Технология создания легированных бором слоев на алмазе
Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры кристаллов с высокой концентрацией примесного азота указывают на то, что их...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51711 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Технология создания легированных бором слоев на алмазе / К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева, М.П. Духновский, Р.А. Хмельницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |