Технология создания легированных бором слоев на алмазе
Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры кристаллов с высокой концентрацией примесного азота указывают на то, что их...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51711 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Технология создания легированных бором слоев на алмазе / К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева, М.П. Духновский, Р.А. Хмельницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-51711 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Зяблюк, К.Н. Митягин, А.Ю. Талипов, Н.Х. Чучева, Г.В. Духновский, М.П. Хмельницкий, Р.А. 2013-12-07T01:22:53Z 2013-12-07T01:22:53Z 2012 Технология создания легированных бором слоев на алмазе / К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева, М.П. Духновский, Р.А. Хмельницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51711 621.382.3 Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры кристаллов с высокой концентрацией примесного азота указывают на то, что их можно использовать для изготовления СВЧ полевых транзисторов, работающих при комнатной температуре. Алмазные CVD-пленки, легированные бором в процессе роста, также обладают требуемой для изготовления полевых транзисторов подвижностью носителей заряда, однако, вследствие высокой энергии активации бора, требуемая проводимость капала достигается при высокой рабочей температуре. Досліджувалися природні кристали алмазу типу IIа та CDV алмазні плівки. Представлено електрофізичні параметри структур, отриманих при різних режимах іонної імплантації бору в кристал і подальшого відпалу. Параметри кристалів з високою концентрацією домішкового азоту вказують на те, що їх можна використовувати для виготовлення НВЧ польових транзисторів, що працюють при кімнатній температурі. Алмазні CDV-плівки, леговані бором в процесі росту, також мають необхідну для виготовлення польових транзисторів рухливість носіїв заряду, однак, внаслідок високої енергії активації бору, необхідна провідність досягається при високій робочій температурі. The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophvsical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Parameters of the crystals with a high nitrogen impurity density indicate that they can be used for the manufacture of microwave field-effect transistors operating at room temperature. CVD diamond films doped with boron during the growth process also have the required for MOSFET manufacture carrier mobility. However, clue to the high activation energy of boron, the required channel conductivity is achieved at high operating temperatures. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Технология создания легированных бором слоев на алмазе Технологія створення легованих бором шарів на алмазі Technology for boron-doped layers formation on the diamond Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Технология создания легированных бором слоев на алмазе |
| spellingShingle |
Технология создания легированных бором слоев на алмазе Зяблюк, К.Н. Митягин, А.Ю. Талипов, Н.Х. Чучева, Г.В. Духновский, М.П. Хмельницкий, Р.А. Технологические процессы и оборудование |
| title_short |
Технология создания легированных бором слоев на алмазе |
| title_full |
Технология создания легированных бором слоев на алмазе |
| title_fullStr |
Технология создания легированных бором слоев на алмазе |
| title_full_unstemmed |
Технология создания легированных бором слоев на алмазе |
| title_sort |
технология создания легированных бором слоев на алмазе |
| author |
Зяблюк, К.Н. Митягин, А.Ю. Талипов, Н.Х. Чучева, Г.В. Духновский, М.П. Хмельницкий, Р.А. |
| author_facet |
Зяблюк, К.Н. Митягин, А.Ю. Талипов, Н.Х. Чучева, Г.В. Духновский, М.П. Хмельницкий, Р.А. |
| topic |
Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Технологія створення легованих бором шарів на алмазі Technology for boron-doped layers formation on the diamond |
| description |
Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры кристаллов с высокой концентрацией примесного азота указывают на то, что их можно использовать для изготовления СВЧ полевых транзисторов, работающих при комнатной температуре. Алмазные CVD-пленки, легированные бором в процессе роста, также обладают требуемой для изготовления полевых транзисторов подвижностью носителей заряда, однако, вследствие высокой энергии активации бора, требуемая проводимость капала достигается при высокой рабочей температуре.
Досліджувалися природні кристали алмазу типу IIа та CDV алмазні плівки. Представлено електрофізичні параметри структур, отриманих при різних режимах іонної імплантації бору в кристал і подальшого відпалу. Параметри кристалів з високою концентрацією домішкового азоту вказують на те, що їх можна використовувати для виготовлення НВЧ польових транзисторів, що працюють при кімнатній температурі. Алмазні CDV-плівки, леговані бором в процесі росту, також мають необхідну для виготовлення польових транзисторів рухливість носіїв заряду, однак, внаслідок високої енергії активації бору, необхідна провідність досягається при високій робочій температурі.
The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophvsical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Parameters of the crystals with a high nitrogen impurity density indicate that they can be used for the manufacture of microwave field-effect transistors operating at room temperature. CVD diamond films doped with boron during the growth process also have the required for MOSFET manufacture carrier mobility. However, clue to the high activation energy of boron, the required channel conductivity is achieved at high operating temperatures.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51711 |
| citation_txt |
Технология создания легированных бором слоев на алмазе / К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева, М.П. Духновский, Р.А. Хмельницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT zâblûkkn tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT mitâginaû tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT talipovnh tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT čučevagv tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT duhnovskiimp tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT hmelʹnickiira tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT zâblûkkn tehnologíâstvorennâlegovanihboromšarívnaalmazí AT mitâginaû tehnologíâstvorennâlegovanihboromšarívnaalmazí AT talipovnh tehnologíâstvorennâlegovanihboromšarívnaalmazí AT čučevagv tehnologíâstvorennâlegovanihboromšarívnaalmazí AT duhnovskiimp tehnologíâstvorennâlegovanihboromšarívnaalmazí AT hmelʹnickiira tehnologíâstvorennâlegovanihboromšarívnaalmazí AT zâblûkkn technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT mitâginaû technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT talipovnh technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT čučevagv technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT duhnovskiimp technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT hmelʹnickiira technologyforborondopedlayersformationonthediamond |
| first_indexed |
2025-12-07T17:04:34Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:04:34Z |
| _version_ |
1850869887610650624 |