Buchumschlag

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников

Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, перспективных для использования в качестве ультрафиолетовых фотоприемников....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2012
Hauptverfasser: Бобренко, Ю.Н., Комащенко, В.Н., Ярошенко, Н.В., Шереметова, Г.И., Атдаев, Б.С.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Schlagworte:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51710
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников / Ю.Н. Бобренко, В.Н. Комащенко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge