Зображення обкладинки

Технология создания легированных бором слоев на алмазе

Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры кристаллов с высокой концентрацией примесного азота указывают на то, что их...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2012
Автори:	Зяблюк, К.Н., Митягин, А.Ю., Талипов, Н.Х., Чучева, Г.В., Духновский, М.П., Хмельницкий, Р.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Теми:	Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51711
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Технология создания легированных бором слоев на алмазе / К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева, М.П. Духновский, Р.А. Хмельницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
за авторством: Митягин, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Кудрик, Я.Я., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Динев, Д.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе
за авторством: Плис, Н.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Конакова, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Федорович, О.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема
за авторством: Попукайло, В.С.
Опубліковано: (2016)

Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)

Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Турцевич, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
за авторством: Новосядлый, С.П., та інші
Опубліковано: (2008)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
за авторством: Одиноков, В.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)

Технологии изготовления фотонных кристаллов
за авторством: Березянский, Б.М.
Опубліковано: (2007)

Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
за авторством: Шангереева, Б.А.
Опубліковано: (2008)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)

Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
за авторством: Панфилов, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)