Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2012
• Main Authors: Турцевич, А.С., Рубцевич, И.И., Соловьев, Я.А., Васьков, О.С., Кононенко, В.К., Нисс, В.С., Керенце, А.Ф.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Subjects: Технологические процессы и оборудование
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51712
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром / А.С. Турцевич, И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, О.С. Васьков, В.К. Кононенко, В.С. Нисс, А.Ф. Керенце // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 44-47. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной новым не разрушающим методом дифференциальной спектроскопии. Представлена зависимость внутреннего теплового сопротивления компонентов транзисторной структуры от постоянной времени тепловой релаксации. Досліджено диференціальні профілі розподілу теплового опору «перехід — корпус» транзисторів КП723Г залежно від умов монтажу кристалів у корпус. Спектри теплового опору розраховувалися через аналіз часової залежності динамічного теплового імпедансу, який отримано новим неруйнівним методом диференціальної спектроскопії. Наведено залежність внутрішнього теплового опору компонентів транзисторної структури від сталої часу теплової релаксації. Differential distribution profiles of the thermal «junction-to-case» resistance of KP723G transistors in accordance with the attachment of the crystals into the package have been investigated. Spectra of thermal resistances were calculated from the analysis of the temporal dependence of the dynamic thermal impedance obtained by a new non-destructive method of differential spectroscopy. The dependence of internal thermal resistance of transistor structure components on the thermal relaxation time constant is presented.