Технология создания легированных бором слоев на алмазе

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Зяблюк, К.Н., Митягин, А.Ю., Талипов, Н.Х., Чучева, Г.В., Духновский, М.П., Хмельницкий, Р.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Schlagworte: Технологические процессы и оборудование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51711
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Технология создания легированных бором слоев на алмазе / К.Н. Зяблюк, А.Ю. Митягин, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева, М.П. Духновский, Р.А. Хмельницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры кристаллов с высокой концентрацией примесного азота указывают на то, что их...