesofsurfacebarrieruvphotodetectors AT komaŝenkovn influenceofbaseimpuritydistributiononthephotoelectricpropertiesofsurfacebarrieruvphotodetectors AT ârošenkonv influenceofbaseimpuritydistributiononthephotoelectricpropertiesofsurfacebarrieruvphotodetectors AT šeremetovagi influenceofbaseimpuritydistributiononthephotoelectricpropertiesofsurfacebarrieruvphotodetectors AT atdaevbs influenceofbaseimpuritydistributiononthephotoelectricpropertiesofsurfacebarrieruvphotodetectors |